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銅鹽

鎖定
銅鹽是所有陽離子銅離子類的總稱,其中銅離子的化合價顯+2價。銅鹽的化學性質體現在銅離子上。銅離子可以通過還原反應生成,銅可以通過氧化反應生成銅離子,銅鹽溶於水或熔融也可以得到銅離子,銅離子可以與氫氧根離子生成不溶於水的Cu(OH)2藍色沉澱,這也是檢驗銅離子的方法之一。
中文名
銅鹽
外文名
The copper salt
學    科
冶金工程
領    域
冶煉
釋    義
所有陽離子銅離子鹽類
作    用
殺毒、驅蟲

銅鹽性狀

銅鹽
銅鹽(5張)
鹼式碳酸銅 :草綠色的單斜繫結晶纖維狀的團狀物或深綠色的粉狀物;
鹼式硫酸銅 :綠色單斜晶體;
硝酸銅:藍色斜方片狀晶體;
硫酸銅:天藍色或略帶黃色粒狀晶體;
氯化銅:綠色至藍色粉末或斜方雙錐體結晶;
碳酸銅:綠色粉末,易與水發生雙水合反應,生成鹼式碳酸銅和氫氧化銅 [1] 

銅鹽溶解性

鹼式碳酸銅 :不溶於35°C以下的水和醇,溶於酸,氰化物氨水銨鹽
鹼式硫酸銅 :在水中溶解度極小,能溶於稀酸和氨水;
硫酸銅:溶於水,溶於稀乙醇(即乙醇的低濃度 水溶液),不溶於無水乙醇液氨
氯化銅:易溶於水、乙醇甲醇,略溶於丙酮乙酸乙酯,微溶於乙醚

銅鹽化學性質

銅鹽的化學性質體現在銅離子上。銅離子可以通過還原反應生成,銅可以通過氧化反應生成銅離子,銅鹽溶於水或熔融也可以得到銅離子,銅離子可以與氫氧根離子生成不溶於水的Cu(OH)2藍色沉澱,這也是檢驗銅離子的方法之一。銅離子存在於鹼性溶液中就會生成沉澱。銅離子可以用於殺毒,在游泳池裏可以適當添加銅離子,故游泳池水通常為藍色 [2] 

銅鹽用途

銅鹽主要用於殺毒、驅蟲。
硫酸銅可用於游泳池消毒,鹼式硫酸銅波爾多液有效成分)可用於植物驅蟲 [3] 

銅鹽製備

可以用氫氧化銅與相應的酸反應。
可以用單質銅與比銅的金屬活動性順序靠後的金屬(如銀)所形成的鹽類置換。

銅鹽影響

超細銅粉粒徑小、比表面積大, 有獨特的物理、化學優勢,在催化、電極材料以及印刷電子技術等領域有廣泛應用。銅粉可作為銅漿的主要填料,被廣泛應用於微電子工業,研究其製備過程中相關因素的影響以及工藝參數的優化, 對於獲取性能優良、製備成本低的銅粉具有重要理論和實際意義。按原料狀態劃分,超細銅粉製備方法可分為:固相法、氣相法和液相法。固相法主要包括:球磨法、機械化學法;氣相法主要包括:氣相蒸發法、化學氣相反應法;液相法主要包括:超臨界流體乾燥法、γ 射線輻射-水熱結晶聯合法、超聲電解法、水熱法和液相還原法等,其中液相法由於設備簡單、操作流程短以及便於工業化生產等優點而被廣泛應用。按製備工藝劃分,液相還原法分為直接還原法與兩步還原法,其中兩步還原法可改善銅粉粒徑大小、分佈情況及形貌特徵,因此決定採用液相兩步還原法來製備超細銅粉。目前,已有一些文獻通過液相法制備超細銅粉,但原料多數是硫酸銅,並且沒有考慮添加表面活性劑,導致銅粉團聚現象較嚴重,粒徑分佈較大 [2] 

銅鹽作用機理

以銅粉試樣A0、B0、C0、D0為例, 討論銅鹽種類對製備超細銅粉的影響, 這可能與銅鹽溶液中不同陰離子粒徑以及濃度有關:
(1) 銅鹽中陰離子粒徑大小會影響Cu2+ 在溶液中的分佈。相同條件下陰離子粒徑越小, 在Cu2+周圍聚集就越緻密,單個銅顆粒粘附PVP 的量相對減少,導致粒徑分佈不均勻,松裝密度變小[20]。陰離子半徑從大到小為:r(CH3COO-)>r(SO42-)>r(NO3- )>r(Cl-), 因此用氯化銅製備的銅粉松裝密度最小。
(2) 銅鹽中儘管Cu2+ 濃度相同,但陰離子濃度不相同。其中SO42-濃度最小,忽略CH3COO-的水解(CH3COO -+H2O→CH3COOH +OH - ),Cl - 、NO3- 和CH3COO-濃度基本相同。SO42- 濃度較小,對Cu2+ 靜電引力較弱,Cu2+ 可被充分還原,因此用硫酸銅為原料製備的銅粉松裝密度較大。Cl-、NO3-和CH3COO-濃度較大,對Cu2+ 靜電引力較強,易聚集在Cu2+ 周圍,阻礙了Cu2+ 的還原過程,因此松裝密度偏小。濃度相同的陰離子,半徑越大流變性越好,可有效降低顆粒表面能,加快反應進行。Cl-半徑最小,流變性最差,因此製得的銅粉松裝密度最小;NO3-半徑居中, 流變性居中,製得銅粉松裝密度也居中;CH3COO-半徑最大,流變性最好,製得的銅粉松裝密度相對較大 [3] 
參考資料
  • 1.    黃長幹, 陳贇, 邱業先. 銅鹽毒害對紫鴨跖草養分吸收和生長的影響[J]. 中國生態農業學報, 2008, 16(1):168-172.
  • 2.    範軍管, 付小龍, 蔚紅建,等. 銅鹽對RDX-CMDB推進劑燃燒性能的影響[J]. 火炸藥學報, 2010, 33(2):86-90.
  • 3.    周宇帆, 張安富, 李國洪. 銅鹽-亞硒酸 鋼鐵常温發黑體系研究[J]. 表面技術, 1995(3):14-18.