CDD

普通的DD分集中OFDM符號與參考信號循環前綴有重疊，使用了CDD就可以即使符號與參考信號前綴重疊，又可以讓相位有延遲。其框圖為Conserved Domain Database（CDD）：保守結構域，同源蛋白質相對保守的區域。

愛立信的CDD：Cell Design Data（小區定義數據）

在移動通信中，小區的功率、切換、小區重選、所在層等是用過一些參數來定義的，這些參數稱為CDD參數，即小區定義數據。

cooling degree days（製冷度日數）

指在空調期中，室外逐日平均温度高於室內温度基數的度數之和。

中央設計區（central design district）

坐落於北京市西紅門，地鐵四號線西紅門站，出站西側即是。

CDD（Controller Driving Deceleration）

在需要時結合自動車距控制功能實施制動，是ESP（Electric Stability Program，電子穩定程序）汽車電子功能的一種附屬功能。

CDD(Charge Coupled Device)

電荷耦合器件簡稱CDD,是在MOS結構電荷存儲器的基礎上發展起來的。其概念最初於1970年由美國貝爾實驗室的W.S.Boyle和G.E.Smith提出，很快有各種實用的CDD器件研製出來。由於它具有光電轉換、信息存儲和延時等功能，而且低噪聲、功耗小，所以被廣泛應用於廣播電視、可視電話、攝像機等方面，並在自動檢測和控制領域也顯示出廣闊的應用前景。

1.1CDD的基本工作原理

CDD是一種將光信號變成電荷包，並以電荷包的形式存儲和傳遞信息的半導體表面器件，而不同於其他大多數器件是以電流或者電壓為信號的。因此，CDD工作過程的主要問題是信號電荷的產生、存儲、傳輸和檢測。

CDD按電荷轉移信道劃分為兩種基本類型，一是電荷包存儲半導體與絕緣體之間的界面，並沿界面傳輸，這類器件稱為表面溝道CDD（簡稱SCCD）；二是電荷包存儲在離半導體表面一定深度的體內，並在半導體體內沿一定方向傳輸，這類器件稱為體溝道或埋溝道器件（簡稱BCCD）。

CD的雛形是在N型或 P型硅襯底上生長一層二氧化硅薄層，再在二氧化硅層上澱積並光刻腐蝕出金屬電極，這些規則排列的金屬-氧化物-半導體電容器陣列和適當的輸入、輸出電路就構成基本的 CCD移位寄存器。對金屬柵電極施加時鐘脈衝，在對應柵電極下的半導體內就形成可儲存少數載流子的勢阱。可用光注入或電注入的方法將信號電荷輸入勢阱。然後週期性地改變時鐘脈衝的相位和幅度，勢阱深度則隨時間相應地變化，從而使注入的信號電荷在半導體內作定向傳輸。CCD 輸出是通過反相偏置PN結收集電荷，然後放大、復位，以離散信號輸出。

電荷轉移效率是 CCD最重要的性能參數之一，用每次轉移時被轉移的電荷量和總電荷量的百分比表示。轉移效率限制了CCD的最大轉移級數。

體溝道CCD的電荷轉移機理和表面溝道CCD略有不同。體溝道CCD又稱為埋溝CCD。所謂體溝道即用來存儲和轉移信號電荷的溝道是在離開半導體表面有一定距離的體內形成。體溝道 CCD的時鐘頻率可高達幾百兆赫，而通常的表面溝道CCD只幾兆赫。

固體成像、信號處理和大容量存儲器是 CCD的三大主要用途。各種線陣、面陣像感器已成功地用於天文、遙感、傳真、卡片閲讀、光測試和電視攝像等領域，微光CCD和紅外CCD在航遙空感、熱成像等軍事應用中顯示出很大的作用。CCD 信號處理兼有數字和模擬兩種信號處理技術的長處，在中等精度的雷達和通信系統中得到廣泛應用。CCD還可用作大容量串行存儲器,其存取時間、系統容量和製造成本都介於半導體存儲器和磁盤、磁鼓存儲器之間。

