何進

何進，男，博士生導師，北京大學教授，深圳系統芯片設計重點實驗室主任，Index Bank全球數據中心首席科學家，國際信息發展組織學術委員會首席科學家，GCAI管理委員會首席科學家，深圳市5G產業聯盟專家委主任兼聯席理事長，灣區數字經濟和科技研究院副院長，深圳灣論壇始創人，深博聯始創人兼會長，深港澳博士專家聯盟聯席主席，少年中國芯工程總指揮，超級中國芯工程首席科學家。 ^[4] 

1988年天津大學電子工程本科畢業，1993和1999年電子科技大學微電子碩士和博士畢業，1999年至2000年北京大學微電子所博士後 ^[5]  。2000年起美國伯克利加州大學EECS訪問學者然後研究員。 2005年回國任北京大學教授，博士生導師，建立納太器件和電路室。 2010年起任北京大學深圳芯片重點實驗室主任，2019年起任職灣區數字經濟和科技研究院副院長。深博聯首任會長，深圳市5G產業聯盟專家委主任兼聯席理事長，深港澳博士專家聯盟聯席主席，少年中國芯工程總指揮，超級中國芯工程首席科學家。國際信息發展組織GCAI指數管理委員會首席科學家，Index Bank全球數據中心首席科學家。曾任香港科技大學客座教授，中科院兼職研究員,廣島大學訪問教授。

先後師從或共事中科院陳星弼院士，王陽元院士，鄭耀宗院士，童慶禧院士，美國工程院胡正明院士，馬佐平院士，盧超羣院士，汪正平院士，英國皇家工程院Michael.G.Somekh院士， 加拿大皇家兩院院士兼科學院院長Jamal Deen院士（中科院外籍，2019），新西蘭皇家工程院Michael Saudres院士， Bell實驗室科學家H.K.Gummel博士等半導體和芯片領域的世界級專家。 曾任半導體芯片廠台積電（松江），華微電子，深愛半導體，方正微電子等的技術顧問；國際知名EDA公司Agilient， Silvaco, Proplus等的技術合作者。國家科技獎和教育部科技獎評審專家，教育部長江學者評審專家和霍英東教師基金及獎勵評審專家，國家自然科學基金面上和重大項目評審專家；中國高新區國際人才發展專項基金評審專家， 北京，江蘇，廣東和深圳科技評審專家，華微電子（上市公司）獨立董事， 穩先微電子首席科學家。

國際集成電路界工業標準CMOS模型BSIM4.3.0主要研發者，模型手冊主要作者，該產品已經被國際半導體工業界廣泛採用，加速了國際社會進入納米和深納米芯片時代並極大地改變了當代普通人的生活。 國際集成電路界工業標準BSIM-FinFET主要研發者之一， 該產品被國際高端智能手機芯片設計廣泛採用，極大地提升了信息生活質量並深刻重塑了芯片產業的發展路徑和影響範圍。 BSIM5首席研究者，模型手冊第一作者，其在2004年被CMC選為下一代工業標準芯片仿真模型的四個備選者之一，國際主流EDA系統均支持BSIM5的電路模擬。 國際主要半導體公司IBM, INTEL, AMD等採用和驗證的BSIMDG模型主要研究人員之一，有關該項工作的成果被髮表在IEEE T-ED 上的綜述文章（IEEE TED-54, pp.131-141, 2007）稱為“何氏模型”，是全世界四個典型代表。

2019年10月27日，參加2019新一代信息技術暨集成電路國際峯會即“新芯峯會”並發表演講。 ^[6] 

2019年12月15日，參加第三屆2019粵港澳大灣區峯會暨區塊鏈-數字經濟創新論壇並發表演講。 ^[7] 

主要研究領域為微納半導體器件技術，半導體芯片EDA技術和先進集成電路設計。

先後參加或主持多個國家973和863項目, 自然科學麪上基金和重點基金項目, 高等學校博士點基金項目, 國防預研項目, 部省產學研項目，深圳基礎研究一般，重點和佈局項目，重點實驗室提升項目，重大科技攻關項目，深港創新圈項目，國際合作項目，美國SRC項目等40多項，且均出色完成課題任務。

