帶隙

能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固體物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 ^[1] 

對一個本徵半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能級E₀的概率。又假設E₀>>E_F，E_F是所謂的費米能級，電子佔據E₀的概率可以利用玻爾茲曼近似簡化為：

在上式中， E_g是能隙的寬度、k是玻爾茲曼常數，而T則是温度。

半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的外延材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如異質結雙極性晶體管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、激光二極管，或是太陽能電池上已經成為主流。

由單晶氮化鎵薄膜製成的III-N壓電傳感器，在温度高於350℃時，其靈敏度會降低。靈敏度的下降是由於帶隙（激發電子並提供導電性所需的最小能量）不夠寬。 ^[2]