1.2電荷耦合器件的功能及應用

電荷耦合器件具有光電轉換、信號存儲及信號傳輸能力，是一種嶄新的全固體自掃描成像器件。固體成像、信號處理和大容量存儲器是CCD的三大主要用途。各種線陣、面陣像感器已成功地用於天文、遙感、傳真、卡片閲讀、光測試和電視攝像等領域，微光CCD和紅外CCD在航遙空感、熱成像等軍事應用中顯示出很大的作用。CCD 信號處理兼有數字和模擬兩種信號處理技術的長處，在中等精度的雷達和通信系統中得到廣泛應用。CCD還可用作大容量串行存儲器,其存取時間、系統容量和製造成本都介於半導體存儲器和磁盤、磁鼓存儲器之間。

1.3電荷耦合器件的衡量指標

衡量電荷耦合器件好壞的指標很多，有像素數量，CCD尺寸，靈敏度，信噪比等，其中像素數以及CCD尺寸是重要的指標。像素數是指電荷耦合器件上感光元件的數量。攝像機拍攝的畫面可以理解為由很多個小的點組成，每個點就是一個像素。顯然，像素數越多，畫面就會越清晰，如果電荷耦合器件沒有足夠的像素的話，拍攝出來的畫面的清晰度就會大受影響，因此，理論上電荷耦合器件的像素數量應該越多越好。但電荷耦合器件像素數的增加會使製造成本以及成品率下降，而且在現行電視標準下，像素數增加到某一數量後，再增加對拍攝畫面清晰度的提高效果變得不明顯，因此，一般一百萬左右的像素數對一般的使用已經足夠了。

1.4電荷耦合器件的加工工藝

電荷耦合器件的加工工藝有兩種，一種是TTL工藝，一種是OS工藝，市場上所説的電荷耦合器件和CMOS其實都是電荷耦合器件，只不過是加工工藝不同，前者是毫安級的耗電量，二後者是微安級的耗電量。TTL工藝下的CCD成像質量要優於CMOS工藝下的電荷耦合器件。

CDD（Commercial Due Diligence）

首先我們要知道什麼是盡職調查

盡職調查（簡稱DD）是指企業在併購（簡稱M&A）時，買方企業對目標企業進行的經營現狀調查。其目的主要包括以下兩個方面：

收集用於估算目標企業價值的信息

履行管理層應盡義務，收集信息並製作資料以期向股東説明此次併購決策的合理性

掌握企業實際經營狀況，估算企業價值

併購過程中，買方企業需要計算目標企業的價值，並以該價值為基礎展開談判。為了合理估算企業價值，買方企業需要對目標企業的實際經營狀況有準確的瞭解。此時，買方企業一般會進行以下工作：

1.調查目標企業的實際經營狀況（即盡職調查）。

2.基於上述調查結果，估算目標企業價值（即價值評估）。

履行管理層義務

盡職調查一詞來源於英文Due（應行之事）Diligence（努力，勤勉）。併購前仔細調查目標企業正是買方企業理應付出的努力。併購作為企業的重大經營決策之一，買方企業的管理層需要向股東解釋此次併購及併購價格的合理性。正如我們平時在購物時為了做到物有所值，必須要關注商品的質量和功能一樣，在實施企業併購之際也需要對目標企業進行仔細研究。 ^[1] 

Commercial是商業的意思，一般情況下在企業發生併購的時候都會有商業盡職調查這個階段，行業裏大家都被成為Commercial Due Diligence（CDD）

下面是英文的Commercial Due Diligence介紹。

Commercial Due Diligence (CDD) is a kind of service providing a thorough assessment of a target's positioning within its business environment for potential acquirer or collaborator during M&A or Joint Venture transactions. As an essential part of the Due Diligence process, Commercial Due Diligence supports the decision-makers by providing insight on the strategic position, market attractiveness, competitive dynamics, growth opportunities and management team of the target company. The major purpose of conducting a CDD is to strengthen the negotiating position by identifying business risks, addressing valuation. Nevertheless, CDD also contributes to integration and separation planning. ^[2]