前烘

光刻膠被塗到硅片表面後必須要經過軟烘，軟烘的目的是去除光刻膠中的溶劑。軟烘提高了粘附性，提升了硅片上光刻膠的均勻性，在刻蝕中能得更好的線寬控制 ^[1]  。

典型的軟烘條件是在熱板上90C到100C烘30秒，接下來是在冷板上的降温步驟，以得到光刻膠一致特性的硅片温度控制 ^[1]  。

前烘可在熱板或在烘箱中進行，每一種膠都有其特定的前烘温度和時間 ^[2]  。

軟烘的温度和時間視光刻膠和工藝條件而定 ^[1]  。

為方便起見，可將光刻的圖形形成過程分為8個步驟，即氣象成底膜，旋轉塗膠，軟烘，對準和曝光，曝光後烘焙，顯影，堅膜烘焙，顯影檢查 ^[1]  。

光刻膠軟烘的原因有：1.將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2.增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以更好地粘附；3.緩和在旋轉過程中光刻膠膠膜內產生的應力；4.防止光刻膠沾到設備上（保持器械潔淨） ^[1]  。

如果光刻膠膠膜在塗膠後沒有軟烘而直接進行對準和曝光，將可能出現下列問題：1.光刻膠薄膜發黏並易受顆粒沾污；2.光刻膠薄膜來自於旋轉塗膠的內在應力將導致粘附性問題；3.由於溶劑含量過高導致在顯影時由於溶解差異，而很難區分曝光和未曝光的光刻膠。4.光刻膠散發的氣體（由於曝光時的熱量）可能沾污光學系統的透鏡 ^[1]  。

常被提及的光刻膠軟烘方法是硅片在真空熱板上熱傳導（圖1），用這種方法，熱量可以很快通過與硅片背面接觸從熱板傳遞到光刻膠。光刻膠由硅片和光刻膠的接觸面向外加熱，這可使殘留溶劑最小，因為循環時間短（例如30到60秒），這種單片熱板方法適合於多片在自動硅片軌道系統流水作業。在硅片軌道處理流片時，緊隨加熱步驟之後，通常有一在冷卻板上的冷卻步驟。這一步驟快速冷卻硅片以便下一步操作 ^[1]  。

圖1 軟烘