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極紫外光刻膠
鎖定
- 中文名
- 極紫外光刻膠
- 外文名
- EUV Photo resist
極紫外光刻用於量產,必須滿足以下幾個條件
[1]
:
首先是產能,2015年極紫外管個科技的產能只有80片/每小時,這一性能必須提高至至少兩倍才能達到量產要求。也就是説,極紫外光刻機曝光是的功率必須增大一倍。
其次,掩模上的缺陷密度必須降低到使用要求,這些缺陷主要來源於空白掩模基板和掩模版使用時的外來顆粒。
第三,光刻膠必須滿足分辨率、圖形邊緣粗糙度以及敏感度的要求,總結如下表
[1]
:
- | - | 目前狀態 | 14nm量產要求 |
極紫外光刻膠 | 分辨率 | 26nm 1:1線條,DOF>250nm 28nm通孔,DOF>150nm | 28nm 1:1線條,DOF>150nm 30nm通孔,DOF>150nm |
敏感度 | 26nm 1:1線條,12mJ/cm2 | <20mJ/cm2 | |
邊緣粗糙度(LER 3 | 32nm 1:1線條,2.5nm 曝光能量15mJ/cm2 | 1.1nm |
- 參考資料
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- 1. 超大規模集成電路先進光刻理論與應用 .百度學術.2016[引用日期2019-05-15]
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