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RCA
(化工標準工藝)
鎖定
RCA
[1]
是一項標準工藝,通常只在
晶圓裸片和硅上有薄氧化層時使用。
典型的RCA清洗包括以下步驟:
SPM去除有機物,它主要是以硫酸的強氧化性來破壞有機物中的碳氫鍵,通常在130°左右以4:1的比例浸泡待測樣品。有機物也經常在氧化/緩衝的環境中被去除,典型的溶液是
氨水、過氧化氫和水按1:1:5的體積比例混合的APM溶液,在70~80°的温度下,它們的化學反應能力強,不但能去掉模版及襯底上沾染的有機化合物,還能溶解掉一些
元素週期表中IB和IIB族的金屬元素,並降低表面的粗糙度。而鹽酸、
過氧化氫和水以一定的比例混合而成的HPM溶液,在75~80°的環境中,可以將石英或硅片上的重鹼離子及陽離子去除。
- 參考資料
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1.
周偉民.納米壓印技術.北京:科學出版社,2012:83