指導出站博士後10人，在站博士後1人，畢業博士生6人，碩士生25人。

申請中國發明專利50多項, 獲授權中國發明專利30項和美國發明專利1項，6項專利正在與一些半導體制造公司和芯片設計公司進行co-license。已獲得中國軟件著作權授權22項。

出版中文著作3部，出版英文專著六章節。出版技術手冊兩部: BSIM4.3.0 MOSFET model,user’s Manual和Manualof BSIM5,Version 1.0.在納米CMOS器件物理和模型、新器件結構、工藝技術和電路設計、電路模型和TCAD等方面的研究工作已發表論文500多篇，被SCI收錄近250餘篇，EI收錄250多篇，國際引用或下載超過一萬五千餘次。 其中，期刊論文250多篇（國際期刊英文論文270多篇）， 國內外會議宣讀論文300餘篇, 包括國際學術會議上作60多次特邀報告。

與國內清華大學，復旦大學，天津大學，西安電子科技大學，電子科技大學，中科院微電子所和微系統所，國外美國伯克利加州大學，美國中佛羅里達大學，亞利桑那州立大學，美國奧本大學，日本廣島大學，香港科技大學，香港中文大學，香港城市和理工大學等有過多項科研合作和學術交流。與深圳半導體和IC設計產業界，比如上市公司天馬微電子，瑞聲聲學，研詳智能科技，華微電子，捷普特等和非上市公司方正微電子，深愛半導體，超多維，海泰康微電子，安派電子，芯成電子，電通集團，恩普醫療電子等，有廣泛的產學研合作和技術開發寫作。曾先後出訪和學術交流於美國、日本、加拿大、澳大利亞、波蘭、以色列、希臘、荷蘭、瑞典、新加坡、韓國、中國台灣地區、泰國、馬來西亞等十多個國家和地區的大學和研究院所，並作學術或技術邀請報告60多次。

半導體器件，電路模擬和模型工程-ULTRA創立者。少年中國芯工程始創人兼總指揮，超級中國芯工程始創人兼首席科學家。2006年和2010年獨立並勇敢地在中國提出發展具有自主知識產權的EDA工具兩大支柱（Roots）：芯片仿真器China-SPICE 和模型系統PUNSIM, 道路雖曲折矢志不移，數10年堅守丹心永恆。在北京大學發展的ULTRA-SOI在2008年5月被CMC選為SOI集成電路技術下一代工業標準芯片仿真模型的四個備選者之一，發展的ULTRA-FinFET在20012年5月被CMC選為FinFET集成電路技術下一代工業標準芯片仿真模型的兩個備選者之一，成為中國微電子為數不多的有國際影響力的成果。提出納米CMOS參數提取新技術，被髮表在Microelectronics Reliability(MER-42, pp.583-596, 2002)上有關閾值電壓的綜述文章稱為“何氏方法”，為近年來11種典型方法之一。完成有世界水平的納米CMOS器件完整表面勢方程和解析解，研發了國際上有代表性的納米MOSFET表面勢模型。在國際微電子學術界獨創非傳統CMOS器件及電路建模的載流子理論和方法，成功應用到場效應納米器件中。在微電子學術界和工程領域取得的系列成果享有國際聲譽，領導的小組是目前納米器件物理和電路模型研究最富活力的團隊之一。入選2008-2009年度“Marquis Who's Who”名人錄科學與技術分冊。

分別主辦2015年，2017年和2019年三屆新一代信息技術科技創新高層論壇，發起2017年新一代信息技術亞太創新論壇，籌劃並實現2017年和2018年粵港澳大灣區創新發展論壇，2017年和2018年硅谷對話粵港澳大灣區論壇等，與國家外專局中國國際人才交流基金會聯合籌辦2018年和2019年北京，南京，青島和深圳集成電路國際高峯論壇，在海內外產生廣泛影響。

