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陳星弼

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陳星弼（1931年1月28日-2019年12月4日），出生於上海，原籍浙江浦江，半導體器件物理學家，微電子學家，九三學社社員，中國科學院院士，生前是電子科技大學教授、博士生導師。 [1]  [3] 
陳星弼1952年畢業於國立同濟大學電機系；1953年任教於南京工學院無線電系；1959年任教於成都電訊工程學院；1983年任教於電子科技大學微電子科學與工程系；1999年當選為中國科學院院士；2019年12月4日在成都逝世，享年89歲。 [1]  [3] 
陳星弼長期致力於功率半導體器件的研究。 [8-9]  [12] 
中文名
陳星弼
國    籍
中國
民    族
漢族
出生地
上海
出生日期
1931年1月28日
逝世日期
2019年12月4日
畢業院校
同濟大學
職    業
教育科研工作者
主要成就
1999年當選中國科學院院士
籍    貫
浙江浦江

目錄

  1. 1 人物生平
  2. 2 主要成就
  3. ▪ 科研成就
  1. ▪ 人才培養
  2. ▪ 榮譽表彰
  3. 3 社會任職
  4. 4 個人生活
  1. 5 人物評價
  2. 6 人物影響

陳星弼人物生平

陳星弼（前排中）與部分高中同學合影（1945年） 陳星弼（前排中）與部分高中同學合影（1945年）
1931年1月28日，陳星弼出生於上海。
1946年，轉讀上海敬業中學。
1952年，從同濟大學電機系畢業被分配至廈門大學電機系當助教。
1953年，轉到南京工學院無線電系（現東南大學信息科學與工程學院）任講師。
1956年，到中國科學院應用物理研究所進修半導體。
1959年，任教於成都電訊工程學院（現電子科技大學）。
1969年，到773廠支援研製氧化鉛攝像管。
1980年，到美國俄亥俄州大學做訪問學者。
1981年，轉到加州大學伯克利分校，進行新型半導體功率器件的研究。 [2] 
1983年，任電子科技大學微電子科學與工程系系主任。 [8] 
1984年6月，任微電子研究所所長。 [5] 
1993年，到加拿大多倫多大學做訪問學者。
1994年，到英國斯旺西大學做訪問學者。 [5] 
1999年，當選為中國科學院學部委員（院士）。
2001年，加入九三學社。
2019年12月4日，在四川成都逝世，享年89歲。 [2] 

陳星弼主要成就

陳星弼科研成就

  • 科研綜述
陳星弼在伯克利校門前留影（攝於1981年） 陳星弼在伯克利校門前留影（攝於1981年）
陳星弼於20世紀50年代末對漂移晶體管的存貯時間問題在國際上最早作了系統的理論分析。提出新的電荷法基本方程、不均勻介質中鏡象電荷方程等。20世紀80年代以來，從事半導體電力電子器件的理論與結構創新方面的研究。從理論上解決了提高p-n結耐壓的平面及非平面工藝的終端技術問題，作出了一些理論分析解。在解決MOS功率管中降低導通電阻與提高耐壓之間的矛盾問題上作出了系列貢獻。發明了耐壓層的三種新結構，提高了功率器件的綜合性能優值，其中橫向耐壓層新結構在製備工藝上與常規CMOS和BiCMOS工藝兼容，有利於發展耐高壓的功率集成電路。 [28] 
  • 學術論著
晶體管原理與設計(第2版) 晶體管原理與設計(第2版)
1959年，陳星弼首篇論文《關於半導體漂移三極管在飽和區工作時的儲存時間問題》發表於《物理學報》；之後還寫出了《論晶體管電荷控制法的基礎》《一維不均勻媒質中的鏡像法》《表面複合的漂移及擴散運動的影響》《小注入下晶體管I_c-V_（BE）特性的指數因子的研究》等論文；出版了《半導體物理》上下兩冊，《固體物理》《晶體管原理》《晶體管原理與設計》及《功率MOSFET與高壓集成電路》等專著；在《物理學報》《半導體學報》《IEEE Trans. on E.D,Solid-State Electrinics,International Journal of Electronics 》等刊物發表多篇論文；截至2019年12月，在IEEE TED、IEEE EDL、SSE等期刊及ISPSD等會議上發表了超過130篇學術論文，著作8部，譯著2部及其它文獻等； [1-2]  [12]  [23]  部分論著參考如下：
[1]陳星弼.p-n+結有場板時表面電場分佈的簡單表示式[J].電子學報,1986(01):36-43. [13] 
[2]陳星弼.場限環的簡單理論[J].電子學報,1988(03):6-10. [14] 
[3]陳星弼.MOS型功率器件[J].電子學報,1990(05):97-105. [15] 
[4]張波,陳星弼,李肇基.JTE結的二維電場分析[J].半導體學報,1993(10):626-632. [16] 
[5]何進,陳星弼,楊傳仁,王新.直接鍵合硅片的親水處理及其表徵[J].半導體技術,1999(05):23-25+29.DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.1999.05.007. [17] 
[6]何進,王新,陳星弼.基於SDB技術的新結構PT型IGBT器件研製[J].半導體學報,2000(09):877-881. [18] 
[7]楊洪強,郭麗娜,郭超,韓磊,陳星弼.具有電阻場板的薄膜SOI-LDMOS的精確解析[J].半導體學報,2003(09):977-982. [19] 
[8]潘飛蹊,陳星弼.一種Boost型PFC變頻控制電路的簡單實現方案[J].電力電子技術,2004(01):30-32. [20] 
[9]潘飛蹊,陳星弼.高功率因數Boost變換器電流滯環控制的一種簡單實現方案[J].電子學報,2004(08):1330-1333. [21] 
[10]陳星弼.超結器件[J].電力電子技術,2008,42(12):2-7. [22] 
  • 發明專利
陳星弼在查閲資料 陳星弼在查閲資料
截至2019年12月，陳星弼申請中國發明專利20項（已授權17項）；申請美國發明專利19項（已授權16項，另有兩項已通知準備授權）；申請國際發明專利1項；他提出超結耐壓層理論，超結髮明專利打破傳統“硅極限”，該發明專利實現產業化，超結器件在全球市場年銷售額超過10億美元。 [1-2] 
  • 學術交流
時間
學術活動名稱
1964年
第二屆四川省電子學會年會 [2] 
1989年
第六屆全國半導體集成技術與硅材料學術年會 [2] 
1991年
第七屆全國半導體集成技術與硅材料學術年會 [2] 
1998年
第二屆中國西部地區微電子技術年會 [2] 
2005年
第十六屆全國電源技術年會 [2] 
  • 科研獎勵
截至2019年12月，陳星弼獲國家發明獎及科技進步獎2項，省部級獎勵13項，部分獲獎如下： [2] 
時間
獲獎項目
獎勵名稱
2015年
高壓功率MOSFET理論與設計
國際功率半導體先驅獎 [6] 

