複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

化合物半導體

鎖定
化合物半導體,指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,具有確定的禁帶寬度能帶結構等半導體性質。包括晶態無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所説的化合物半導體,多指晶態無機化合物半導體。
中文名
化合物半導體
外文名
compound semiconductor
屬    性
半導體類型
所屬學科
半導體化學
半導體物理

化合物半導體簡介

semiconductorchemistry (compound semiconductor )
研究半導體材料的製備、分析以及半導體器件和集成電路生產工藝中的特殊化學問題的化學分支學科。
通常所説的化合物半導體多指晶態無機化合物半導體,即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,並具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。包括晶態無機化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所説的化合物半導體多指晶態無機化合物半導體。主要是二元化合物如:砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等,其次是二元和多元化合物,如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導體單晶,用外延法、化學氣相沉積法等製備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。用於製備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

化合物半導體半導體分類

半導體材料的種類繁多。
單質化合物,從無機物到有機物,從單晶體非晶體,都可以作為半導體材料。
根據材料的化學組成和結構,可以將半導體劃分為:元素半導體,如(Si)、(Ge);二元化合物半導體,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如鎵鋁砷(GaAsAl)、鎵砷磷(GaAsP);固溶體半導體,如鍺硅固溶體(Ge-Si)、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態半導體),如非晶硅、玻璃態氧化物半導體;有機半導體,如酞菁酞菁銅聚丙烯腈等。

化合物半導體種類

化合物半導體包括晶態無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)以及它們的固溶體非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。主要是二元化合物,如:砷化鎵磷化銦硫化鎘碲化鉍氧化亞銅等。
其次是三元及以上的多元化合物,如:鎵鋁砷鎵銦砷磷鎵砷磷、銅硒銦(CIS)及某些稀土化合物(如氮化硒SeN、氮化釔YN、硫化鑭(III) La2S3等)。

化合物半導體製備方法

多采用布里支曼法(由固熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法垂直梯度凝固法製備化合物半導體單晶,用外延法、化學氣相沉積法等製備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。用於製備光電子器件、超高速微電子器件微波器件等方面。

化合物半導體應用

20世紀50年代,半導體器件的生產主要採用鍺單晶材料,到了60年代,由於硅單晶材料的性能遠遠超過鍺,因而半導體硅得到了廣泛的應用,在半導體材料中硅已經佔據主導地位。大規模集成電路的製造都是以硅單晶材料為主的,III-Ⅴ族化合物半導體如砷化鎵磷化鎵銻化銦等也越來越受到人們的重視,特別是砷化鎵具有硅、鍺所不具備的能在高温度頻下工作的優良特性,它還有更大的禁帶寬度電子遷移率,適合於製造微波體效應器件、高效紅外發光二極管和半導體激光器,因而砷化鎵是一種很有發展前途的半導體材料