籌備和成立深圳市戰略性新興產業博士專家聯誼會並任首任會長。相關成就和事蹟曾被中國國際廣播電台，科學網，深圳特區報，人民日報海外版等媒體報道。

(1)2019年少年中國“芯”工程粵港澳大灣區IT創新大賽一等獎；

(2)2017年深圳市雙創大賽電子行業團隊組一等獎，總決賽二等獎；

(3)2015年IEEE ASQED優秀論文獎；

(4)深圳市2014年自然科學二等獎（全市一共5個自然科學獎）：個人排名第一；

(5)深圳市2013年自然科學二等獎（全市一共5個自然科學獎）：個人排名第一；

(6)深圳市2009年科技創新獎（高校科研單位排名第一），個人排名第一；

(7)2005年12月被評為“第三批北京大學優秀博士後”；

(8)2002年SCI論文收錄電子學領域全國第一名；

(9)信息產業部科技進步獎: High speed CMOS/SOI circuitresearch, 2001( 張興, 黃如, 何進, 於民, 等: 排名第3)；

(10)信息產業部科技進步獎: Research of SOI new materialsand new device, 2001(黃如, 張興,於民, 何進等:排名第4)；

(11)1999年中國電子學會元件分會第一屆江海杯“電子元件與材料”優秀論文二等獎。

IEEE IETA大師課, 國際期刊“ Recentpatent in Engineering”和“Open nano science journal”編委員會成員；國際重要期刊IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron device letters,Solid-Sate Electronics, IEE Circuits, Devices and Systems, IEEE Circuits &Devices Magazine， Physical B，Chinese Physics Letter等的文章評審人；國際研究項目"Nano-DeviceModeling Initiative"主要成員；國際會議ISQED， ASQED， ICSICT，EDSSC的TPC和EDA評審委員會成員; 國內中國科學E，電子學報，半導體學報等的文章評審人；國內期刊“微納技術”常務理事；教育部留學回國人員啓動基金評審專家, 春輝計劃“VLSI”技術專項評審專家；國家自然科學基金評審專家，教育部長江學者評審專家，國家科技獎勵評審專家。

1984年9月至1988年7月:天津大學電子工程系電子材料與元器件專業,本科生;

1990年9月至1993年4月:電子科技大學微電子與固體電子學專業,碩士生;

1996年9月至1999年9月:電子科技大學微電子專業,博士生，導師陳星弼院士；

1999年9月到2000年8月：北京大學微電子所博士後，合作者王陽元院士；

2000年12月到2001年12月：美國伯克利加州大學訪問學者， 合作者胡正明院士。

2019年2月起到現在：進入灣區數字經濟和科技研究院任職副院長，負責傳感和芯片相關工作。

2010年1月到現在：進入北京大學深圳系統芯片設計重點實驗室任職主任，全面負責實驗室的日常管理和科研項目工作。

2006年7月到2006年12月：以香港人才輸入計劃的方式到香港科技大學電子和計算機工程系陳文新教授小組合作研究，集中在FinFET的物理研究和工藝優化上。

2005年8月到現在：以正教授身份在北京大學微電子學系建立納太器件和電路研究小組從事納米CMOS器件和電路CAD方面的工作，研究和發展納米器件新模型和電路模擬工具和麪向非傳統CMOS的器件物理研究和新模型發展。

2000年12月至2005年8月：以訪問學者和研究員身份在美國BERKELEY加州大學EECS系與美國工程院院士，台灣中研院院士，中科院外籍院士，世界著名微電子學家胡正明教授合作，發展下一代的工業標準芯片仿真模型BSIM5和BSIM-FinFET。該研究得到美國SRC專項資金的資助.已經於2004年10月提供給TI，IBM，INTEL，TSMC，CADENCE等國際大公司使用，是下一代國際工業標準模型強有力的競爭者。

2000年8月-2000年12月：以副教授身份在北京大學微電子所王陽元院士小組從事新器件結構和物理研究方面的工作。在此期間，提出了納米MOSFET器件的創新SON技術方案和厚膜全耗盡SOI-MOSFET結構。

1999年9月-2000年5月：以博士後身份在北京大學微電子所從事超深亞微米MOSFFET表徵工作。該工作是北京大學微電子所與Motorola的第二個合作研究項目，提供給Motorola仿真分析軟件R-G-1，並提出了創新的分析MOSFET各項特性的Gated-Diode技術。

