黃柏標

山東電子學會常務理事、光電子專業主任委員，中國有色學會半導體材料學術委員、薄膜半導體學科組組長，中國材料學會青年委員會委員，第一至七屆全國MOCVD會議組織委員。黃柏標教授多年來一直從事半導體發光材料及器件的研究工作。曾獲得山東省科技進步一等獎、山東省科技進步二等獎、光華科技獎等多項獎勵。在國內外學術刊物發表論文近三百六十餘篇。先後承擔過包括國家自然科學大型基金項目、“七五”、“八五”、“九五”國家“863”計劃、國防科工委預研項目、國家計委產業化關鍵技術項目在內的多項國家重要研究課題。近年來承擔973，國家自然科學基金項目，開展三維光子晶體和光催化材料領域的研究。

薄膜材料製備新技術的研究1988年至1991年國家自然科學大型基金項目，主要承擔者，課題組長。

含Sb化合物MOCVD材料生長1988年至1991年國家“863”計劃，主要承擔者，課題組長。

MOCVD製備AlGaInP可見光激光器材料與器件研究1991年至1996年，國家“863”計劃，負責人。

四元系紅黃綠高亮度發光LED材料與器件的研究1996年至2000年，國家“863”計劃，負責人。

大、薄、勻砷化鎵光陰極外延材料研究1991年至1995年，國防科工委預研項目，負責人。

半導體發光材料外延及管芯技術1998年至2000年國家計委產業化前期項目，主要負責人之一。

GaAs量子阱紅外探測器及一維陣列研製，1996年至1998年省科委科技攻關項目，主要參加者。

離子注入增強AlGaInP量子阱界面混合及其特性研究, 2001-2002, 國家自然科學基金, 主要參加者。

應用δ摻雜技術和ZnO材料改進高亮度LED窗口層的研究，2000-2002教育部青年骨幹教師基金，負責人。

光波段具有負折射特性的特殊週期介質研究，2005-973項目，負責人

三維光子晶體的製備研究，2004-2006年，國家自然科學基金，負責人

1993年獲光華科學基金個人二等獎。

1995年“MOCVD製備GaAs超晶格量子阱及其異質結器件材料”，省科技進步二等獎，

2003年半導體發光材料外延及器件製造技術，山東省科技進步一等獎

2003年山東省十佳青年科學家

利用δ—摻雜技術減薄高亮度發光二極管芯片窗口層的方法專利號：ZL 00111113.2

發明人黃柏標等

一種用氧化鋅作為高亮度發光二極管芯片窗口層的生長方法專利號ZL 00111112.4

發明人黃柏標等

W.F. Yao, X.H. Xu, J.T. Zhou, X.N. Yang, Y. Zhang, S.X. Shang, H. Wang, B.B. Huang, Photocatalytic property of sillenite Bi24AlO39 crystals, Journal of Molecular Catalysis A: Chemical, 212 (2004) 323–328

Wei Feng Yao, Xiao Hong Xu, Hong Wang, Jing Tao Zhou, Xue Na Yang, Yin Zhang, Shu Xia Shang, Bai Biao Huang, Photocatalytic property of perovskite bismuth titanate, Applied Catalysis B: Environmental, 52 (2004) 109–116

XueNa Yang , HongBin Wang , BaiBiao Huang , ShuXia Shang ，La-substitution Bi2Ti2O7 thin films grown bychemical solution deposition，Materials Research Bulletin 40 (2005) 724–730

姚偉峯，王弘，黃柏標，許效紅，楊雪娜，周靜濤，尚淑霞，微米級石英空心小球表面TiO2薄膜的製備及其降解性能的研究，功能材料，35（2004增刊）2628-2631

X. N. Yang, B. B. Huang, H. B. Wang, S. X. Shang, W. F. Yao and J. Y. Wei , Effect of La doping on structural and electrical properties of Bi2Ti2O7thin films Journal of Crystal Growth pp.98-101

Xuena Yang, Baibiao Huang, Hongbin Wang, Shuxia Shang, Weifeng Yao and Jiyong Wei , Leakage current behavior of La-doped Bi2Ti2O7 thin films by a chemical solution deposition method , materials letters pp.3725-3728

短波長諧振腔發光二極管外延及性能研究尉吉勇黃柏標秦曉燕張曉陽張琦姚書山朱寶富李憲林光電子?激光 Vol. 16 No. 11 Nov. 2005pp. 1304-1306

InGaAlP/InGaP多量子阱中的紅外向可見光的上轉換尉吉勇黃柏標於永芹張琦姚書山張曉陽秦曉燕人工晶體學報, Vol. 34 No. 4 Aug. 2005pp.585-58

李先林,黃柏標,等. 以乙醇為氧源生長ZnO薄膜中温度對光譜影響的研究[J].人工晶體學報, Vol.33 No.2 2004(4)

朱寶富，黃柏標，秦曉燕，李先林，姚書山, 尉吉勇，張琦退火效應對MOCVD生長的ZnO薄膜的影響, 人工晶體學報.（755－757）第33卷 5期 2004年10月

楊雪娜，黃柏標，尚淑霞, 退火温度對(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜物理和電學性質的影響, 功能材料，35（2004增刊）1439-1441

Ying Dai, Baibiao Huang, Dadi Dai,The role of dangling-bond, hydrogen and adsorbate in diamond surface conduction.Diamond and Related Materials, 12(2003), 15-19

Ying Dai, Shenghao Han, Baibiao Huang, Dadi Dai, Study on n type doping with phosphorous in diamond by means of density functional theory, Material Science and Engineering B, 99(2003), 531-535

Yongqin Yu, Xiaoyang Zhang, Baibiao Huang, et .al. “Strain Effect and Characteristics of GaInP/AlGaInP Strain-compensated Multiple Quantum Wells”, Materials Science and Engineering B. Vol97, No.3,PP 211-216,2003.

