海力士

海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士。

2012年更名SK hynix。

海力士半導體在1983年以現代電子產業有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣佈收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠。

2019年9月5日，據韓國《中央日報》報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料後，SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。 ^[1] 

2022年8月，媒體報道，海力士計劃在美國新建先進芯片封裝廠，預計2023年第一季度破土動工。 ^[23] 

2022年10月27日，海力士同意加入開放創新平台 3D Fabric 聯盟，推動 3D 半導體發展。 ^[25] 

2023年7月4日消息，繼 Nvidia 之後，全球多個科技巨頭都在競購 SK hynix 的第五代高帶寬內存 HBM3E；HBM3E 是當前 HBM3 的下一代產品，而 SK 海力士是目前世界上唯一一家能夠大規模生產 HBM3 芯片的公司，因此其他廠商想要購買 HBM3E 就只能找它。 ^[28] 

2023年12月7日，海力士公司表示，已成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關業務，這是該公司將更多地專注於高需求高端芯片的戰略的一部分。 ^[31] 

2024年4月3日，SK海力士表示，將投資約38.7億美元在美國印第安納州建設芯片工廠。新工廠將包括一條先進的芯片生產線，用於批量生產下一代HBM芯片。 ^[34-35] 

在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場佔有率處於第二位，中國市場佔有率處於第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客户創造舒適的生活環境。海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。

海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開闢已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。

2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。

2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社

04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證

02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM

01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。

2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM

11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM

為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大

05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案

04月 為撤回對海力士DRAM的相計關税的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2

02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同

2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2007年12月成功發行國際可兑換券(global convertible notes)

11月WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關税一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM

10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同

09月以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP

08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

07月發表企業中長期總體規劃

05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證

04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率

03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表“生態標記(ECO Mark)”與Toshiba簽署半導體特許商户許可證及供應合同

與SanDisk就特許商户許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任 代表理事、社長

01月開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊

2006年創下最高業績及利潤

2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網絡

09月300mm研究生產線下線

03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證

01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)

2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM

11月 業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM

07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出

04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

03月 發佈2004年財務報表，實現高銷售利潤

01月 與中國台灣茂德科技簽訂戰略性合作伙伴協議

2004年11月 與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議

08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議

07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤

06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議

03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證

02月 成功開發NAND閃存

2003年12月 宣佈與PromMOS簽署長期的戰略性MOU

08月 宣佈發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。

07月 宣佈在世界上首次發表DDR500

06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證

05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產

04月 宣佈與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存

03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門

10月 開發0.10微米、512MB DDR

08月 在世界上首次開發高密度大寬帶256MB的DDR SDRAM

06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客户

03月 開發1G DDR DRAM模塊

2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

08月 完成與現代集團的最終分離

07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務‘Hyundai Syscomm’

05月 剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’

剝離網絡業務‘Hyundai Networks’

03月 公司更名為“Hynix半導體有限公司”

2000年08月 剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’

04月 剝離電子線路設計業務‘Hyundai Autonet’

1999年10月 合併LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社

03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）

1998年09月 開發64M的DDR SDRAM

1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM

1996年12月 公司股票上市

1989年11月 完成FAB III

09月 開發4M的DRAM

1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）

01月 開發1M的DRAM

1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”

04月 設立半導體研究院

1985年10月 開始批量生產256K的DRAM

1984年09月 完成FAB II-A

1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標誌

2021年11月3日，韓國先驅報報道，業內人士週三表示，韓國前兩大芯片製造商三星電子SK海力士預計將在11月8日最後期限前向美國政府提交其芯片業務信息 ^[13]  。

2021年11月9日，韓聯社發佈消息，SK海力士向美國提交有關其芯片業務的信息，但隱瞞了一些被視為商業機密的關鍵數據。 ^[14] 

SK海力士宣佈，已於2021年12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第一階段。 ^[17] 

2022年1月24日，彭博援引韓國經濟日報稱，投行業內消息人士表示，芯片設計公司SiFive將進行2000億韓元（1.67億美元）新一輪融資，SK海力士將投1000億韓元。 ^[18] 

2022年2月，據 SK 海力士官方消息，SK 海力士今日宣佈，公司已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”。 ^[20] 

2022年5月16日，SK海力士·英特爾DMTM半導體 （大連）有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區開工。 ^[21] 

2022年10月23日，SK海力士向光刻機巨頭ASML訂購了下一代半導體設備 High-NA 極紫外光（EUV）曝光設備。韓國半導體制造商也在準備引進能夠實現 2nm工藝的設備。 ^[24] 

2024年1月25日，SK海力士在官網發佈截至2023年12月31日的2023財年及第四季度財務報告。公司2023財年第四季度營收為11.3055萬億韓元，同比增加47%；淨虧損為1.3795萬億韓元，同比減虧63%。 ^[33] 