1993年4月-1996年8月：以工程師的身份在成都市宏明無線電廠從事非線性介質的研製工作，完成Z5U和Z5V電子瓷料的研製和定型。發明新電熱薄膜材料也用於產品生產。

1988年9月-1990年8月：以助理工程師身份在719廠生產線上從事技術管理工作。

先後主持或參加了兩個973項目子課題，一個863重點項目子課題，多個自然科學麪上基金和一個重點基金、一個高等學校博士點學科基金，三個國家預研，3個美國SRC，4個國際合作等項目40多項，均出色完成課題任務，取得了一批有國際水平的科研成果. 具體情況如下:

1.國家自然科學基金：硅溝道納米DG-TFET器件物理，模擬模型和電路設計技術研究（61574005）：2016-2019，課題負責人，在研。

2.國家自然科學基金： 硅基芯殼結構納米MOS器件基礎研究： 2012-2015, 課題負責人，已結題。

3.國家自然科學基金：適應納米尺度CMOS集成電路DFM的ULTRA模型完善和偏差模擬技術研究(60976066)：2010.1-2012.12，項目負責人，已結題。

4.國家自然科學重點基金：納米CMOS器件可靠性退化，失效物理機制和預測模型研究(60936005)：2009.1-2012.12，子項目負責人，已結題。

5.國家自然科學基金：納米FinFET模型和電路設計技術研究(60876027): 2009.1-2011.12，項目負責人，已結題。

6.國家自然科學基金：用於SOC設計的新一代先進納米級CMOS器件仿真模型研究(90607017): 2006.7-2008.12，項目負責人，已結題，被評為優秀。

7.國家自然科學重點基金：90納米以下高性能CMOS圖像傳感器關鍵技術研究

(61036004)：2011.1-2014.12，子項目負責人，已結題。

8.高等學校博士點學科基金：芯殼結構納米CMOS器件基礎研究(200800010054): 2008.1-2010.12，項目負責人，已結題。

9.科技部863重點項目：PCM存儲器件技術研究（2008AA031402）子課題 (PCM模型和電路模擬技術研究): 2008.1-2010.12，項目負責人，已結題。

10.教育部留學回國人員啓動基金項目：“超薄體(Ultra-Thin-Body:UTB)SOI-MOSFET器件的理論研究和集約模型發展 ”2007.1-2007.12：項目負責人，已結題。

11.總裝備部預研項目：“軍用MPW技術與高可靠CMOS建模建庫技術研究”（51308010605）：2006.1-2010.12，項目負責人之一，已結題。

12．總裝備部預研項目：“新結構SOI功率器件研究”（51308010605）：2006.1-2010.12，項目負責人，已結題。

13.北京市科委重點項目：“130-90納米MOS器件模型開發及其參數庫建設”（D0305004040121-1-01）：2005年7月至2007年12月，子項目負責人之一，已結題。

14.國家重點基礎研究發展計劃（973）項目“納米尺度硅集成電路器件與工藝基礎研究”子項目“新一代集成技術基礎問題研究”（ 2006CB302704）：2006.9-2010.9：主要研究成員，已結題。

15.國家重大基礎研究項目(973)子項目: 20-50納米CMOS器件、結構及相關物理問題研究(G2000365-01: 2000.9-20005.9: 科技部)，主要研究人員，已結題。

16."九五"部委科研項目：高速CMOS/SOI電路研究(1995-2000)，主要研究人員，結題。

17.“九五”部委科研項目：SOI新材料、新器件研究(1995-2000)，主要研究人員，已結題。

18.國際合作項目"Nano-DeviceModeling Initiative"(2006.1-2008.1):香港科技大學子項目組主要成員，已結題。

19.國際聯合項目(北京大學與Motorola公司)：亞0.1微米SOI新結構器件研究(MSPSESTL-CTC9903: 1999-2000年)，主要研究人員，已結題。

20.國際聯合項目(北京大學與Motorola公司)：SOI界面陷阱及體陷阱的表徵(MSPSDDLCHINA-0004: 2000-2001年)，項目主持人，已結題。

21.教育部春暉計劃VLSI項目：“納米集成電路設計方法和預言性模型研究”:與美國ARIZON州立大學教授KEVIN合作，2008.5-2008.10，國際合作，已結題。