YU Yong-qin, HUANG Bai-biao, et .al. “MOCVD growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As strained multi-quantum wells”.Journal of Optoelectronics . Laser. ,vol 14, No. 3, 244-247, 2003.

Yongqin Yu, Xiaoyang Zhang, Baibiao Huang, et .al. “Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE”. Chinese Optics Letters, Vol.1, No.1, 2003.

Yongqin Yu, Xiaoyan Qin, Baibiao Huang, et .al. “MOCVD growth of strain-compensated Multi-quantum wells Light-emitting Diodes”. Vacuum, 69, 489-493, 2003.

Gao Shanmin, Cui Deliang, Huang Baibiao et al., Synthesis and characterization of GaP nanocrystals, Chinese Chem. Lett.(1998)

S. Gao, D. Cui, B. Huang et al., Study on synthesis of GaP nanocrystals, Mat. Res. Bull, 33(1998): 1023

Shanmin Gao, Deliang Cui, Baibiao Huang et al., Study on the factors affecting the particles size of GaP nanocrystalline materials, J.Crystal Growth, 192(1998): 89

Cui Deliang, Gao Shanmin, Huang Baibiao et al., Effect of Solvents on the Absorption Properties of GaP Nanocrystals, Chinese Phys. Lett, 15(1998): 307

Chenxin Wang, Baibiao Huang, Minhua Jiang, The binding energy of a shallow donor in type II quantum wells, Phys. Lett. A, 229(1997): 117

Chenxin Wang, Baibiao Huang, Gensheng Huang, Xiaoyan Qin, Shuqin Yu, Minhua Jiang, The influence of Zn-dopants on the lattice constant and surface morphology in Zn-doped AlGaAs growth by MOCVD ,J. Crystal Growth, 179(1997): 67

Xian'gang Xu, Baibiao Huang, Hongwen Ren et al., Smoothing effect of GaAs/AlGaAs superlattice grown by metalorganic CVD, Appl. Phys. Lett, 64(1994): 22

多年來一直從事化合物半導體材料與器件、半導體光催化材料和介電材料、納米材料與薄膜材料和能源與環境材料等方面的研究工作。在Angew.Chem.Int.Ed, J.Am.Chem.Soc.,Chem.Commun., Energy Environ. Sci., Chem. Mater., ACS Nano等國內外學術刊物發表論文360多篇。論文SCI引用超過11000餘次，個人H因子54。有17篇論文被ESI選為高引用論文（Highly Cited Papers），入選Elsevier2014, 2015年中國高被引學者榜單（Most cited Chinese Researchers），進入英國皇家化學會“Top 1%高引用中國作者”榜單。曾獲得山東省科技進步一等獎、山東省科技進步二等獎、教育部自然科學二等獎，山東省自然科學二等獎、華光科技獎等多項獎勵。泰山學者特聘教授，享受國家政府津貼，全國百篇優秀博士論文指導教師，山東省優秀研究生指導教師。先後主持包括國家自然科學重點基金項目、 "七五"、"八五"、"九五"國家"863"計劃、“973”計劃項目、國防科工委預研項目、國家計委產業化前期關鍵技術項目在內的多項國家重要研究課題。申請和授權發明專利二十多項。擔任多個國際、國內學術組織委員，學術會議主席，國際學術期刊編輯和客座主編等。國家基金委會評專家。多次受邀做國際、國內學術會議大會報告和特邀報告。

近年來，開展了光催化材料在能源與環境領域的基礎研究工作，在新型高效光催化材料的設計理論、製備及微結構調控方法、反應機理和在能源與環境領域的實際應用方面取得了一系列創新性的研究成果。提出了“氯化銀表面等離子體光催化材料”概念，設計製備了Ag@AgCl高效可見光光催化材料，該工作作為熱點論文（Hot Paper）發表在Angew.Chem. Int. Ed.，該論文單篇引用740餘次。隨後，開展了Ag@AgX（X=Cl、Br、I）系列表面等離子體光催化材料及其複合材料的研究。目前，表面等離子體光催化材料成為光催化領域的研究熱點之一。設計製備了Cu2(OH)PO4紅外光催化材料，作為VIP論文發表在Angew. Chem. Int. Ed.，並被C&ENews專題報道，稱其為首個真正具有紅外響應的光催化材料。利用晶面工程和能帶工程理論，設計探索了系列鉍基、鈦基光催化材料。提出了極性光催化材料的設計思想，獲得了國家自然科學基金委重點項目的支持，製備並研究了BiOIO3、Bi2O2[BO2OH]、Ag6Si2O7等極性光催化材料。開展了高亮度LED材料產業化研究，參與創建了華光光電子有限公司。解決了礦滷水脱硫技術難題，並實現了規模化應用，取得了良好的經濟效益和社會效益。 ^[1]