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赤崎勇
鎖定
赤崎勇（日語平假名：あかさき いさむ，英語：Isamu Akasaki，1929年1月30日—2021年4月1日），出生於日本鹿兒島縣知覽町，諾貝爾物理學獎得主，美國國家工程院外籍院士，日本學士院院士，名古屋大學傑出教授。
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赤崎勇於1952年3月獲得京都大學理學學士學位；1952年4月至1959年3月擔任神户工業公司（現為富士通公司）研究人員；1959年4月至1964年3月曆任名古屋大學電子學系研究助理、助理教授和副教授；1964年3月獲得名古屋大學電子學博士學位；1964年4月至1974年4月擔任松下電子工業公司基礎研究第四實驗室負責人；1974年5月至1981年7月擔任松下電子工業公司半導體部門總經理；1981年8月至1992年3月擔任名古屋大學電子學系教授；1992年4月成為名古屋大學名譽教授，同月擔任名城大學理工研究生院教授；1999年1月當選為國際電氣與電子工程師學會會士；2001年4月成為名古屋大學赤崎研究中心研究員；2004年12月成為名古屋大學大學傑出教授；2008年10月當選為美國國家工程院外籍院士；2010年被名古屋大學返聘為教授，同年被名城大學聘為教授；2011年4月出任名城大學氮化物半導體核心技術研究中心主任；2013年1月當選為國際電氣與電子工程師學會終身會士（IEEE Life Fellow）；2014年12月獲得諾貝爾物理學獎，同年當選為日本學士院院士；2021年4月1日在名古屋去世，享年92歲。
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- 中文名
- 赤崎勇
- 外文名
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あかさき いさむ
Isamu Akasaki - 國 籍
- 日本
- 出生地
- 日本鹿兒島縣知覽町
- 出生日期
- 1929年1月30日
- 逝世日期
- 2021年4月1日
- 畢業院校
- 名古屋大學
- 職 業
- 教育科研工作者
- 主要成就
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1999年1月當選為國際電氣與電子工程師學會會士（IEEE Fellow）
2008年10月當選為美國國家工程院外籍院士
2013年1月當選為國際電氣與電子工程師學會終身會士（IEEE Life Fellow）
2014年當選為日本學士院院士
2014年12月獲得諾貝爾物理學獎 - 學 歷
- 研究生
- 學 位
- 博士
赤崎勇人物生平
1952年4月—1959年3月，擔任神户工業公司（現為富士通公司）研究人員。
1974年5月—1981年7月，擔任松下電子工業公司半導體部門總經理。
1992年4月，成為名古屋大學名譽教授，同月擔任名城大學理工研究生院教授。
1996年7月—2001年3月，擔任日本學術振興會“未來計劃”項目的負責人。
2001年4月，成為名古屋大學赤崎研究中心研究員。
2008年10月，當選為美國國家工程院外籍院士。
2011年4月，出任名城大學氮化物半導體核心技術研究中心主任。
赤崎勇主要成就
赤崎勇科研成就
- 科研綜述
赤崎勇在1970年代中期開始氮化物半導體的研究。經過多次嘗試後，赤崎勇於1979年決定採用有機金屬化學氣相沉積（OMVPE/MOVPE/MOCVD）方法，這在當時被認為是一種非傳統的嘗試。為了克服GaN外延層與藍寶石基板之間的巨大晶格失配問題，他在約500°C的低温下引入了一層薄的緩衝層，然後在約1000°C的高温下生長GaN。1986年，他成功生長出高質量的GaN外延層。
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1989年，他發現了通過鎂摻雜和後處理實現的p型GaN的導電性，並推翻了此前研究人員普遍認為p型GaN在理論上是不可能實現的觀點。同年，他展示了世界上第一個p-n結藍色LED。1990年，他的團隊在室温下實現了GaN的紫外受激發射，這對於激光二極管的發展至關重要，並在同年實現了n型GaN的導電性控制。
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自此之後，赤崎勇繼續在氮化物半導體研究中發揮領導作用，並在材料科學領域作出了進一步的貢獻，包括驗證量子尺寸效應、闡明壓電極化機制以及進一步提高氮化物合金的晶體質量。這些科學和技術成就已成為氮化物基器件生產的全球標準。
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1993年，一家日本公司宣佈首次生產基於氮化物的藍色LED。這一成功建立在赤崎勇的研究成果基礎上。通過藍色LED、白色LED、藍色激光二極管和高頻晶體管的商業化應用，他的研究成果得到了進一步的認可。
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- 學術論文
發表時間 | 文章標題 | 刊物名稱 |
|---|---|---|
1967年 | Infrared lattice vibration of vapour-grown AlN | 《固態通信》（Solid State Communications） |
1981年 | Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode | 《物理學會會議系列》（Institute of Physics Conference Series） |
1986年 | Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer | 《應用物理快報》（Applied Physics Letters） |
1989年 | Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0<x≦0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE | 《晶體生長雜誌》（Journal of Crystal Growth） |
1989年 | P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
1990年 | Stimulated emission near ultraviolet at room temperature from a GaN film grown on sapphire by MOVPE using an AlN buffer layer | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
1991年 | Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED | 《晶體生長雜誌》（Journal of Crystal Growth） |
1991年 | Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy | 《晶體生長雜誌》（Journal of Crystal Growth） |
1994年 | MOVPE growth of high quality AlxGa1-xN/GayIn1-yN (x>0, y<1) heterostructures for short wavelength light emitter | 《材料研究學會會議論文集》（Materials Research Society Symposium Proceedings） |
