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曝光
(光刻工藝中使用的曝光技術)
鎖定
- 中文名
- 曝光
- 外文名
- Exposure
- 類 型
- 光刻工藝中使用的曝光技術
照明光源發出的光線經匯聚透鏡照射在掩模版上,透過掩模版產生衍射光束,這些衍射光束攜帶了掩模版上的圖形信息,光束經過投影透鏡聚焦到晶圓表面,在晶圓表面形成掩模圖形的像,如圖1所示
[1]
。晶圓表面塗有光刻膠,掩模版上的圖形被投影到光刻膠上之後,會激發化學反應,從而將圖形固定保存下來,經過烘烤和顯影後會形成光刻膠圖形
[1]
。
光刻膠經過前烘之後,原本為液態的光刻膠在硅片表面固化,這樣就可以進行曝光。在未經曝光前,正性光刻膠中的感光劑DQ是不溶於顯影液的,同時也會抑制酚醛樹脂在顯影液中的溶解。在曝光過程中,感光劑DQ發生化學反應,成為乙烯酮。因為乙烯酮的化學性質不穩定,會進一步的水解為茚並羧酸。羧酸對鹼性溶劑的溶解度將比未感光的感光劑高出約100倍,同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光的光刻膠在鹼性溶液的溶解度的不同,就可以實現掩模版圖形的轉移
[2]
。
- 參考資料
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- 1. 韋亞一.超大規模集成電路先進光刻理論與應用.北京:科學出版社,2016:139-139
- 2. 硅集成電路工藝基礎 .豆瓣讀書[引用日期2019-05-15]