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MCM

(多芯片模塊)

鎖定
根據IPAS的定義,MCM技術是將多個LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件組裝在同一塊多層互連基板上,然後進行封裝,從而形成高密度高可靠性微電子組件。根據所用多層佈線基板的類型不同,MCM可分為疊層多芯片組件(MCM -L)、陶瓷多芯片組件(MCM -C)、澱積多芯片組件(MCM -D)以及混合多芯片組件(MCM –C/D)等。
中文名
多芯片模塊
外文名
MultiChip Module
定    義
多芯片組件
技    術
實現電子整機小型化、多功能化

MCM定義

多芯片模塊多芯片組件。在這種技術中,IC模片不是安裝在單獨的塑料或陶瓷封裝(外殼)裏,而是把高速子系統(如處理器和它的高速緩存)的IC模片直接綁定到基座上,這種基座包含多個層所需的連接。MCM是密封的,並且有自己的用於連接電源和接地的外部引腳,以及所處系統所需要的那些信號線。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊佈線基板上的一種封裝技術。CM是在混合集成電路技術基礎上發展起來的一項微電子技術,其與混合集成電路產品並沒有本質的區別,只不過MCM具有更高的性能、更多的功能和更小的體積,可以説MCM屬於高級混合集成電路產品。

MCM種類

MCM-L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。佈線密度不怎麼高,成本較低。
MCM-C 是用厚膜技術形成多層佈線,以陶瓷(氧化鋁玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使
用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。佈線密度高於MCM-L。
MCM-D 是用薄膜技術形成多層佈線,以陶瓷(氧化氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。
佈線密度在三種組件中是最高的,但成本也高。

MCM現狀

根據美軍標MIL-PRF-38534D混合微電路總規範的定義,MCM是一種混合微電路,其內部裝有兩個或兩個以上超過100000門的微電路。
就MCM的技術先進性而言,MCM可以集成VLSI/ASIC等大規模集成電路芯片,I/O引腳數多達100個以上,但在實際應用中,很多MCM產品並不一定包括VLSI/ASIC等大規模集成電路芯片,I/O引腳數也並不是很高。早期,MCM的應用焦點主要聚集在以大型計算機為代表的應用領域,強調的是其大規模集成的特點。隨着MCM技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,MCM的高集成度、高組裝效率和高靈活性等特點必將日益突顯出來。
當前MCM的熱門產品藍牙模塊為例,藍牙模塊是一種短距離無線通訊產品,2005年全球市場需求量為5億隻,製作藍牙模塊的技術途徑有兩種:單芯片集成和MCM集成。由於技術難度大、研發週期長和成本高,前者一直沒有成功,後者則成為最理想的解決方案,2003年市場投放量近2000萬隻。藍牙MCM集成了1個RF芯片、1個基帶芯片和一些無源元件,引出端採取BGA形式,集成的芯片規模也不大,I/O引腳數也只有34個。

MCM技術特點

MCM技術是實現電子整機小型化、多功能化、高性能和高可靠性的十分有效的技術途徑。與其它集成技術相比較,MCM技術具有以下技術特點:
延時短,傳輸速度提高
由於採用高密度互連技術,其互連線較短,信號傳輸延時明顯縮短。與單芯片表面貼裝技術相較,其傳輸速度提高4-6倍,可以滿足100MHz的速度要求。
體積小,重量輕
採用多層佈線基板和裸芯片,因此其組裝密度較高,產品體積小,重量輕。其組裝效率可達30%,重量可減少80-90%。
可靠性高
統計表明,電子產品的失效大約90%是由於封裝和電路互連所引起的,MCM集有源器件和無源元件於一體,避免了器件級的封裝,減少了組裝層次,從而有效地提高了可靠性。
高性能和多功能化
MCM可以將數字電路模擬電路、微波電路、功率電路以及光電器件等合理有效地集成在一起,形成半導體技術所無法實現的多功能部件或系統,從而實現產品的高性能和多功能化。
軍事微電子領域的優勢地
減小產品尺寸和重量,同時提高電性能和可靠性,這是MCM技術的價值之所在,也是MCM技術得以產生和發展的驅動力。在要求高性能、小型化和價格是次要因素的應用領域,尤其在軍事、航空航天應用領域,MCM技術具有十分穩固的優勢地位。
由於受半導體技術發展水平的限制,在我國芯片主要來源於國外,軍用高頻和大功率等芯片的來源一直是是一項非常棘手的問題,因此採用MCM二次集成技術具有十分重要的現實意義。毫無疑問,MCM在軍事微電子領域將具有非常廣泛的應用市場和發展前景。
美國信息網絡公司預測,2000年到2005年世界MCM市場的平均年增長率是13.5%,從2000年的0.533億件到2005年的1.004億件。其中2001年全球軍事/航天MCM產品為96.7萬塊,2005年全球軍事/航天MCM產品將為41.5萬塊,增長率為-15.6%。未來MCM在全球軍事電子領域的市場將會出現衰退,但其原因並不在於其它技術的競爭,而在於全球軍備投資的減少。