22.北京大學985項目“THZ半導體器件基礎研究”2006.1-2008.12，項目主持人，已結題。

23.美國SRC項目：BSIM for 50nm MOSFETs(SRC2000-NJ-795.001:1999.9-2002.9)，主要研究人員，已結題。

24.美國SRC項目：Compact modeling of double-gate MOSFETs(SRC2002-NJ-1001:2002.9-2005.9), 主要研究人員，已結題。

25.美國SRC項目(TI，INTEL，AMD，IBM支持): BSIM Next Generation Model Researchand Development: Surface-Potential-Plus( SRC2003-NJ-1149: 2003.12-2006.12)，項目主持人，已結題。

26.美國SRC項目：Extension of BSIM3/4(SRC2003-NJ-795.001: 2002.9-2005.9)，24萬美元，主要研究人員，已結題。

27.2010深圳市重點實驗室提升項目；納米ULTRA模型的完善和偏差技術研究， 2011.1.1-2013.12，項目主持人，已結題。

29.2011深圳市重點項目：深納米CMOS 與納電子器件的解析電路模型建模方法學研究，2014.1.1-2016.12，項目主持人，已結題。

30.2010深圳市重大產業技術攻關計劃：IGBT集成芯片研發及產業化（方正微合作），2011.1-2014.12， 項目負責人，已結題。

31.2010深圳市國際合作：雙柵納米FINFET 的器件物理,模擬模型和電路設計技術研究，2011.1-2013.12，項目負責人，已結題。

32.2011省產學研：高導熱鋁基線路板的研發及產業化（博羅康佳合作），2011.1-2012.12，負責人之一，已結題。

33.2014深圳市基礎研究一般項目：綠色微電子學和先進集成電路設計基礎關鍵技術，2014.6-2016.12， 負責人之一，已結題。

34.2016年深圳市佈局項目：超低功耗T-FinFET關鍵技術,2017.1-2019.6：項目負責人，在研。

35.2017年深圳市佈局項目： 高可靠大功率和高頻GaN關鍵技術，2018.6-2020.6　項目負責人，在研。

36.2017年深圳自由探索項目：面向芯片應用的石墨烯器件和電路SPICE模型，2017.6-2019.6： 項目負責人， 在研。

37．廣東省產學研項目：MPW技術與高可靠CMOS建模建庫技術研究， 2011.1-2014.12， 負責人之一，已結題。

38．廣東省產學研項目：1700V高性能IGBT功率芯片關鍵技術研究， 2012.1-2014.1，負責人之一，已結題。

39.深港創新圈項目：面向新型平板顯示的薄膜晶體管器件關鍵技術研究（香港科技大學和天馬微電子）：2015.6-2017.12， 項目負責人，已結題。

40.深港創新圈項目：基於納米光學原理的先進顯示與成像器件關鍵技術研發（香港中文大學與超多維光電子）：2014.6-2016.12，項目負責人，已結題。

41.深港創新圈項目：用於miRNA分析的先進便攜式SPR檢測平台關鍵技術研發（香港理工大學與恩普醫療電子）:2013.6-2015.12，項目負責人，已結題。

42.深圳市南山區科創項目：少年中國“芯”工程精品課程，深圳市南山區科協，2019-2020，項目總指揮，在執行。

43.深圳南山區科協項目：少年中國“芯”，強基復興夢，2019年深圳市南山區全國科普啓動儀式主體工程，項目總指揮，項目總指揮，完成。 ^[6] 

2021年9月28日下午舉行的第十屆五洲工業論壇上，就芯片國產自主可控問題，北京大學深圳系統芯片設計重點實驗室主任何進教授表示，近幾年，從材料到設備、工藝技術等，我國的芯片全產業鏈有了巨大進步，每年複合增長率超過30%。他表示，科創板的創立，背後就是要推動芯片產業的發展，中國尤其是深圳，是全球終端的集散地。終端需求是巨大推動力，雖然過去我國底子薄弱，但進步快，樂觀估計，10年左右國產芯片能夠基本上滿足國內需求，15年後可能對外有大量的供應。 ^[8-9]