間接帶隙半導體

電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。

與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

鍺和硅的價帶頂Ev都位於布里淵區中心，而導帶底Ec則分別位於<100>方向的簡約布里淵區邊界上和布里淵區中心到布里淵區邊界的0.85倍處，即導帶底與價帶頂對應的波矢不同。這種半導體稱為間接禁帶半導體。