線寬

4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生產工藝可達到的最小導線寬度(注:應為最小溝道寬度,IC工藝的核心是MOS尺寸,所以最小導線寬度的説法不準確),是IC工藝先進水平的主要指標.線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元.

在光學中指光源的線寬，比如激光線寬。光從激光器中射出，激光起振後,會有一個或多個縱模產生,每個縱模的頻率的範圍就是激光的線寬。注意每個縱模的頻率寬度和縱模之間的間隔是兩個不同的概念,縱模間隔是相鄰兩個縱模中心頻率的差值。激光線寬由諧振腔的品質因數決定,腔的品質因數越高,激光線寬就越窄。考慮激光介質的增益後,激光的線寬的理論極限由增益介質的自發輻射來決定,例如對於He-Ne,其線寬的理論極限約為10^-3Hz量級。當然實際的激光器中還有各種線寬展寬機制,使的激光線寬一般達不到其理論極限,例如對於He-Ne,温度變化0.01度引起的模式頻率漂移約0.1MHz,實際He-Ne的激光線寬可達到1MHz,固體激光器中線寬可達1埃左右。