複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友
https://baike.baidu.hk/item/王鋼/2507444
複製
複製成功

王鋼

（中山大學教授）

鎖定
王鋼，男，1968年11月生，博士，中山大學物理科學與工程技術學院教授、博士生導師，半導體照明材料與器件國家地方聯合工程實驗室主任，中山大學佛山研究院院長，教育部2007 年度新世紀優秀人才支持計劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點專項（半導體照明專項）總體專家組專家。
中文名
王鋼
出生日期
1968年11月
畢業院校
日本名古屋工業大學
學位/學歷
博士
專業方向
電氣信息工程
任職院校
中山大學

目錄

  1. 1 人物經歷
  2. 2 授課課程
  3. 3 研究方向
  1. 4 學術成果
  2. ▪ 科研項目
  3. ▪ 代表論文
  1. 5 相關新聞

王鋼人物經歷

1998/04—2001/03 日本名古屋工業大學 工學研究科電氣信息工程專業 博士
1994/04—1998/03 日本名古屋工業大學 工學研究科電氣信息工程專業 碩士
1987.09—1991.08 吉林大學 電子科學系半導體物理與器件專業 學士 [1] 

王鋼授課課程

《半導體照明技術》 [1] 

王鋼研究方向

（1）氧化物半導體薄膜材料的MOCVD外延生長及其可視化模擬研究；
（2）基於氧化物半導體的功率型電子材料生長、器件製備及封測技術研究；
（3）半導體智能製造關鍵技術及其配套裝備研究。 [1] 

王鋼學術成果

王鋼科研項目

部分科研項目:
《基於高遷移率氧化銦錫的紅外透明導電薄膜及其在紅外光電瞄準系統中的應用》，廣州市科學研究計劃-重點項目，2018-2021，主持。
《新型氧化物半導體透明電極結構AlGaInP基LED芯片關鍵技術研發及其產業化》，廣東省應用型科技研發專項，2016-2019，主持。
《氧化鋅基透明氧化物半導體MOCVD外延生長機制研究》，廣東省自然科學基金-重點基金，2015-2017，主持。
《半導體照明系統可靠性強化機理與試驗方法設計》，國家自然科學基金-NSFC-廣東聯合基金，2013-2016，主持。
《150Lm/W的GaN基LED量子效率提升技術》，國家高技術研究發展計劃（863計劃），2011-2013，子課題負責人。
《高亮度、大尺寸LED背光源技術開發》，廣東省產業財政扶持資金項目，2010-2011，子課題負責人。
《寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心》，廣東省教育廳-平台建設項目，2009-2011，主持。
《新型超高速、低噪音雪崩光電二極管（APD）器件的研究》，國家自然科學基金-面上項目，2007-2009，主持。 [1] 

