集成電路產業

1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；集成電路

1950年：結型晶體管誕生；　1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；　1951年：場效應晶體管發明；　1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；　1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；　1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；　1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基於CMOS工藝；　1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；　1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；　1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；　1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標誌着大規模集成電路出現；　1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；　1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；　1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方釐米的硅片上集成了14萬個晶體管，標誌着超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；　1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；　1984年：日本宣佈推出1Mb DRAM和256kb SRAM；　1985年：80386微處理器問世，20MHz；　1988年：16M DRAM問世，1平方釐米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標誌着進入超大規模集成電路（VLSI）階段；　1989年：1Mb DRAM進入市場；　1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz芯片採用 0.8μm工藝；　1992年：64M位隨機存儲器問世；　1993年：66MHz奔騰處理器推出，採用0.6μm工藝；　1995年：Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；集成電路

1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，採用0.25μm工藝；　1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；　2000年：1Gb RAM投放市場；　2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；　2001年：Intel宣佈2001年下半年採用0.13μm工藝。　2003年：奔騰4 E系列推出，採用90nm工藝。　2005年：intel 酷睿2系列上市，採用65nm工藝。　2007年：基於全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。　2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。

我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：　1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；　1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；　1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。

(ball grid array)　球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以代替引集成電路

腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

(quad flat package with bumper)　帶緩衝墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩衝墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。

(ceramic)　表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的集成電路

Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

(chip on board)　板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。

(dual flat package)　雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，已基本不用。

(dual in-line ceramic package)　陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

(dual in-line)　DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。

(dual in-line package)　雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用範圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

(dual small out-lint)　雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。

(dual tape carrier package)　雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是集成電路

TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。

(dual tape carrier package)　同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。

(flat package)　扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家採 用此名稱。

倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹係數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，並使用熱膨脹係數基本相同的基板材料。

(fine pitch quad flat package)　小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家採 用此名稱。

(globe top pad array carrier)　美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

(quad fiat package with guard ring)　帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。

(with heat sink)　表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。

(surface mount type)　表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列集成電路

狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。

(J-leaded chip carrier)　J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。

(Leadless chip carrier)　無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。

(land grid array)　觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作複雜，成本高，基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。

(lead on chip)　芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於芯片上方的一種結構，芯片 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架佈置在芯片側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

(low profile quad flat package)　薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。

(multi-chip module)　多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊佈線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。佈線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層佈線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。佈線密度高於MCM－L。　MCM－D 是用薄膜技術形成多層佈線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 佈線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

(mini flat package)　小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。

(metric quad flat package)　按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP(見QFP)。

(metal quad)　美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。

(mini square package)　QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。　34、OPMAC(over molded pad array carrier)　模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。

(plastic)　表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。

(pad array carrier)　凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。

(printed circuit board leadless package)　印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引　腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。正處於開發階段。

(plastic flat package)　塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。

(pin grid array)　陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 採 用多層陶集成電路

瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。

(plastic leaded chip carrier)　帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)　有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分　LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。

(quad flat high package)　四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。

(quad flat I-leaded packgac)　四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。

(quad flat J-leaded package)　四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。　材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。　陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數從32 至84。

(quad flat non-leaded package)　四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的集成電路

名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。　塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

(quad flat package)　四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝佔絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。　日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。　另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩衝墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體裏設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具裏就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 裏。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

(FP)(QFP fine pitch)　小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。

(quad in-line ceramic package)　陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。

(quad in-line plastic package)　塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。

(quad tape carrier package)　四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。

(quad tape carrier package)　四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。

(quad in-line)　QUIP 的別稱(見QUIP)。

(quad in-line package)　四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標準印刷線路板。是 比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機芯片中採 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。

(shrink dual in-line package)　收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，　因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

(shrink dual in-line package)　同SDIP。部分半導體廠家採用的名稱。

(single in-line)　SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱。

(single in-line memory module)　單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 裏。

(single in-line package)　單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定製產品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

(skinny dual in-line package)　DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見 DIP)。

(slim dual in-line package)　DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。

(surface mount devices)　表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。　SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。(見SOP)。

(small out-line I-leaded package)　I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝佔有面積小於SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中採用了此封裝。引 腳數 26。

(small out-line integrated circuit)　SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家採用此名稱。

(Small Out-Line J-Leaded Package)　J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料製品，多數用於DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見SIMM )。

(Small Out-Line L-leaded package)　按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標準對SOP 所採用的名稱(見SOP)。

(Small Out-Line Non-Fin)　無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家採用的名稱(見SOP)。

(small Out-Line package)　小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。　SOP 除了用於存儲器LSI 外，也廣泛用於規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8 ～44。　另外，引腳中心距小於1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

(Small Outline Package(Wide-Jype))　寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱。

近幾年，中國集成電路產業取得了飛速發展。中國集成電路產業已經成為全球半導體產業關注的焦點，即使在全球半導體產業陷入有史以來程度最嚴重的低迷階段時，中國集成電路市場仍保持了兩位數的年增長率，憑藉巨大的市場需求、較低的生產成本、豐富的人力資源，以及經濟的穩定發展和寬鬆的政策環境等眾多優勢條件，以京津唐地區、長江三角洲地區和珠江三角洲地區為代表的產業基地迅速發展壯大，製造業、設計業和封裝業等集成電路產業各環節逐步完善。　2006年中國集成電路市場銷售額為4862.5億元，同比增長27.8%。其中IC設計業年銷售額為186.2億元，比2005年增長49.8%。　2007年中國集成電路產業規模達到1251.3億元，同比增長24.3%，集成電路市場銷售額為5623.7億元，同比增長18.6%。而計算機類、消費類、網絡通信類三大領域佔中國集成電路市場的88.1%。

中國集成電路產業已經形成了IC設計、製造、封裝測試三業及支撐配套業共同發展的較為完善的產業鏈格局，隨着IC設計和芯片製造行業的迅猛發展，國內集成電路價值鏈格局繼續改變，其總體趨勢是設計業和芯片製造業所佔比例迅速上升。

國家集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟理事長王新潮也在新年賀詞中表示，展望2014年，半導體產業的發展趨勢值得期待。隨着國家各項產業政策得到進一步落實，中國集成電路產業發展環境趨向良好，新型工業化、信息化、城鎮化、農業現代化建設等需求不斷擴大。未來幾年，將是我國集成電路產業發展的重要戰略機遇期和黃金髮展期。 ^[1] 

根據《集成電路產業“十二五”發展規劃》，到2015年，中國芯片設計業的銷售收入將達到1100億元左右，2013-2015年芯片設計業銷售收入年均複合增長率將達到24.2%。 ^[1]