1995年 | p-type conduction in Mg-doped Ga0.91In0.09N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy | 《應用物理快報》（Applied Physics Letters） |
1995年 | Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
1996年 | Shortest wavelength semiconductor laser diode | 《電子快報》（Electronics Letters） |
1997年 | Quantum-confined stark effect due to piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
2000年 | Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
2000年 | Solar-blind UV photodetectors based on GaN/AlGaN p-i-n photodiodes | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
2006年 | High On/Off ratio in enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
2012年 | White light-emitting diode based on fluorescent SiC | 《薄膜固態薄膜》（Thin Solid Films） |
2012年 | Correlation between device performance and defects in GaInN-based solar cells | 《應用物理快報》（Applied Physics Express） |
2013年 | Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity | 《物理狀態固體》（Physica Status Solidi RRL） |
2013年 | GaInN-based tunnel junctions in n–p–n light emitting diodes | 《日本應用物理學雜誌》（Japanese Journal of Applied Physics） |
赤崎勇人才培養
- 培養成果
赤崎勇的學生天野浩，於1979年進入名古屋大學電氣工程系學習，並在赤崎勇的實驗室開始研究氮化鎵基藍光發光二極管（LED），他們通過在藍寶石基板上使用鋁氮化物層並生長高質量的氮化鎵晶體，首次成功製造出高質量的藍光LED。並於2014年與中村修二共享了諾貝爾物理學獎。
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赤崎勇榮譽表彰
獲獎時間 | 榮譽表彰 | 授予單位 |
|---|---|---|
1991年5月 | 中日文化獎 | 中日新聞社 |
1995年8月 | 海因裏希·威爾克獎章 | 國際化合物半導體研討會 |
1996年11月 | IEEE/LEOS工程成就獎 | 國際電氣與電子工程師學會（IEEE）激光與電光學會 |
1997年11月 | 紫綬褒章 | 日本政府 |
1998年7月 | 井上春重獎 | 日本科學技術振興機構與豐田合成公司 |
1998年7月 | 勞迪斯獎 | 國際晶體生長組織 |
1998年11月 | C&C獎 | 日本電氣股份有限公司計算與通信（NEC C&C）促進基金會 |
1998年12月 | 傑克·A·莫頓獎 | 國際電氣與電子工程師學會 |
1998年12月 | 蘭克獎 | 蘭克基金會 |
1999年1月 | 國際電氣與電子工程師學會會士 | 國際電氣與電子工程師學會 |
1999年5月 | 固態科學與技術獎 | 電化學學會 |
1999年7月 | 蒙彼利埃榮譽市民 | 法國蒙彼利埃市政府 |
1999年11月 | 蒙彼利埃大學名譽博士學位 | 法國蒙彼利埃第二大學 |
2000年3月 | 東麗科學技術獎 | 東麗科學基金會 |
2001年1月 | 朝日獎 | |
2001年5月 | 林雪平大學名譽博士學位 | 瑞典林雪平大學 |
2002年3月 | 傑出成就獎 | 日本應用物理學會 |
2002年6月 | 藤原獎 | 藤原科學基金會 |
2002年11月 | 旭日中綬章 | 日本政府 |
2002年11月 | 武田獎 | 武田財團 |
2003年9月 | SSDM獎 | 國際固態器件與材料會議 |
2004年11月 | 文化功勳者 | 日本政府 |
2006年3月 | 礦物、金屬與材料學會 | |
2008年10月 | 美國國家工程院外籍院士 | 美國國家工程院 |
2009年11月 | 京都獎 | 稻盛財團 |
2011年8月 | 愛迪生獎 | 國際電氣與電子工程師學會 |
2011年9月 | 知識產權活動特別獎 | 日本科學技術振興機構 |
2011年11月 | 文化勳章 | |
2012年12月 | 南九州市榮譽市民 | |
2013年1月 | 國際電氣與電子工程師學會終身會士（IEEE Life Fellow） | 國際電氣與電子工程師學會 |
2013年5月 | 卡爾·費迪南德·布勞恩獎 | 信息顯示學會 |
2014年5月 | 大川出版獎 | 大川基金會 |
2014年7月 | 恩賜獎及日本學士院獎 | 日本學士院 |
2014年12月 | 諾貝爾物理學獎 | |
2014年12月 | 日本學士院院士 | |
2015年2月 | 美國國家工程院 | |
赤崎勇社會任職
任職時間 | 任職單位 | 擔任職務 |
|---|---|---|
1995年4月—1996年3月 | 北海道大學界面量子電子學研究中心 | 客座教授 |
2002年4月—2004年3月 | 理事 | |
2003年4月—2006年3月 | 基於氮化物半導體的無線設備研發戰略委員會主席 | |
赤崎勇人物評價
（赤崎勇）被認為是開發基於氮化鎵的藍色LED的先驅（a result of his recognition as a pioneer in developing the GaN-based blue LED）。（日本學士院評）
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- 參考資料
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- 1. Akasaki Isamu | Biography, Nobel Prize, & Facts | ．Britannica[引用日期2024-06-07]
- 2. Isamu Akasaki – Biographical ．NobelPrize.org[引用日期2024-06-07]
- 3. Isamu Akasaki ．日本學士院[引用日期2024-06-07]
- 4. Isamu Akasaki – Interview ．NobelPrize.org[引用日期2024-06-07]
- 5. ISAMU AKASAKI 1929-2021 ．NAE Website[引用日期2024-06-07]
- 6. Hiroshi Amano – Biographical ．NobelPrize.org[引用日期2024-06-07]
