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極紫外光刻膠

鎖定
極紫外光刻膠是指在極紫外光刻技術中所應用的光刻膠
中文名
極紫外光刻膠
外文名
EUV Photo resist
極紫外光刻用於量產,必須滿足以下幾個條件 [1] 
首先是產能,2015年極紫外管個科技的產能只有80片/每小時,這一性能必須提高至至少兩倍才能達到量產要求。也就是説,極紫外光刻機曝光是的功率必須增大一倍。
其次,掩模上的缺陷密度必須降低到使用要求,這些缺陷主要來源於空白掩模基板和掩模版使用時的外來顆粒。
第三,光刻膠必須滿足分辨率、圖形邊緣粗糙度以及敏感度的要求,總結如下表 [1] 
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目前狀態
14nm量產要求
極紫外光刻膠
分辨率
26nm 1:1線條,DOF>250nm
28nm通孔,DOF>150nm
28nm 1:1線條,DOF>150nm
30nm通孔,DOF>150nm
敏感度
26nm 1:1線條,12mJ/cm2
<20mJ/cm2
邊緣粗糙度(LER 3
32nm 1:1線條,2.5nm
曝光能量15mJ/cm2
1.1nm
參考資料