陳健

陳健，博士、中國科學院合肥物質科學研究院研究員。主要從事新材料的理論研究與製備和應用技術開發。在Al-Si合金法提純硅料的理論研究中，提出了表觀偏析係數的概念和計算方法並用於提純動力學的研究，證明了動力學因素是控制提純效率的一個關鍵參數，在該理論的指導下，通過研究提純時的温度場，熔體流場，電磁場以及雜質元素的耦合交互作用，進一步發現了幾種新的提純機制，關鍵雜質元素B和P的提純效率得到大幅度提高，均刷新了行業的記錄並突破了Al-Si-X三元體系熱力學提純效率理論極限，為太陽級硅料生產核心技術的突破打下了堅實基礎。在加拿大6N Silicon Inc.工作時發明了Al-Si合金法提純硅料時初晶硅高效分離及副產品綜合利用技術，使生產成本大幅度降低，在世界上首次實現Al-Si合金法提純硅料技術的產業化生產，該技術在加拿大獲得多個獎項和北美主流媒體的廣泛關注和報導。開發的熱處理技術能夠減小Al-Mg合金的時效軟化效應，在生產中每年能夠節省大量的鋁合金；開發的磁性形狀記憶合金在美國海軍的某型號戰術巡航導彈飛行姿態控制裝置和加拿大海軍海底潮流能量捕獲裝置上試用。 ^[2] 

1995年獲中國科學院金屬研究所博士學位, 其後在多家科研機構和公司從事科研工作 ^[1]  。

1995-96年韓國機械研究院，客座研究員，

1996-98年中南大學粉末冶金研究所副研究員，

1998-2000年美國肯塔基大學博士後，

2000-02年美國SECAT公司材料工程師，

2002-05年加拿大Dalhousie大學博士後，

2005-07年，加拿大國防研發部材料室研發科學家，

2007-2011年，加拿大6N Silicon公司研發科學家。

2011年到中國科學院等離子體物理研究所擔任研究員。

太陽能級硅提純 ，主要研究領域為硅合金低温熔體的凝固理論，硅料的熔鍊提純理論和技術，太陽能級硅料的測試分析和表徵研究，低成本Si-Al低温合金法提純太陽能級硅的技術開發。

成功地開發出了多項技術和產品，例如開發的熱處理技術能夠大幅度減小Al-Mg合金的時效軟化效應，每年能夠節省大量的鋁合金；

開發的NiMnGa磁性形狀記憶合金正在導彈飛行姿態控制和海底洋流能量捕獲方面試用；

發明的冶金法太陽能級硅料生產技術已經實現大規模工業生產。

另外還發表論文40餘篇，並獲得多項專利.

1. Jifei Sun, Qiuxiang He, Boyuan Ban, Xiaolong Bai, Jingwei Li, Jian Chen, Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot, Journal of Crystal Growth, 458 (2017) 66–71

2. Xiaolong Bai, Boyuan Ban, Jingwei Li, Zhiqiang Fu, Zhijian Peng, Chengbiao Wang, Jian Chen, Effect of Ti Addition on B Removal during Silicon Refining in Al-30%Si Alloy Directional Solidification, Separation and Purification Technology, 174(2017)345–351

3. Jingwei Li, Boyuan Ban, Yanlei Li, Xiaolong Bai, Taotao Zhang, Jian Chen, Removal of impurities from metallurgical grade silicon during Ga-Si solvent refining, Silicon, 9 (2017): 77-83

4. Yanlei Li,Jian Chen, Songyuan Dai, Effectof iron addition (up to 10000 ppmw) on silicon purification during Al-Si solvent refining, Journal of Crystal Growth, 453 (2016):49-53

5. Boyuan Ban, Xiaolong Bai, Jingwei Li, Jian Chen, Songyuan Dai, Effect of kinetics on P removal by Al-Si solvent refining at low solidification temperature, Journal of Alloys and Compounds,Volume 685, 15 November 2016:604-609

6.Boyuan Ban, Jingwei Li, Xiaolong Bai, Qiuxiang He, Jian Chen, Songyuan Dai, Mechanism of B removal by solvent refining of silicon in Al–Si melt with Ti addition, Journal of Alloys and Compounds, Volume 672, 5 July 2016: 489-496

