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N型半導體
鎖定
- 中文名
- N型半導體
- 別 名
- 電子型半導體
- 摻雜物
- 磷等Ⅴ族元素
- 載流子
- 電子
N型半導體特點
半導體是一種導電能力介於導體和絕緣體之間的物質,其按照載流子(或晶體缺陷)的不同可分為P型半導體和N型半導體,半導體的導電性能與載流子(晶體缺陷)的密度有很大關係
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。半導體中有兩種載流子,即價帶中的空穴和導帶中的電子,以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體,與之相對的,以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。 “N”表示負電的意思,取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中,參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如,含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。
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N型半導體形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對於鍺、硅類半導體材料,摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等),當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時,可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子,這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加,該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半導體,如ZnO、Ta2O5等,其化學配比往往呈現缺氧,這些氧空位能表現出施主的作用,因而該類氧化物通常呈電子導電性,即是N型半導體,真空加熱,能進一步加強缺氧的程度,這表現為更強的電子導電性。
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