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寬帶隙半導體材料

鎖定
寬帶隙半導體材料是室温下禁帶寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長髮光器件、紫外光探測和高温、高功率電子器件。
中文名稱
寬帶隙半導體材料
英文名稱
wide band-gap semiconductor materials
定  義
室温下禁帶寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長髮光器件、紫外光探測和高温、高功率電子器件。
應用學科
材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科)
中文名
寬帶隙半導體材料
用    途
短波長髮光器件、紫外光探測和高温、高功率電子器件
應用於材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科)