7. Xuepeng Liu, Fantai Kong, Zhan'ao Tan,Tai Cheng, Wangchao Chen, Ting Yu,Fuling Guo, Jian Chen,Jianxi Yao,Songyuan Dai,Diketopyrrolopyrrole or benzodithiophene-arylamine small-molecule hole transporting materials for stable perovskite solar cells, RSC Adv.,6 (2016) 87454-87460

8.Yanlei Li, Boyuan Ban, Jingwei Li, Taotao Zhang, Xiaolong Bai, Jian Chen and Songyuan Dai, Effect of Cooling Rate on Phosphorus Removal During Al-Si Solvent Refining, Metallurgical and Materials Transactions B, 2015, 46(2): 542-544

9. Boyuan Ban, Yanlei Li, Qiuxia Zuo, Taotao Zhang, Jian Chen, Songyuan Dai, Refining of metallurgical grade Si by solidification of Al–Si melt underelectromagnetic stirring, Journal of Materials Processing Technology, 2015, 222:142-147

10.Boyuan Ban, Xiaolong Bai, Jingwei Li, Yanlei Li, Jian Chen, and Songyuan Dai, The Mechanism of P Removal by Solvent Refining in Al-Si-P System, Metallurgical and Materials Transactions B, 2015, 46: 2430-2437

11.Xiaolong Bai, Jingwei Li, Zhiqiang Fu, Yanlei Li, Boyuan Ban, Taotao Zhang, Zhijian Peng, Chengbiao Wang and Jian Chen, Distribution of Al in Al–Si Alloys during electromagnetic continuous casting with cylindrical open ended crucible, International Journal of Cast Metals Research, 28, (2015), 269-275

12. Yanlei Li, Jian Chen, Boyuan Ban, Taotao Zhang and Songyuan Dai, Effect of Cooling Rate on Boron Removal and Solidification Behavior of Al-Si Alloy. High Temperature Materials and Processes， 2015, 34(1): 43-49

13.Jingwei Li, Xiaolong Bai, Yanlei Li, Boyuan Ban, Jian Chen, Effect of Ga addition on morphology and recovery of primary Si during Al-Si alloy solidification refining. High Temperature Materials and Processes, 2015, 34(8): 833-838

14. M. Wang, X. Pan, J. Chen, S. Dai, Regulating the mesogenic properties of imidazolium salts by modifying N3-substituents, Science China Chemistry, December 2015 Vol.58 No.12: 1884-1890

15. 何秋湘，李京偉，孫繼飛，白梟龍，熊震，陳健，摻Sn對定向凝固多晶硅位錯及少子壽命的影響，人工晶體學報，2016, 4(56), 1458-1464

16. 何秋湘, 李京偉, 白梟龍, 孫繼飛, 班伯源, 劉加威, 陳健, 摻Sn改善UMG-Si鑄錠中鐵對少子壽命的影響作用, 材料導報, 2016, 30(9), 20-25

(1) Use Of Acid Washing To Provide Purified Silicon Crystals, 2009, 專利號: WO2009012583

(2) 利用Al-Si合金熔體連鑄硅提純裝置及方法, 2014, 專利號: 2014102552622

(3) 電磁攪拌硅合金熔體硅提純裝置及方法, 2014,專利號: 2014102579911

(4) 一種對Al-Si合金通氣處理快速去除硅中磷的方法, 2014, 專利號: 201410758093.4

(5) 一種對Al-Si合金通氣處理快速去除硅中硼的方法, 2014,專利號: 201410758258.8

(6) 一種從硅合金熔體中半連續結晶提純硅的方法, 2014,專利號: 201410084115.3

(7) 一種用合金法高效去除硅中的磷的方法, 2014,專利號: 201410207011.7

(8) 一種利用Al-Si合金機械攪拌去除Si中雜質P的方法, 2014, 專利號: 201410758294.4

(9) 一種低温去除硅中硼磷的方法, 2013,專利號: 201310637020

(10) 一種摻錫冶金多晶硅鑄錠的製備方法, 2016, 專利號: 201610298900.8 ^[3]