馬佐平

馬佐平(11張)

1945年11月，馬佐平出生於中國甘肅省蘭州市，原籍浙江省東陽市 ^[1]  。

1949年，四歲時隨父母到了台灣 ^[8]  。

1968年，從台灣大學電機系畢業，此後赴美國留學。

1971年，從美國耶魯大學畢業，獲得碩士學位。

1974年，從美國耶魯大學畢業，獲得博士學位。

1974年—1975年，擔任國際商業機器公司（IBM）系統產品部高級副工程師。

1975年—1977年，擔任IBM系統產品部正工程師。

1977年—1985年，擔任耶魯大學電機系及應用物理系副教授。

1983年，擔任美國加州大學柏克萊分校訪問員。

1985年，晉升為教授。

1988年—1991年，擔任耶魯大學電機系代理系主任。

1991年—1995年，擔任耶魯大學電機系主任。

1994年，入選IEEE Fellow。 ^[12] 

1999年—2016年，擔任耶魯大學電機系微電子中心共同主任。

2000年—2007年，擔任耶魯大學電機系主任。

2002年7月，擔任耶魯大學Raymond John Wean講座教授。

2003年，當選為美國國家工程院院士。

2005年—2014年，擔任北京大學—耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心共同主任 ^[5]  。

2009年，當選為中國科學院外籍院士 ^[5]  。

2012年，當選為第29屆中國台灣“中央研究院”院士 ^[5]  。

2021年5月，在美國因病去世，享年77歲 ^[12]  。

馬佐平於1970年始在做超薄（～4納米）柵氧化硅研究中指出隧穿電流對MOS特性的重要影響，發現了輻射效應或熱載子效應所產生的界面陷阱與在界面附近的應變分佈有直接的關聯，而據此提出一個“柵誘導的應變分佈”模式來解釋實驗的結果，推出在柵氧化硅內摻入極小量的諸如氟、氯或氮等雜質來促成應變的弛豫以降低輻射或熱載子效應的方法。發現了一個在經歷輻照MOS內的界面陷阱的轉型現象，並隨後對此做了系統的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS柵介質以取代二氧化硅（SiO2）的概念並首先用實驗證明其可行性，推動了引入用更高介電常數的柵介質的理念，進而推展未來的MOS科技。Intel、IBM等公司宣佈量產High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式實踐了馬佐平早期理念。他的研究小組創先使用“非彈性電子隧道譜”（IETS）的方法來探測超薄高介電常數的介質內的微結構、微缺陷及雜質 ^[4]  。

根據2021年4月中國科學院網站顯示，馬佐平在耶魯大學培養了大批華裔微電子科技專家，其中40多位中國學生在他指導下獲得博士學位 ^[4]  。

根據2021年4月中國科學院網站顯示，馬佐平從1993年以來，幾乎每年都回國，多次到中國空間技術研究院、中國科學院、清華大學、北京大學、山東大學、天津大學、復旦大學、上海交通大學、廈門大學等科研機構和大學講學 ^[4]  。

1994年至2000年間，馬佐平研究小組與中國科學院新疆物理所的輻射效應小組密切合作，促使中國科學院新疆物理所成為中國的半導體器件的輻射效應中心之一。2002年到2005年，與清華大學共同研發製造先進的閃存器件。2005年，馬佐平與北大微電子學研究院王陽元共同成立了北京大學—耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心，合作研討微電子及納米電子領域的最先進的科學課題 ^[4]  。

馬佐平兩次得BFGoodrich之全美國大學生髮明人指導教授獎（1993年，1998年） ^[5]  。

馬佐平對金屬/氧化物/半導體（MOS）的科學認知及技術發展，尤其是在MOS柵介質 （包括高介電常數的柵介質）的科技領域做出重要貢獻 ^[4]  。（中國科學院評）

馬佐平專注於科學研究並取得卓越成就，他對科學的貢獻享譽全世界 ^[13]  ！（中共東陽市委統戰部、東陽市鄉賢聯誼總會評）