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正性光刻膠
鎖定
- 中文名
- 正性光刻膠
- 外文名
- Positive photoresist
- 又 稱
- 正膠
- 類 別
- 光敏化合物
- 常見的
- 重氮萘醌
- 特 點
- 很好的對比度
目錄
- 1 光刻膠的結構
- 2 特性表徵
- 3 正性光刻膠的金屬剝離技術
- 4 操作工藝
正性光刻膠光刻膠的結構
光學光刻膠通常包含以下三種成分:
(1)聚合物材料(也稱為樹脂)。聚合物材料在光的輻照下不發生化學反應,其主要作用是保證光刻膠薄膜的附着性和抗腐蝕性,同時也決定着光刻膠薄膜的其他一些特性(如光刻膠的膜厚要求、彈性要求和熱穩定性要求等)。
(2)感光材料。感光材料一般為複合性物質(簡稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之後會發生化學反應。正膠的感光劑在未曝光區域起抑制溶解的作用,可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例,使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡稱為DQ)感光劑和酚樹脂構成。
正性光刻膠特性表徵
表徵光刻膠特性和性能、質量的參數有以下三個:
(1)光學性質。光刻膠的光學性質包括光敏度和折射率。
(2)力學特性和化學特性。光刻膠的力學特性和化學特性包括膠的固溶度、黏滯度、黏着度、抗蝕(刻蝕、腐蝕)性、熱穩定性、流動性和對環境氣氛(如氧氣)的敏感度。
正性光刻膠正性光刻膠的金屬剝離技術
正性膠的金屬剝離工藝對於獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應於微細圖形的掩膜外,它還具有圖形邊緣陡直, 去膠容易等獨特性能,比負性光刻膠更有利於金屬剝離工藝。然後給出了具體的工藝條件,並根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差,這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移及精確地控制光刻圖形的尺寸,對曝光時同特別是顯影液温度提出了嚴格的要求。由於工藝中基本上不經過腐蝕過程,膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。
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正性光刻膠操作工藝
(2)合成感光劑。在裝有攪拌器的夾套反應罐中,先將三羥基二苯甲酮和215酰氯加至丙酮中攪拌下溶解,待完全溶解後,滴加有機鹼溶液做催化劑,控制反應温度30~35℃,滴加完畢後,繼續反應1h。將反應液衝至水中,感光劑析出,離心分離,乾燥。