中村修二

1954年5月22日，中村修二出生於日本愛媛縣伊方町。 ^[1] 

1977年，被德島大學授予電子工程學士學位。

1979年，被德島大學授予電子工程碩士學位。同年，加入德島一家小公司日亞化學工業株式會社（Nichia Chemical），最初從事生長用於LED的磷化鎵和砷化鎵晶體的工作。 ^[1-2] 

1988年，向日亞化學工業株式會社時任CEO小川信夫申請超過300萬美元的資金，並要求在蓋恩斯維爾的佛羅里達大學學習一年，以學習用於生產藍色LED半導體的金屬有機化學氣相沉積技術，得到了小川信夫同意。同年，作為訪問研究員在佛羅里達大學學習。 ^[1-2] 

1994年，被德島大學授予工程學博士學位。同年，開始致力於使用氮化鎵生產藍色激光二極管。

1999年，離開日亞化學工業株式會社。 ^[1] 

2000年，加入加州大學聖塔芭芭拉分校材料系擔任教授。

2001年，被任命為加州大學聖塔芭芭拉分校固態照明和顯示中心Cree講席教授（Cree公司贊助）。

2003年，當選為美國國家工程院院士。 ^[1-2] 

2008年，與人共同創辦Soraa公司，該公司在加州硅谷和聖塔芭芭拉設有一體化的製造設施。 ^[2] 

2013年，與Steven DenBaars教授、James Raring博士和Paul Rudy博士共同創辦SLD Laser公司，致力於藍色激光和激光照明產品。SLD Laser於2021年初被京瓷公司收購。 ^{[1]  [3]} 

2014年，因發明藍色發光二極管（LED）而與日本材料科學家赤崎勇和天野浩共享諾貝爾物理學獎。 ^[1] 

中村修二自1989年開始了基於III族氮化物材料的藍光LED研究。1990年，他開發了一種新型的MOCVD系統用於氮化鎵（GaN）的生長，該系統被命名為雙流MOCVD。利用這一系統，他成功生長出了最高晶體質量的GaN基材料。 ^[3] 

1991年，他首次通過熱退火法獲得了p型GaN薄膜，並首次澄清了氫鈍化作為空穴補償機制的現象。自1960年代許多研究者開始GaN研究以來，這種氫鈍化現象一直阻礙着p型GaN薄膜的獲得。 ^[3] 

1992年，他成功生長出第一批顯示出室温下帶-帶發射的InGaN單晶層。這些InGaN層被用作所有藍光/綠光/白光LED以及所有紫光/藍光/綠光半導體激光器的發光層。InGaN層的發明對藍光/綠光/白光LED以及紫光/藍光/綠光半導體激光二極管至關重要。 ^[3] 

在1993年和1995年，他開發出了第一批基於III族氮化物的高亮度藍光/綠光LED。1995年，他還開發出了第一批基於III族氮化物的紫光激光二極管（LD）。1996年，他曾經供職的公司日亞化學工業株式會社開始銷售基於他發明的藍光LED的白光LED。這些白光LED被用於各種照明應用，以節約能源消耗。1999年，日亞化學工業株式會社開始銷售用於藍光DVD的紫光激光二極管。 ^[3] 

截至2019年6月，中村修二發表論文691篇。 ^[6] 

截至2019年1月，中村修二擁有200多項美國專利和175多項日本專利。 ^{[3]  [6]} 

中村修二曾獲2008年日本應用物理學會傑出論文獎。 ^[6] 

中村修二建議學生和年輕研究者要找到自己真正感興趣的領域，併為之努力工作。他認為，這種熱情和專注是取得重大發明和突破的關鍵。 ^[4] 

中村修二於1999年離開了日亞化學工業株式會社（由於藍色LED和激光的成功，該公司處境已不再困難），2000年成為加州大學聖塔芭芭拉分校材料系教授。日亞化學要求中村修二簽署一份保密協議，規定他在幾年內不得從事LED相關工作。加州大學建議中村修二不要簽署，日亞化學因此以違反商業機密為由起訴他。中村修二在2001年反訴，要求藍色LED的200億日元（1.93億美元）專利費（在此之前，中村修二僅因其發明獲得了2萬日元[180美元]的獎勵）。2004年，他贏得了訴訟，但日亞化學提出上訴，和解金額在2005年被減少到8.4億日元（810萬美元）。中村修二對此結果並不滿意，但此案在日本知識產權法領域具有里程碑意義。 ^[1] 

中村修二教授幫助開創了一場固態照明的科學革命，對信息和通信、能源和環境、醫療保健和生命科學等領域產生了深遠影響。通過使發展中國家能夠獲得負擔得起的節能LED照明，中村修二教授也對世界做出了巨大的人道主義貢獻（Dr. Nakamura has helped to pioneer a scientific revolution in solid-state lighting, with far-reaching impact on fields ranging from information and communication, to energy and the environment, to health care and life sciences. By making it possible to bring affordable, energy-efficient LED lighting to developing countries, Professor Nakamura has also made a tremendous humanitarian contribution to our world.）。（加州大學聖塔芭芭拉分校時任校長楊祖佑評） ^[3] 

中村修二博士在固態照明方面的成就繼續對照明和計算技術產生深遠影響。我們今天享受的LED燈泡、顯示器、移動設備和大型平板顯示器，都要感謝他開創性的研究（Dr. Nakamura’s achievements in solid-state lighting continue to have far-reaching impact on lighting and computing technology. We all have his pioneering research to thank for the LED light bulb, monitors, mobile devices, and large flat screen displays that we enjoy today）。（加州大學聖塔芭芭拉分校工程學院時任院長Rod Alferness評） ^[3] 

（中村修二）因其在半導體氮化鎵方面的技術成就而聞名，他被廣泛認為是基於寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）及其與鋁和銦合金的發光器件的世界先驅（Known for his technological achievements with semiconducting gallium nitrides, he is widely recognized as the world pioneer in light emitters based on the wide-bandgap semiconductor gallium nitride (GaN) and its alloys with aluminum and indium）。（加州大學聖塔芭芭拉分校評） ^[3]