陳平

中國科學院半導體研究所副研究員 ^[1]  。

1，III族氮化物的MOCVD外延生長動力學過程；

2，氮化鎵基大功率紫光激光器的研製；

3，氮化鋁冷陰極材料的場發射特性及器件應用 ^[1]  ；

主要從事III族氮化物光電子材料的外延生長及器件應用研究，取得的學術成績包括：1.提出了一種由非摻雜複合波導層代替p型摻雜波導層的新型激光器結構，理論計算及實際測試表明可以有效地降低光場吸收損耗和電子泄漏電流；2.在前期對GaN材料非線性光學性質的研究基礎上，提出了在高階光學性質的測量過程中外加電場對材料的光學參數的影響機制；3.基於AlN材料的負電子親和勢特性，開展了AlN冷陰極的電子發射特性研究，有望作為電子源獲得實際應用 ^[1]  。

主持國家自然科學基金青年項目、面上項目和中科院知識創新工程項目各一項；在Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.等學術期刊上發表文章20餘篇，是APL、JAP等國際期刊的審稿人 ^[1]  。