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曝光

(光刻工藝中使用的曝光技術)

鎖定
曝光是利用光照將掩模版上的圖形經過光學系統後投影到光刻膠上,實現圖形轉移,是集成電路製造中光刻工藝的重要工序之一。
中文名
曝光
外文名
Exposure
類    型
光刻工藝中使用的曝光技術
圖1:曝光系統光路示意圖 圖1:曝光系統光路示意圖
照明光源發出的光線經匯聚透鏡照射在掩模版上,透過掩模版產生衍射光束,這些衍射光束攜帶了掩模版上的圖形信息,光束經過投影透鏡聚焦到晶圓表面,在晶圓表面形成掩模圖形的像,如圖1所示 [1]  。晶圓表面塗有光刻膠,掩模版上的圖形被投影到光刻膠上之後,會激發化學反應,從而將圖形固定保存下來,經過烘烤顯影後會形成光刻膠圖形 [1] 
光刻膠經過前烘之後,原本為液態的光刻膠在硅片表面固化,這樣就可以進行曝光。在未經曝光前,正性光刻膠中的感光劑DQ是不溶於顯影液的,同時也會抑制酚醛樹脂在顯影液中的溶解。在曝光過程中,感光劑DQ發生化學反應,成為乙烯酮。因為乙烯酮的化學性質不穩定,會進一步的水解為茚並羧酸。羧酸對鹼性溶劑的溶解度將比未感光的感光劑高出約100倍,同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光的光刻膠在鹼性溶液的溶解度的不同,就可以實現掩模版圖形的轉移 [2] 
參考資料
  • 1.    韋亞一.超大規模集成電路先進光刻理論與應用.北京:科學出版社,2016:139-139
  • 2.    硅集成電路工藝基礎  .豆瓣讀書[引用日期2019-05-15]