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化合物半導體材料
鎖定
- 中文名
- 化合物半導體材料
- 外文名
- Compound semiconductor material
化合物半導體材料簡介
化合物半導體材料分類
化合物半導體材料種類繁多,性質各異,如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料,Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料,也有高電子遷移率材料;有直接帶隙材料,也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來,有更廣泛的用途。
化合物半導體材料性質
多數化合物半導體都含有一個或一個以上揮發性組元,在熔點時揮發性組元會從熔體中全部分解出來。因此化合物半導體材料的合成、提純和單晶製備技術比較複雜和困難。維持熔體的化學計量比,是化合物半導體材料製備的一個重要條件
[2]
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化合物半導體材料製備
通常採用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)製備化合物半導體單晶,用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等製備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特徵是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例,通過比較可得:
1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度,因此,可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。
2.肖特基勢壘特性優越,容易實現良好的柵控特性的MES結構。
3.本徵電阻率高,為半絕緣襯底。電路工藝中便於實現自隔離,工藝簡化,適合於微波電路和毫米波集成電路。
4.禁帶寬度大,可以在Si器件難以工作的高温領域工。