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空穴型半導體
鎖定
空穴型半導體又稱P型半導體,是以帶
正電的
空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁,由於銦或鋁原子周圍有3個
價電子,與周圍4價硅原子組成
共價結合時缺少一個電子,形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子,在這類半導體的導電中起主要作用。
- 中文名
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空穴型半導體
- 又 稱
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P型半導體
- 特 點
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雜質越多,濃度越高,導電性越強
- 形 成
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在純淨的硅晶體中摻入三價元素
空穴型半導體主要特點
空穴型半導體形成
在純淨的硅
晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半導體。在P型半導體中,空穴為多子,
自由電子為少子,主要靠空穴導電。由於P型半導體中正
電荷量與
負電荷量相等,故P型半導體呈
電中性。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由
熱激發形成。