常凱

1964年8月，常凱出生於安徽省潛山市 ^[1]  。

1984年，畢業於阜陽師範學院（現阜陽師範大學）物理系 ^[1]  。

1996年，從北京師範大學物理系凝聚態物理專業畢業並獲博士學位。

1996年至1998年，在中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室做博士後。

1998年至2001年，赴比利時安特衞普大學物理系合作研究。

2001年，獲得百人計劃資助。同年，任中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室研究員。

2005年，獲得國家傑出青年基金資助。

2006年，獲得香港中文大學楊振寧獎學金資助。

2006—2010年，獲得傑出青年基金資助。

2013年，入選國家百千萬人才工程。

2019年11月，當選為中國科學院院士。 ^[2] 

2024年1月4日，浙江大學官網“兩院院士”欄目更新信息顯示，中國科學院院士常凱已經列入名單，顯示常凱院士已經加盟浙江大學。 ^[14] 

常凱從理論上預言了自組織InAs量子點和V型量子線中非對稱的Stark效應，並被國際上著名的實驗組證實和引用。在國際上較早開展對球形層狀量子點的理論研究，並預言了可能存在II型激子。發現耦合量子阱中磁激子的基態是長壽命的暗激子，解釋了A.C.Gossard小組觀測到的反常實驗現象。他系統細緻地研究了不同自旋注入方案的優缺點。尤其是稀磁半導體量子點注入方案可以克服強磁場的障礙，研究了稀磁半導體二維電子氣的縱向磁阻。在此基礎上，考慮自旋－軌道耦合，發現在弱磁場下可以在弱極化體系中實現共振自旋極化。

常凱提出利用半導體極性界面調控半導體量子結構能隙，發現極性界面處存在極強的局域電場，可以顯著的改變其能帶結構，後得到實驗證實。這為人工設計半導體物性打開了新的途徑，在半導體結構中實現寬光譜光電響應（從紅光到太赫茲）；在主流半導體（Ge,InN）中實現拓撲相，突破了拓撲材料僅限於含有重元素的窄能隙體系的傳統認識。發現窄能隙半導體非線性Rashba自旋軌道耦合效應，指出Rassba線性模型是常凱模型的一階近似，而非線性行為是不可避免的，糾正了長期廣泛使用的Rashba模型隨動量增加而出現的嚴重偏差。預言窄能隙體系是觀測自旋霍爾效應的最佳體系，並提出電場調控磁性的方案, 為自旋調控提供了新機制。發展多帶多體有效質量理論，在窄能隙半導體量子結構中發現激子絕緣體及新奇電子態的存在，得到實驗驗證。 ^[1] 

國家自然科學基金面上項目："半導體納米結構的光學性質"(2000－2002)，特優 ^[5]  。

1. Spatially separated excitons in quantum-dot quantum wells, Kai Chang, J.B. Xia, Phys. Rev. B 57, 9780(1998).

2. Quantum-confined Stark effect in GaAs/Al0.4Ga0.6As V-shaped quantum wires, Kai Chang, Jian-Bai Xia Phys. Rev. B 58, 2031(1998).

3. Bright to dark exciton transition in symmetric coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field, Kai Chang and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 63, 153307 (2001).

4. Oscillating magnetoresistance through diluted magnetic semiconductor barriers,Kai Chang, J.B.Xia and F.M.Peeters, Phys. Rev. B 65 115209(2002).

5. Longitudinal spin transport in diluted magnetic semiconductor superlattice,Kai Chang, Jian-Bai Xia and F.M.Peeters Phys. Rev. B 65 155211(2002).

6. Quantum-confined magneto-Stark effect in diluted magnetic semiconductor double quantum wells, Kai Chang, et al. , Appl. Phys. Lett. 80, 1788(2002).

7. Magnetic field tuning of the effective g factor in a diluted magnetic semiconductor quantum dot, Kai Chang et al., Appl. Phys. Lett. 82, 2661 (2003).

