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空穴型半導體

鎖定
空穴型半導體又稱P型半導體,是以帶正電空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁,由於銦或鋁原子周圍有3個價電子,與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子,形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子,在這類半導體的導電中起主要作用。
中文名
空穴型半導體
又    稱
P型半導體
特    點
雜質越多,濃度越高,導電性越強
形    成
在純淨的硅晶體中摻入三價元素

目錄

空穴型半導體主要特點

摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高。

空穴型半導體形成

在純淨的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半導體。在P型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量負電荷量相等,故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。