反饋

張建軍

（中國科學院物理研究所研究員）

男，中國國籍，中國科學院物理研究所研究員、博士生導師，入選中科院“百人計劃”。現為擔任納米器件與物理9組組長，主要從事半導體量子材料的生長、物性和器件研究。北京量子信息科學研究院量子計算研究部兼聘研究員。^[4]

半導體量子材料的生長、物性和器件研究^[1]

1997-2004年湘潭大學物理系本科、碩士，

2005-2010年德國馬普固體研究所和奧地利約翰開普勒大學聯合培養博士生並獲博士學位，

2010-2012年德國萊布尼茲固體和材料研究所從事博士後研究，

2013-2014年澳大利亞量子計算和通訊技術卓越中心(Vice-Chancellor's PostdoctoralFellow)獨立開展原子尺度半導體器件的研究。^[1]

發現了以Stranski-Krastanov (S-K) 生長模式在硅襯底上大規模生長鍺納米線的新方法，在零維量子點被發現22年之後把它推廣到了一維納米線(PRL 109, 085502 (2012))。美國物理學會網站同期以題為 “Self-Elongating Nanowires” 對該工作進行了報道，現代物理評論文章對該工作進行了整段評述。這種超小 (高度僅3個晶胞) 且均勻的鍺納米線為研究新奇的量子輸運現象及構造硅基納米器件開闢了一個全新的途徑。
發現了圖形襯底上有序量子點形貌及成分的週期性震盪行為(PRL 105, 166102 (2010))；
利用鍺硅量子點，巧妙設計獲得了有序的硅量子點分子（APL 96, 193101 (2010)，期刊封面）；
和IBM的J. Tersoff及米蘭的科學家一起發現了圖形襯底的反常變平滑行為(PRL 109, 156101, (2012))。硅應變工程。通過巧妙設計和合理優化，使硅溝道中的張應力（提高電子遷移率）和壓應力(提高空穴遷移率)分別達到了1.5%和0.8%。
和代爾夫特理工大學等單位的同事，共同發明了用鍺硅量子點構造應變硅來提高電子遷移率的晶體管(IEEE Electron Device Letters 31, 1083(2010))。^[1]

課題包括國家重點研發計劃，基金委重點、面上項目，科學院重點項目及華為公司合作項目。具體研究工作重點包括^[2-3] ：

(1) 硅基半導體量子芯片材料，包括可控生長低維鍺納米結構和硅鍺異質結構等^[1] ^[3] ；

(2) 硅基光電子材料的生長和器件，包括全IV族高效發光材料的生長探索及IV族硅鍺和III-V族材料界面可控的混合生長和光電子器件研究^[1] ^[3] ；

(3) 低維量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子線的可控生長及界面調控的異質結構生長與物性研究。基礎研究上期待在常規半導體中發現新的物理現象，應用研究上期待實現硅基高效激光光源和相應器件集成^[1] ^[3] 。

現有學10名左右，課題組氛圍民主和諧融洽，以學生為本的原則培養學生。計劃招收碩博生或博士生2-3名，歡迎動手能力強，踏實肯幹，有相關背景（物理，材料，電子工程）的考生報考。^[1]

參考資料

詞條統計