GDDR5

GDDR5和GDDR4一樣基於DDR3 SDRAM改造而來，基本存儲器架構和DDR3相若，存儲器預取也是相同的8n設置。所謂的“預取”，及存儲器芯片內部的存儲器數組傳輸率與輸出/輸入（I/O）訪問傳輸率的比值，“8n”代表I/O緩衝器一次讀取存儲器數組中8位的數據，提升存儲器外部的傳輸速度。

GDDR5為了增大帶寬並降低延時，避免出現GDDR4那樣高帶寬但高延時的情況，與DDR3相比，GDDR5顯示存儲器使用了DQ並行雙數據總線，相當於提供了在GDDR3的基礎上多加了一條通道，而GDDR3顯示存儲器、DDR3存儲器卻只有一條通道；另外，GDDR5採用時鐘頻率分離的設計，地址與命令總線採用其中一組時鐘頻率信號，而數據總線則採用另外獨立的一組，且為地址與命令總線時鐘頻率的兩倍。所以GDDR5的理論速度可達DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的兩倍，5GT/s以上的高傳輸率（亦即坊間所謂的5GHz高頻）變成可能，通過高頻率有可能使一款128bit的顯卡性能超過DDR3的256bit顯卡。。

相比GDDR3或GDDR4顯示存儲器而言工作電壓從1.8V降為電壓僅有1.5V，還具有新電源管理技術，功耗更低。且GDDR3使用的為80nm製程，而GDDR5為55nm，製程的提高使芯片的體積縮小，發熱量也可以低許多。

一般GDDR5需搭配PCI-E以上規格的顯卡才有支持。但Sony新一代家庭遊戲機PlayStation 4也使用了GDDR5，其搭載由AMD定製的APU，配合HSA，可直接使用GDDR5作為數據訪問使用。

廠商標示的是數據頻率，數據頻率相等於運作頻率的4倍。6000MHz GDDR5的實際運作頻率是1500MHz。DDR記億體會於一個時鐘週期內的上升期和下降期各傳輸一次數據，DQ並行雙總線也令數據傳輸量倍增。 ^[1] 

2011年早期有消息指出，DDR4 SDRAM存儲器問世後，將會有基於DDR4標準的GDDR6顯示存儲器標準，亦即“第六版圖形用雙倍數據傳輸率”（Graphics Double Data Rate, version 6，簡稱GDDR6），將由AMD與JEDEC於2012年合作制定，除此以外還有NVIDIA、Intel、高通、德州儀器、Cisco等信息企業參與該標準的制定。該標準或基於DDR4 SDRAM，與基於DDR3 SDRAM的GDDR5將有不少技術差異。

儘管有不少消息稱該標準將於2014年完成，實際產品將會到2020年會大規模使用。然而，至今JEDEC以及其相關合作夥伴仍未公佈任何關於GDDR6的相關信息。直到2015年4月為止，NVIDIA所發售的GeForce 900系列顯示核心仍然使用GDDR5顯示存儲器，但等效時鐘頻率提升至7,010MHz上下；而AMD則是公佈了HBM堆棧式顯示存儲器技術，2015年6月，AMD發表Radeon Rx 300系列有搭載HBM技術的顯卡。

HBM比起GDDR5擁有更高的帶寬和比特，比特部分每一顆HBM存儲器就高達1024位，存儲器時鐘頻率只有500左右，電壓也比GDDR5小，還能縮小存儲器佈置空間，不過製造困難成本也高，所以供應量非常少。因HBM產量低而且成本高昂，此時再有GDDR6顯示存儲器將接替GDDR5的消息流出。

在HBM發佈之後，HBM 2也成功開發出來，存儲器比特提升至兩倍。

美光科技於2015年10月宣佈成功開發出GDDR5X，比GDDR5更高、逼近現時HBM的帶寬速度（於存儲器總線維持256比特、等效時鐘頻率14GHz的條件下，至少可擁有448GB/s的帶寬）。已知GDDR5X相較於GDDR5的改變，在於存儲器預取從8n提升到16n、更低的運行電壓（和DDR3L相同的1.35V）、其餘部分與GDDR5的基本相同。NVIDIAPascal架構的顯示核心，旗艦型號使用GDDR5X存儲器。 ^[2]