黃傑

2002年大學本科畢業於湖北民族學院應用物理學專業，2005年碩士研究生畢業於四川大學物理學專業，2008年博士研究生在讀於中國科學院微電子研究所微電子學與固體電子學專業。

主要從事激光等離子體光譜模擬，新一代化合物半導體器件與單片微波集成電路研究。

(01)等離子體X－射線光譜模擬研究:西南大學自然科學青年基金 (SWU208035)，主持，1萬元，2008.12-2010.12，

(02)基於微電子學的毫米波信號源關鍵技術研究:中央高校基本科研業務費專項資金 (XDJK2009C020)，主持，4萬元，2009.11-2011.12，

(1)120-nm gate-length In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT, Huang Jie , Guo Tianyi, Zhang Haiying, Xu Jingbo, Fu Xiaojun,Yang Hao,Niu Jiebin，Journal of semiconductors( EI 影響因子:0.667,2010 In press )

(2)Fabrication of 120nm gate-length Lattice-Matched InGaAs/InAlAs InP-based HEMT, Huang Jie , Guo Tianyi, Zhang Haiying, Xu Jingbo, Fu Xiaojun,Yang Hao,Niu Jiebin，Journal of semiconductors(EI影響因子:0.667,2010 In press )

(3)Design and manufacture of Planar GaAs Gunn Diode for Millimeter Wave Application,

Huang Jie*, Yang Hao, Tian Chao, Dong Junrong, Zhang Haiying, Guo Tianyi, Xu Jingbo, Fu Xiaojun,Journal of semiconductors(EI影響因子:0.667,2010 In press )

(4) Systematical study on the ground-state ionization potentials for Boron and Carbon isoelectronic sequences with Z=6-42,Huang Jie*, Zhao Qian , Jiang Gang,

Communications in Theoretical Physics (SCI, 2010, In Press)

(5) Energy levels, transition probabilities, and electron impact excitation collision strengths for Xe XXVII. J.Huang*, Q.Zhao, G.Jiang. Atomic Data and Nuclear Data Tables (SCI影響因子: 3.216)93,864(2007)

(6) Ground-state ionization potentials for Lithium through Neon isoelectronic sequences with Z=37-82 Huang Jie, Jiang Gang, Zhao Qian, CHIN. PHYS. LETT (SCI影響因子: 1.276 ).23:69(2006)

(1)增強型線性梯度摻雜的GaAs平面耿氏二極管及其製作方法

黃傑,， 楊浩，董軍榮，吳茹菲， 張海英

發明專利：2009.11.24，申請號：200910238762.4

(2) 一種線性梯度摻雜的GaAs平面耿氏二極管及其製作方法

黃傑 ， 楊浩，董軍榮，吳茹菲， 張海英

發明專利：2009.11.24，申請號：200910238764.9

(3)基於左右手複合非線性傳輸線的倍頻器

楊浩，吳茹菲，董軍榮，黃傑，張海英

發明專利：2009.04.22，申請號：200910082090.2

(4)一種GaAs肖特基變容二極管及其製作方法

董軍榮， 楊浩，吳如菲， 黃傑

發明專利：2009.06.17，申請號：200910087347.3