微電子元器件

可以使電路和器件的性能、可靠性大幅度提高，體積和成本大幅度降低。

微電子器件主要包括兩個部分，即半導體集成電路和半導體器件。半導體集成電路主要包括數字集成電路、模擬集成電路和數模混合（混合信號）集成電路。半導體器件主要包括微波功率器件和其他的半導體分立器件。微電子工藝技術主要分為單片集成電路、分立半導體器件技術以及微組裝和微封裝的混合集成技術。

軍用微電子技術與整個微電子的發展規律雷同。在過去的50多年，尤其是近30年的時間裏，微電子技術是沿着兩條並行相關而獨立的路線向前發展，第一條線路是按照摩爾定律在硅數字集成電路方面的進步（技術推動）。軍用硅集成電路面臨的難題是如何解決芯片結構的複雜性及設計問題。同時，高可靠的半導體材料和工藝技術也是按照這一發展路線進行了成功的研發，形成了微電子元器件技術與產品的發展主流，以及軍民集成電路的協同發展局面。第二條線路是迄今為止主要是由軍事需求牽引。由於軍事電子裝備對高頻器件的迫切需求，主要是解決微波和毫米波功率器件以及微波單片集成電路（MMIC），又驅使人們對化合物半導體進行看深入的研究。與硅集成電路不同，微波功率器件和MMIC主要挑戰有三方面，即解決化合物半導體材料生長的控制問題，實現器件的一致性；實現芯片上的無源阻抗匹配元件；實現佈線管理以控制芯片的信號傳輸阻抗。

我國的軍用微電子元器件經過多年的努力，尤其通過近10年的快速發展，軍用集成電路實現了0.25μm-0.5μm、5英寸-6英寸的工藝水平；產品設計達到0.18μm-90nm，數千萬門的能力。軍用4英寸砷化鎵MMIC和VSHIC科研開發的工藝線從0.5μm提高到了0.25μm；高性能信號處理器件可以兼容奔騰586CPU/ADSP21060/TMS320C6711和PowerPC603e芯片，星用抗輻射處理器（SparcV8）基於SOI工藝的1750A微處理器等開發成功，縮小了我國與國際水平之間的差距；已定型成產的386/387、486等兼容CPU,TMS320C25/3X/50和ADSP21160等兼容DSP；4M位-16M位存儲器，高性能門陣列器件等，完全可以替代進口產品。8位200MSPS /D轉換器、12位50MSPS A/D轉化器、16位2MSPS A/D轉換器、14位300MHz DDS和抗輻射器件DC/DC電源等相繼研製成功，緩解了我國高新武器的急需。硅雙極大功率，GaAs器件及MMIC實用化器件基本能夠覆蓋18GHz已下的產品，GaN和SiC寬禁帶半導體微波功率器件取得了重大的突破。

微電子元器件是軍事信息系統的決定因素和核心技術，決定着裝備的內在性能及其性能發揮，具有至關重要的戰略地位和不可替代的作用，是國家政治、軍事、經濟實力和科學技術水平的具體體現，是我國科技強軍和國家生存、發展的重要戰略資源。微電子元器件的誕生和發展與武器裝備的需求密不可分。從1947年世界上第一支晶體管的誕生，到1958年世界世界上第一塊集成電路的問世，國防需求一直是微電子元器件發展的不竭動力。“未來的戰爭是信息戰，關鍵在於集成電路”。