IGBT功率模塊

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個複合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點於一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯着的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發研製新品種。

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主迴路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（pt結構）一6.5KV（npt結構），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。

a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行永久性連接。 　

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，儘可能不用焊接方式。

c、裝卸時應採用接地工作台，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 　

d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯。

e、要在無電源時進行安裝。

f,焊接g極時，電烙鐵要停電並接地，選用定温電烙鐵最合適。當手工焊接時，温度260±5℃.時間（10±1）秒，松香焊劑。波峯焊接時，PCB板要預熱80℃-105℃,在245℃時浸入焊接3-4

IGBT發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低製造成本，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在聯繫，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發，予估近2-3年內，會有突破性的進展。已有適用於高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。