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負性光刻膠
鎖定
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
- 中文名
- 負性光刻膠
- 外文名
- photoresist
- 別 名
- 光致抗蝕劑
- 組成成分
- 感光樹脂、增感劑和溶劑
負性光刻膠簡介
感光樹脂經光照後,在曝光區能很快地發生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理,溶去可溶性部分,得到所需圖像(見圖光致抗蝕劑成像製版過程)。光刻膠廣泛用於印刷電路和集成電路的製造以及印刷製版等過程。光刻膠的技術複雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照後形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照後變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠作塗層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基於感光樹脂的化學結構,光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型,採用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發單體聚合,最後生成聚合物,具有形成正像的特點。②光分解型,採用含有疊氮醌類化合物的材料,經光照後,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性,可以製成正性膠。③光交聯型,採用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,並使鏈與鏈之間發生交聯,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時,光的波長會限制分辨率(見感光材料)的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規模集成電路工藝的要求,必須採用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠,X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠,所刻蝕的線條可細至1μm以下。