王鋼代表論文

(1) Numerical simulation and study of the metal-organic chemical vapor deposition growth of ZnO film.JianLi,Jiandong Cai,Ziling Wu,Jie Wang,Yanli Pei,Gang Wang*,Physics of Fluids, 31, 027104, 2019.
(2) Stability Analysis of Multi Process Parameters for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Reaction Cavity.JianLi,Ziling Wu,Yifeng Xu,Yanli Pei,Gang Wang*,Molecules, 24, 876, 2019.
(3) Investigation on electrical properties of indium tin oxide thin films by effective control of crystallographic orientation, Yi Zhuo, Zimin Chen, Zeqi Li, Guangshuo Cai, Xuejin Ma, Yanli Pei andGang Wang*,Journal of Alloys and Compounds, 786, 177-182, 2019.
(4) Numerical simulation and analysis of process parameters of GaN-MOCVD reactor. Jian Li, Jie Wang, Jiandong Cai, Yifeng Xu, Bingfeng Fan andGang Wang*,International Communications in Heat and Mass Transfer, 91, 64-76, 2018.
(5) Chemical reaction-transport model of diethylzinc hydrolysis in a vertical MOCVD reactor.JianLi,Hanlin Gan,Yifeng Xu,Chaoyang Wang,FengLong Gu*,Gang Wang*,Applied Thermal Engineering,136, 108-117, 2018.
(6) Chemical reaction mechanism of ZnO grown using DEZn and N2O in MOCVD.JianLi,Hanlin Gan,Yifeng Xu,Chaoyang Wang,Yanli Pei,FengLong Gu*,Gang Wang*,CrystEngComm,20, 6775-6785, 2018.
(7) Layer-by-layer growth of ε-Ga2O3thin film by metal–organic chemical vapor deposition, Z. Chen, Z. Li, Y. Zhuo, W. Chen, X. Ma, Y. Pei and G. Wang*,Applied Physics Express, 11, 101101, 2018.
(8) High Sensitivity pH Sensor Based on Electrolyte-gated In2O3TFT. Guangshuo Cai, Lei Qiang, Peng Yang, Zimin Chen, Yanli Pei* andGang Wang*,IEEE Electron Device Letters, 39, 1409~1412, 2018.
(9) High mobility indium tin oxide thin film and its application at infrared wavelengths: model and experiment, Z. Chen, Y. Zhuo, W. Tu, Z. Li, X. Ma, Y. Pei andG. Wang*,Optics Express, 26, 22123, 2018.
(10) Highly ultraviolet transparent textured indium tin oxide thin films and the application in light emitting diodes, Z. Chen, Y. Zhuo, W. Tu, X. Ma, Y. Pei, C. Wang andG. Wang*,Applied Physics Letters, 110, 242101, 2017.
(11) AlGaInP-Based LEDs With Al-doped ZnO Transparent Conductive Layer Grown by MOCVD, Jiayong Lin, Yanli Pei, Yi Zhuo, Xuejin Ma andGang Wang*,IEEE Transactions on Electron Devices, 64, 2017.
(12) Ultra-High Field-Effect Mobility Thin-Film Transistors With Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Grown In2O3Channel Treated by Oxygen Microwave Plasma, R. Hu, Y. Pei, Z. Chen, J. Yang, Y. Li, J. Lin, Y. Zhao, C. Wang, J. Liang, B. Fan, andG. Wang*,IEEE Electron Device Letters, 36, 1163, 2015.
(13) GaN-Based LEDs With Al-Doped ZnO Transparent Conductive Layer Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition: Ultralow Forward Voltage and Highly Uniformity, Jingchuan Yang, Yanli Pei, Bingfeng Fan, Shanjin Huang, Zimin Chen, Cunsheng Tong, Hongtai Luo, Jun Liang, andGang Wang*,IEEE Electron Device Letters, 36, 372, 2015.
(14) Threading edge dislocation arrays in epitaxial GaN: Formation, model and thermodynamics, Z. Chen, Z. Zheng, Y. Chen, H. Wu, C. Tong,G. Wang*, Z. Wu and H. Jiang*,Journal of Crystal Growth, 387, 48, 2014.
(15) Improved carrier injection and efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes with step-stage multiple-quantum-well structure and hole-blocking barriers, Z. Zheng, Z. Chen, Y. Chen, H. Wu, S. Huang, B. Fan, Z. Wu,G. Wang* and H. Jiang*,Applied Physics Letters, 102, 241108, 2013.
(16) Emission enhancement in GaN-based light emitting diodes with shallow triangular quantum wells, S. Huang, Z. Chen, Y. Xian, B. Fan, Z. Zheng, Z. Wu, H. Jiang andG. Wang*,Applied Physics Letters, 101, 041116, 2012.
(17) Enhanced electrostatic discharge properties of nitride-based light-emitting diodes with inserting Si-delta-doped layers, Zhiyuan Zheng, Zimin Chen, Yulun Xian, Bingfeng Fan, Shanjin Huang, Weiqing Jia, Zhisheng Wu,Gang Wang* and Hao Jiang,Applied Physics Letters, 99, 111109, 2011. [1] 

王鋼相關新聞

2022年4月，以“科技自立自強雙創驅動發展”為主題的2022“科創中國”年度會議召開。會上，中國科協發佈了2021年“科創中國”系列榜單。王鋼教授領導的研發團隊耗費十多年自主研發的“大尺寸氧化鎵單晶薄膜異質外延生長技術及核心裝備”項目入選。 [2] 
參考資料