8. Nonlinear Rashba model and spin relaxation in quantum wells, W. Yang and Kai Chang, Phys. Rev. B 73, 113303 (2006)；

9. Spin states and persistent currents in mesoscopic rings: spin-orbit interactions, J. S. Sheng and Kai Chang, Phys. Rev. B 74, 235315(2006).

10. Tunable giant Faraday rotation of exciton in semiconductor quantum wells embedded in a mirocavity, J. T. Liu, and Kai Chang, Appl. Phys. Lett. 90, 061114 (2007).

11. Tuning of energy levels and optical properties of graphene quantum dots, Z. Z. Zhang, Kai Chang, Phys. Rev. B 77, 235411 (2008).

6. Intrinsic Spin Hall Effect induced by uantum phase transition in HgCdTe Quantum Wells, W. Yang, Kai Chang and S. C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 100, 056602 (2008);

12. Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure, L. B. Zhang, F. Cheng, F. Zhai, and Kai Chang, Phys. Rev. B 83, 081402(Rapid Communication) (2011);

13. Electrically Controllable Surface Magnetism on the Surface of Topological Insulators, J. J. Zhu, D. X. Yao, S. C. Zhang, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 097201 (2011);

14. Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene Z. Wu, F. Zhai, F. M. Peeters, H. Q. Xu, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 176802 (2011);

15. Helical Quantum States in HgTe Quantum Dots with Inverted Band Structures

Kai Chang and Wen-Kai Lou Phys. Rev. Lett. 106, 206802 (2011);

16.The shear mode of multilayer graphene，Nature Materials 11, 294(2012)Tan, P. H.^*; Han, W. P.; Zhao, W. J.; Wu, Z. H.; Chang, K.; Wang, H.; Wang, Y. F.; Bonini, N.; Marzari, N.; Pugno, N.; Savini, G.; Lombardo, A.; Ferrari, A. C.

17.Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well，Phys. Rev. Lett. 109, 186803(2012)，2012；

18.Anomalous electron trajectory in topological insulators，Phys. Rev. B 87, 161115(R) (2013)，2013；

19.Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene，Phys. Rev. Lett. 110, 046601 (2013)；

20.Interface-Induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells，Phys. Rev. Lett. 111, 156402 (2013)；

21.Quantum Spin Hall and Quantum Anomalous Hall States Realized in Junction Quantum Wells，Phys. Rev. Lett. 112, 216803 (2014)；

22. Strain-Induced Pseudomagnetic Fields in Twisted Graphene Nanoribbons，Phys. Rev. Lett. 112, 096805 (2014)； ^[6] 

1.半導體自旋電子學，Semiconductor Spintronics，World Scientific，2012-08，第3作者

2.半導體自旋電子學，Semiconductor spintronics，科學出版社，2008-10，第3作者 ^[6] 

常凱的研究團隊來自中國科學院半導體研究所，研究自旋三重態激子絕緣體的理論機制。 ^[3] 

常凱非常重視人才培養，他在授課演講時會從多維度來描述為什麼要研究半導體，如何研究半導體，研究半導體的方法以及研究半導體的意義，在這些過程中他會由淺入深，旁徵博引並結合自身實際實驗結果來使學生更容易理解核心原理。 ^[7] 

據2021年1月中國科學院大學網站顯示，常凱在凝聚態物理這一專業已經培養博士研究生、碩士研究生數十人。 ^[6] 

常凱是中國半導體物理領域的優秀學科帶頭人。（北京師範大學物理系評） ^[9] 

常凱是半導體量子點的g因子調控理論積極探索者。（清華大學低維量子物理實驗室評） ^[3] 

常凱是個科學態度嚴謹，十分注重理論和實踐相結合的研究者。（中國科學院半導體研究所評） ^[1] 

常凱是個非常專注的人，一直深耕半導體基礎物理研究領域。（中科院科教融合網） ^[5]