胡正明

1947年7月12日，胡正明出生於中國北京，祖籍江蘇省金壇市城西馬乾村 ^[5]  ，之後前往台灣。

胡正明(7張)

1968年，從台灣大學電機工程系畢業。

1969年，赴美國留學，進入加州大學伯克利分校學習。

1970年，從加州大學伯克利分校研究生畢業，獲得碩士學位。

1973年，從加州大學伯克利分校研究生畢業，獲得博士學位。之後前往麻省理工學院任助理教授。

1976年，任教於加州大學伯克利分校電子工程與計算機科學系。

1985年，應嚴東生院士邀請，胡正明等三位美國科學家提出了發展中國微電子科學技術的戰略性的重要諮詢建議 ^[1]  。

1989年—1991年，擔任舊金山東灣中文學校董事長。

1996年，創辦思略微電子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事長。

1997年，當選為美國國家工程院院士。

2001年—2004年，擔任台積電（台灣積體電路製造股份有限公司）首任技術執行長，兼任加州大學伯克利分校台積電傑出講座教授。

2004年，回到加州大學伯克利分校任教。

2007年，當選為中國科學院外籍院士 ^[3]  。

2008年，擔任閃迪公司（SanDisk）董事。

2014年3月，入選第四冊《院士中的常州人》 ^[6]  。

2017年，加入台灣交通大學半導體學院 ^[4]  。

胡正明的主要科技成就為：領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的複雜物理推演出數學模型，該數學模型於1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具 ^[1]  。1999年開發出了鰭式場效應晶體管（FinFET） ^[7]  。

胡正明從1981年以來與電子科技大學、中國科學院微電子所、北京大學、清華大學、復旦大學、浙江大學等校進行合作研究並作學術講座，協助推動在中國召開國際會議 ^[1]  。

胡正明認為創新人才的培育，更精確地説，應該是培養能夠解決問題的人才，要成為“解決問題者”所需具備的特質包括：喜歡解決問題、願意學取新知、願意努力工作，以及對自己有信心等，這些都是讓自己成為“解決問題者”的關鍵因素。 如此才能成就一項項的創新，無論是發明前所未有的事物，或是解決一件過去難以突破的難題。他強調，年輕人最重要的就是要有自信，“別人真心稱讚你時，你要欣然接受；別人的讚美似乎不太誠懇時，你也要強迫自己相信，總而言之，你要利用每一次的機會增強自信，甚至，當沒有別人讚賞你時，你也要肯定自己。 ”事實上，在不同場合中，胡正明皆多次提到肯定自己的重要性，“要對自己有信心，如此才有能量一步一步解決更困難的問題。 ” ^[7] 

胡正明是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發及未來的微型化做出了重大貢獻 ^[1]  。（中國科學院評）

胡正明在學術界和產業界都繳出亮眼成績，是因為勇於探索未知，讓他能夠跨越學術、產業間的藩籬，優遊在這兩個領域之中；並常保好奇之心，所以從未停止學習，更難得的是胡正明始終保有謙和的初心，這使他能廣為接納新知識、新技術 ^[7]  。（台灣清華大學原校長劉炯朗評）

1990年胡正明在北京大學與清華大學設置五名研究生獎學金，並鼓勵中國留學生回國發展半導體工業 ^[1]  。

1997年4月，胡正明與父親胡素鴻先生、弟弟胡正大博士在金壇市第一中學設立胡氏獎助基金，用以獎勵每屆高中畢業生中品學兼優、家境較差而有志升大學者 ^[6]  。