陳弘

陳弘，中科院物理研究所碩士生導師，1984年西安交通大學電子工程系半導體器件專業畢業，獲得學士學位，1992年中國科學院物理研究所獲得博士學位，1992年至今從事分子束外延和MOCVD半導體材料生長及結構與物性研究。1996年～1997年香港科技大學訪問工作。

GaN基材料的MOCVD生長及物性研究，GaN基材料在發光二極管、激光器、紫外探測器、微電子方面的應用研究。從事電鏡研究。 ^[1] 

在國外主要刊物上發表論文40多篇，申請專利7項。現為物理所新型化合物半導體材料和物性研究課題組長。

1.發明了一種新的SiGe生長技術。採用低温Si作為應力釋放的犧牲層的方法得到了位錯密度低於106cm-2的完全弛豫的SiGe層。

2.對GaAs（001）襯底上生長GaN薄膜的相結構的控制進行了系統的研究，提出了完全不同於國外已經報道的影響GaN外延層相結構的生長機制如氮化及其温度和時間、As壓的使用等。

3.在GaN基發光二極管外延片的研究中解決了大失配外延，量子阱的生長，發光二極管的結構的生長和設計的問題。GaN HEMT的研究解決了GaN的半絕緣和AlGaN的生長和HEMT的結構優化。承擔了863、科學院創新重要方向、973和基金等課題。

承擔863課題“GaN基發光二極管的外延生長和器件工藝研究”，973和科學院創新工程重要方向課題“GaN基HEMT外延材料研究”，973課題“GaN基紫外探測器外延材料的研究”和基金課題“GaN基發光二極管的發光機理研究”。