帶外輻射

導致極紫外光刻膠圖形分辨率不夠和邊緣粗糙度較高的一個很重要的原因是曝光時光源中的非13.5nm波長的成分，又稱帶外（out of band，OOB）輻射。而且OOB輻射還會導致光刻膠的放氣量增大，增大光學系統被污染的概率。為此，光刻材料供應商專門設計了一種保護層材料（OOB protection layer，OBPL），它被塗覆在極紫外光刻膠表面，既能吸收OOB輻射又能阻擋光刻膠放氣。 ^[1] 

帶外輻射材料在化學性質上需與極紫外膠兼容，即OOB的材料的溶劑不能溶解極紫外膠，這樣在它們的界面處就不會形成混合層。OOB需能夠很快地溶解於標準的TMAH顯影液中，沒有殘留。對於曝光圖形的半週期是28 nm，有OOB保護的光刻膠圖形有更好的線寬粗糙度和陡峭的側壁，也增大了聚焦深度。 ^[1]