陳星弼人才培養

  • 教學獲獎
2018年，教學成果“電子信息硬件類創新人才的‘兩融合、三互動、四訓練’培養模式構建與實踐”獲中華人民共和國教育部高等教育國家級教學成果二等獎。 [7] 
1990年出版教材《功率MOSFET與高壓集成電路》獲電子部教材一等獎。 [23]  [29] 
  • 講授課程
陳星弼院士作《做人與成才》講座 陳星弼院士作《做人與成才》講座
陳星弼從教以來曾講授過十門以上不同課程，在校期間，負責籌建了相應的學科梯隊和實驗室，參與申報碩士、博士點，併為半導體所的研究生、本科生講解《半導體集成電路》和《半導體工藝》等課程。 [5]  [23]  講授量子力學，還開設了《半導體器件物理》《半導體器件的數值計算方法》《功率MOS》等新課。 [27] 
  • 素質教育
陳星弼重視對理工科學生人文素質的培養，經常節選古文讓學生誦讀，語言文學能促進思維，增強表達，對科研及思維的開拓有用。陳星弼希望學生對專業以外的知識兼收幷蓄，全面發展。 [26] 

陳星弼榮譽表彰

時間
榮譽表彰
1991年
國務院特殊津貼 [2] 
1997年
電子工業部優秀教師獎 [2] 
1998年
全國優秀教師 [2] 
1998年
四川省學術技術帶頭人 [2] 
1998年
成都市勞動模範 [2] 
1999年
中國科學院院士 [4] 
2015年
國際功率半導體先驅獎 [4] 
2018年
首屆IEEE ISPSD（國際電氣與電子工程師協會）名人堂 [4] 
2018年
立德樹人成就獎 [10] 
2019年
美國IEEE（國際電氣與電子工程師協會）高級終身會員 [2]  [12] 
2021年
四川百年百傑科學家 [11] 

陳星弼社會任職

時間
擔任職務
1992年—1994年
加拿大多倫多大學客座教授 [23] 
1994年—1995年
英國威爾斯大學天鵝海分校電子工程系客座教授 [23] 
2009年
第六屆四川省科學技術顧問團顧問 [12]  [25] 

電子工業部第十三所專用集成電路國家級重點實驗室學術委員會主任委員 [12] 

中國國家自然科學基金評審員 [26] 

美國紐約科學院半導體學報編委 [23] 

中國電子學會半導體與集成技術委員會委員 [23] 

中國電子學會四川省分會理事兼半導體與集成技術分會主任委員 [23] 

國際SSICT程序委員及分會主席及一屆中德友好電子周分會主席 [23] 

陳星弼個人生活

  • 家庭背景
陳星弼肖像 陳星弼肖像
陳星弼出生於官宦之家。祖父曾為清朝武舉人，父親陳德徵就讀於杭州之江大學化學系，母親徐呵梅是浙江餘姚人，在上海大學讀文學。 [26] 
  • 婚姻家庭
陳星弼妻子唐俊奇，為成電一系教師。 [5]  兩人育有一子，在美國從事科研工作。 [26] 

陳星弼人物評價

陳星弼在學術會議上發言 陳星弼在學術會議上發言
“陳院士（陳星弼）的發明是中國人民的智慧瑰寶，也是全世界人民的共同智慧財產，該專利發明標誌着半導體功率器件發展進入了一個叫作‘超級結’功率器件的新時代。”（美國德克薩斯大學電子工程系終身正教授周電評） [27] 
“在功率器件領域，他（陳星弼）曾通過出色的研究工作單槍匹馬讓中國的研究進入國際學術舞台。與我們現在的科研條件相比，他是在資源極其有限的情況下實現這一巨大成就的。”（加拿大科學院院士、前院長，中國科學院外籍院士Jamal評） [27] 

陳星弼人物影響

  • 教育發展基金
2020年7月16日，陳星弼·科道芯國教育發展基金在電子科技大學成立，成立該基金是向陳星弼表達景仰和緬懷之情，鼓勵科研人員在微電子領域努力耕耘、認真實踐，做出更大的貢獻。 [24] 
參考資料
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