-
肖特基勢壘
鎖定
- 中文名
-
肖特基勢壘
- 外文名
-
Schottky Barrier
- 本 質
-
具有整流特性的金屬-半導體接觸
- 器 件
-
肖特基二極管
- 應 用
-
太陽電池
肖特基勢壘基本概念
金屬與n型半導體形成的肖特基勢壘
肖特基勢壘(障壁)相較於
PN結最大的區別在於具有較低的接面電壓,以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)
耗盡層寬度。
並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為
歐姆接觸。整流屬性決定於金屬的
功函、固有半導體的
能隙,以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基
勢壘。
肖特基勢壘優點
由於肖特基勢壘具有較低的界面電壓,可被應用在某器件需要近似於一個理想二極管的地方。在電路設計中,它們也同時與一般的二極管及
晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的接面電壓來
保護電路上的其它器件。
然而,自始至終肖特基器件相較於其它
半導體器件來説能被應用的領域並不廣。
肖特基勢壘器件
肖特基勢壘
碳納米管場效應晶體管FET:金屬和碳納米管之間的接觸並不理想所以
層錯導致肖特基勢壘,所以我們可以使用這一勢壘來製作肖特基二極管或者晶體管等等。