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邊緣粗糙度

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邊緣粗糙度(Line Edge Roughness, LER)是指光刻膠圖形邊緣的粗糙程度 [1] 
中文名
邊緣粗糙度
外文名
Line Edge Roughness
英文縮寫
LER
邊緣粗糙度(Line Edge Roughness, LER)是指光刻膠圖形邊緣的粗糙程度 [1] 
測量方法
通常使用高分辨率電子顯微鏡來測量邊緣粗糙度。首先是選擇一個長度為L的測量窗口。在這個窗口之內的光刻膠邊緣被等間距的掃描N次,相鄰掃描之間的間隔是
,因此
。圖1中,
代表每一次掃描時確定的光刻膠邊界位置。平均的邊界位置確定為
每一次掃描所確定的邊界與平均邊界的偏差為
所測得的光刻膠邊界的標準誤差,即邊緣粗糙度,可以計算得到:
在光刻領域通常使用3倍的邊界誤差(即)來定量描述邊緣粗糙度 [1] 
光刻膠邊緣示意圖 光刻膠邊緣示意圖
圖1 光刻膠邊緣示意圖
LER形成機理:
對於化學增幅型光刻膠,由曝光光源產生的入射光子轉化為光酸,光酸通過化學反應轉化為“潛影”。顯影液中的潛影由各種具有不同溶解度的化合物組成,圖2中潛影的藍色區域能夠在顯影液中完全溶解,紅色區域則不能溶解,而中間區域則是可溶和不可溶分子的混合。因為可溶解分子的生成過程是隨機的, 所以中間區域分子的分佈無法控制,正是中間區域可溶分子的不均勻性導致了LER的形成。因此,LER正比於中間區域的寬度,它們之間的關係通過化學梯度(決定光刻膠溶解度的某種化合物的濃度梯度)聯繫起來:
上式中,
是一個比例常數,
是用初值歸一化後保護基團的濃度,
是化學梯度。
由顯影和沖洗過程中相關的材料和工藝決定,高性能光刻膠的
取值範圍為0.14-0.31 [2] 
LER形成機理 LER形成機理
圖2 LER形成機理
參考資料
  • 1.    韋亞一.超大規模集成電路先進光刻理論與應用.北京:科學出版社,2016:179-179
  • 2.    鹿國慶,吳義恆,李伶俐,盧啓鵬,應用於22nm及以下節點的極紫外光刻膠研究進展,科學技術與工程,2016,16(11),120-127