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寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室
鎖定
- 中文名
- 寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室
- 依 託
- 西安電子科技大學
- 創建時間
- 2007年
- 稱 號
- 國家級重點實驗室
- 學委會名單
- 郝躍,張興,等
- 科研團隊
- 教授26人,副教授18人
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室發展歷程
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的重點實驗室。實驗室重點開展寬帶隙(寬禁帶)半導體材料與器件的應用基礎研究。實驗室是西安電子科技大學國家集成電路人才培養基地、微電子學與固體電子學國家重點學科和211”工程 重點建設學科的重要支撐。
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室基本條件
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室學術委員會
學術委員會名單如下:
姓名 | 職稱 | 工作單位 |
院士 | 西安電子科技大學 | |
中國科學院半導體研究所 | ||
院士 | 航天771所 | |
教授 | 北京大學 | |
教授 | 清華大學 | |
教授 | 西安交通大學 | |
教授 | 東南大學 | |
研究員 | 中國電子科技集團第13所 | |
陳效建 | 研究員 | 中國電子科技集團第55所 |
研究員 | 中國科學院微電子研究所 | |
教授 | 西安理工大學 | |
教授 | 華中科技大學 | |
教授 | 西安電子科技大學 | |
教授 | 西安電子科技大學 | |
教授 | 西安電子科技大學 |
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室科研團隊
據該實驗室網站資料顯示,該重點實驗室有一支基礎素質高、知識面寬,充滿朝氣、年輕有為的科研隊伍。其中教授26人,副教授18人,講師31人,助教20人;大於50歲的人員有12人,小於30歲的人員有37人;35人具有博士學位,44人具有碩士學位。
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寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室科研設備
該實驗室擁有從寬禁帶材料製造設備、材料製造工藝到微波功率器件、高亮度LED器件管芯製造工藝,微波功率模塊、微納米器件可靠性以及VLSI電路設計等若干項自主關鍵技術,具有明顯特色。
據該實驗室網站資料介紹,該實驗室擁有一套完整的寬禁帶材料生長和器件研製的工藝設備和環境,400平方米以上面積的超淨實驗室環境3套和完整的測試分析設備。1000級微電子超淨工藝實驗室超淨間,連同材料生長、器件製作和相關表徵設備,形成了一條完整的化合物半導體材料和器件工藝線。
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寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室實驗室支撐
微電子學與固體電子學國家重點學科
國家“211”工程重點建設學科
國家集成電路人才培養基地
陝西省大功率半導體照明工程研究中心
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室科學研究
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室主要介紹
實驗室從20世紀90年代開始寬禁帶半導體科學研究和人才培養,已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件的科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地,2008年實驗室成為中國國防科技創新團隊。
實驗室重視研究成果與應用的結合,多項研究成果已經用於國家和國防重點工程。高質量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企業和研究所使用;微波功率器件已經開始用於國家重點工程;GaN的LED成果已經成為陝西省半導體照明的核心技術,產生着輻射和帶動作用;自主的MOCVD設備和核心技術開始實現產業化;微納米器件可靠性技術對推動我國高可靠集成電路發展發揮了重要作用。
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寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室研究方向
以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體是繼硅和砷化鎵(GaAs)之後的第三代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點,可實現高壓、高温、高頻、大功率、抗輻射微波毫米波器件和短波長光電半導體器件。寬禁帶半導體是新一代雷達、通信、電子對抗系統最關鍵的半導體器件,也是新一代半導體照明關鍵的器件。
實驗室主要研究方向包括:GaN和SiC寬禁帶半導體微波毫米波器件;GaN半導體光電子器件與半導體照明技術;寬禁帶半導體材料生長核心設備研究;寬禁帶半導體材料和器件新機理、新結構與新技術;微納米半導體器件可靠性與SoC設計。
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寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室承擔項目
“極大規模集成電路製造裝備與成套工藝”重大科技專項
國家(國防)重大基礎研究(973)項目
國家自然科學基金重點和麪上項目
國家863計劃高技術項目
國防科技預先研究項目
軍用電子元器件型譜項目
中俄航天領域科技合作項目
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室成果獎勵
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室科研成果
GaN異質材料與器件相關基礎研究 | 寬禁帶半導體器件抗輻照特性研究 |
寬禁帶半導體器件可靠性研究 | 寬禁帶半導體專用設備研製 |
寬禁帶半導體應用與產業化 | 微納米半導體器件可靠性 |
微納米集成電路SoC設計 | GaN基電子材料基礎研究 |
MOS器件的熱載流子效應 | 薄柵氧化層的經時擊穿 |
NBTI和CHC效應的分解 | MOS器件的NBTI 效應 |
非極性GaN材料研究 | - |
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室科研獲獎
實驗室獲得的部分科研獎項:
2009年國家技術發明獎二等獎 | 1998年國家科技進步三等獎 |
2008年國家科技進步二等獎 | 1987年電子工業部科技進步一等獎 |
2005年陝西省科學技術一等獎 | 2007年中國高等學校科學技術一等獎 |
2006年國防科學技術二等獎 | 2001年國防科學技術二等獎 |
1999年信息產業部科技進步二等獎 | 1989年機電部科技進步二等獎 |
2006年國防科學技術二等獎 | 2006年國防科學技術二等獎 |
2007年陝西省科學技術二等獎 | 2007年中國高等學校科學技術二等獎 |
2008年國防科學技術二等獎 | 2009年國防科學技術獎一等獎 |
2011年陝西省科學技術一等獎 | - |
- 參考資料
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- 1. 郝躍教授接受國家科學技術獎勵大會表彰圖片來源
- 2. 實驗室科研團隊資料及會議照片來源
- 3. 實驗室科研生產環境與設備資料及圖片來源
- 4. 實驗室支撐參考資料
- 5. 實驗室主要資料來源
- 6. 實驗室研究方向資料來源
- 7. 實驗室承擔項目參考資料來源
- 8. 科研成果資料來源
- 9. 科研獲獎資料來源
- 詞條統計
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