MCM問題

現狀
從2000年到2005年,世界MCM市場的平均年增長率預計為13.5%,儘管MCM在性能﹑數量和產值方面一直保持着持續穩定的提升,然而與微電子產品的整體規模相比較,MCM產品所佔的比重依然是相當低的。2001年,全球IC的產量約為755億塊,而MCM的產量僅為0.53億塊。在國內,MCM的應用狀況非常薄弱,產品所佔有的市場份額更是微乎其微。
制約因素
自MCM技術問世以來,人們對其寄予很大的期望,普遍認為未來將成為微電子技術的主流。然而隨着MCM應用領域的不斷拓展和深入,其內在和外在的一些負面因素便日益凸顯出來,從而限制了MCM的應用規模,也妨礙了MCM達到人們所期待的輝煌的境界,其制約因素主要有以下幾個方面:
●由於沒有標準的設計規範和生產工藝,缺乏KGD,以及設備、材料和工藝成本比較昂貴,使 MCM的成本一直居高不下;此外,只要一個元器件失效,整個組件就得報廢。這也造成了商業應用難以接受的高成本。
●當今半導體技術發展迅速,ASIC的密度越來越高,功率越來越大,其提升速度遠遠超過了早期的預測,因此使得MCM失去了眾多的應用市場。
●MCM所組裝的LSIVLSI和ASIC通常為裸芯片,確好裸芯片(KGD)來源問題一直沒有從根本上得到解決,這在很大的程度上妨礙着MCM的推廣應用。在我國裸芯片主要來源於國外,KGD以及高頻和大功率芯片的來源更是一項非常急待解決的問題,直接限制着設計人員方案的選擇。
●諸如芯片級封裝(CSP)、少量芯片封裝(FCP)﹑多芯片封裝(MCP)等新型微電子技術的出現,以其極具競爭力的性價比對MCM構成了競爭態勢,並對MCM的未來發展形成了威脅。
種種不利因素制約了MCM技術的發展規模,尤其是大規模商業化應用,使得其註定只能是現有微電子技術的一種補充,而無法成為一種更新換代的局面。儘管MCM技術很難成為微電子領域的主流技術,但其依然是一項充滿活力和希望的微電子技術,尤其在軍事電子領域其依然擁有充分的生存和發展空間。仍然受到世界各國的高度重視。

MCM研究

國外研究與應用情況
國際上從七十年代末開始研究和開發MCM技術,到2000年則進入全面應用階段。在小型化、高性能和價格非主要考慮因素的應用領域,MCM技術已經獲得了十分成功的應用。在移動通訊、汽車電子筆記本電腦、辦公和消費電子等領域,MCM技術也獲得了迅速的發展。
2001年,全球MCM產量為5545萬塊,其中軍事/航天佔1.8%,計算機佔16.8%,通訊佔49.3%,消費類佔28.3%,工業佔3.8%。全球MCM開發和研製廠家有一百多家,主要生產廠家有四十家左右,2000年產值達到200多億美元。
國外二維MCM技術的研究已日趨成熟,正走向全面應用的階段。隨着電子整機系統小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本的要求越來越高,國外又加強了三維MCM系統集成技術的研究,以此實現整機系統更高的組裝效率、更高的系統性能、更多的系統功能和I/O引腳、更低的功耗和成本。二維MCM的組裝效率最高達80~85%,三維MCM的組裝效率則可達200%以上。國外三維MCM技術主要應用於航天、航空、軍事和大型計算機等領域,主要產品有存儲器數字信號處理器圖像處理與識別系統、人工神經網絡、大型並行計算機處理器以及二級緩存等。
我國是從“八五”期間開始從事MCM技術研究的,研究單位從最早的寥寥數家發展壯大到幾十家,其中主要的研製單位有中電科技集團第四十三所、十三所、十四所、中國航天集團第七七一所、中國航天集團第七七二所、兵總二一四所、信息產業部電子五所、電子科技大學西安電子科技大學以及北京飛宇公司等,其研究內容涉及了MCM的EDA技術、低温共燒多層基板製造技術、高温共燒多層基板製造技術、薄膜多層基板製造技術、混合多層基板製造技術、AlN多層基板製造技術、倒裝焊工藝技術、TAB工藝技術、MCM可靠性設計技術、三維MCM製造技術以及MCM實用化產品研製等。
經過十多年的研究和開發,我國在MCM設計、材料和工藝等技術領域取得了一系列的科研成果。國內在MCM的研製生產中已開始採用EDA設計技術,厚膜多層基板的實用化工藝水平已達到:佈線層數5層,線寬/間距150μm/200μm;薄膜多層基板實用化工藝水平已達到:佈線層數4層,線寬/間距10μm/20μm,並可內埋電阻。低温共燒多層陶瓷基板的實用化工藝水平已達到:佈線層數20層,面積125 。