2013年9月4日下午3點半左右，無錫新區海力士公司的生產車間發生氣體泄漏，引發車間屋頂排氣管洗滌塔管道的保護層着火。無錫消防200多名官兵趕至現場撲救，截至當日18點，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10餘人去醫院進行呼吸道檢查，均無大礙。火災發生後，無錫市委主要領導作出批示，市政府和無錫新區領導第一時間趕赴現場組織開展滅火救援，市環保部門迅速組織對企業周邊環境、空氣質量情況進行檢測。火災原因仍在調查中。 ^[3] 

2013年9月初發生在無錫新區SK海力士的一場大火已經過去了幾個月，這場大火儘管沒有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國內芯片市場和保險市場方面。

12月19日，有險企人士向《每日經濟新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報損約10億美元，保險業估損將達9億美元，這將是國內最大的一筆保險賠案。

據《中國保險報》此前報道，SK海力士5家承保公司中各自的份額分別為：現代保險佔比50%，人保財險佔比35%，大地保險、太平洋產險、樂愛金財險各佔5%。

上述險企人士進一步介紹稱，該案件各家保險公司基本上都辦理了再保險，主要涉及的再保險公司包括：韓國再保險、瑞士再保險、慕尼黑再保險等，而這個案例會影響到直保和再保險財險公司的承保利潤，同時也將會導致半導體行業來年費率以及再保險費率的上漲。 ^[4] 

SK海力士大火的首席承保人是韓國現代財險，國內的人保財險和太平洋產險等13家公司都險都參與其中。SK海力士火災的最終賠付金額已確認在9億美元，這是國內保險史上的最大一筆理賠案。江蘇省保監局保險財產保險監管處處長王雷介紹，現在的進展情況是正在運行之中，已經預付了大約3億美金。13家大型保險公司都在為這起火災承擔賠付，這也將推高2014年企業財產險的相關保費。 ^[5] 

2018年5月31日，中國反壟斷機構對三星、海力士、美光位於北京、上海、深圳的辦公室展開突然調查，三大巨頭有礙公平競爭的行為以及部分企業的舉報推動了中國反壟斷機構發起此次調查。

根據美光、三星、海力士財報統計，2017財年，三家公司的半導體業務在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。 ^[6] 

2021年6月23日，《科創板日報》消息SK海力士正尋求全面收購8英寸晶圓代工廠Key Foundry。 ^[11] 

2021年12月22日，市場監管總局收到SK海力士株式會社收購英特爾公司部分業務案的經營者集中反壟斷申報。經審查，市場監管總局決定附加限制性條件批准此項經營者集中。 ^[16] 

2023年10月9日，韓國總統辦公室經濟首席秘書崔相穆在首爾龍山總統府舉行記者會時表示，美國政府決定向三星電子和SK海力士在華工廠提供美國半導體設備，無需其它許可。 ^[30] 

2019年10月，2019福布斯全球數字經濟100強榜發佈，海力士位列第28位。 ^[7] 

2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企業2000強榜第296位。 ^[8-9] 

2021年5月，SK海力士位列“2021福布斯全球企業2000強”第173位。 ^[10] 

2021年9月23日，SK海力士位列2021年《亞洲品牌500強》排行榜第419位。 ^[12] 

2022年2月14日，在韓國人最想入職的企業排行榜中，位列第10。 ^[19] 

2022年，2022年《財富》世界500強排行榜排名第373位。 ^[22] 

2022年12月9日，位列《2022胡潤世界500強》第156位。 ^[26] 

2023年8月，以34567（百萬美元）營收，入選2023年《財富》世界500強排行榜，排名第437位。 ^[29] 

SK海力士無錫投資公司已入股SiC晶圓廠商泰科天潤，參與了其D輪融資，SK海力士無錫公司是SK海力士子公司。這是SK海力士在中國第一筆碳化硅相關項目的投資。 ^[15] 

2022年12月27日，三星、SK、LG 等韓國大企業集團，在年底通常都會對組織架構進行調整，旗下公司的高管也進行相應的調整，以更好的適應市場形勢，推動公司的發展。

SK 旗下的存儲芯片製造商 SK 海力士，就進行了架構調整，團隊數量在最近一次的調整中大幅減少，並任命年輕的管理者出任團隊領導者。SK 海力士將團隊數量削減了 20%-30%，例如此前需要 5 個團隊的業務，已經削減到了 4 個。在管理層的調整方面，他們新提拔了多位 30-40 歲的年輕管理者，出任團隊的領導。對於年齡較大的領導者，SK 海力士在此次的調整中也提供了退休補償，但大部分拒絕了公司的補償。

SK 海力士在組織架構調整中削減團隊數量，並調整管理層，反映了當前全球半導體市場的不利局面，在三季度的營收與淨利潤雙雙大幅下滑之後，分析師預計 SK 海力士四季度可能會出現虧損，他們上一次出現季度運營虧損，還是在 2012 年的三季度，已有近 10 年的時間。 ^[27]