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葉兵
（中國科學院近代物理研究所副研究員）
鎖定
葉兵 1989.09生，男，中國科學院近代物理研究所副研究員。2008年進入南昌大學就讀大學本科，2012年進入中國科學院大學完成碩士階段的學習，其後與蘭州大學聯合培養，並最終獲得博士學位。2017年7月起就職於中科院近代物理研究所，從事科研工作
[1]
，2021年5月聘為中科院近代物理研究所副研究員
[2]
。
葉兵教育背景
- 2014.9-2017.6 蘭州大學，物理科學與技術學院，博士研究生
- 2014.9-2017.6 中國科學院大學，近代物理研究所，博士研究生
- 2012.9-2014.6 中國科學院大學，近代物理研究所，碩士研究生
- 2008.9-2012.6 南昌大學，高等研究院，本科
葉兵工作經歷
- 2021.05-至今 中國科學院近代物理研究所 副研究員
- 2017.07-2021.05 中國科學院近代物理研究所 助理研究員
葉兵研究方向
葉兵主持項目
- 國家自然科學基金青年科學基金項目，2022.01 -2024.12，30萬元，主持；
- 模擬集成電路重點實驗室開放項目，2022.01-2023.12，30萬元，主持；
- 模擬集成電路重點實驗室穩定支持項目，2018-06至2020-06，30萬元，主持。
葉兵招生專業
- 070205-凝聚態物理
- 085600-材料與化工
葉兵學術論文
- Exploring the Impact of Shrinking Feature Sizes on Proton-Induced Saturation SEU Cross-Section through Simulation，MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第1/通訊作者
- Investigation of radiation response for III-V binary compound semiconductors due to protons using Geant4, NIMB, 2022, 第1/通訊作者
- Differences in MBUs induced by high-energy and medium-energy heavy ions in 28 nm FPGAs, NUCL SCI TECH, 2022, 通訊作者
- Effect of Temperature on the Heavy Ion Induced Single Event Transient on 16 nm FinFET Inverter Chains, CHINESE PHYSICS B, 2022, 通訊作者
- Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM, CHINESE PHYSICS B, 2021, 通訊作者
- Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 第1/通訊作者
- Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第1/通訊作者
- Influence of Orbital Parameters on SEU Rate of Low-Energy Proton in Nano-SRAM Device, SYMMETRY-BASEL, 2020, 第1/通訊作者
- Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 1 作者
- Low energy proton induced single event upset in 65nm DDR and QDR commercial SRAMs, NIMB, 2017, 第1/通訊作者
- Mechanisms of alpha particle induced soft errors in nanoscale static random access memories, ACTA PHYSICA SINICA, 2020, 第 2 作者
- Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 4 作者
- Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130nm CMOS based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs, NST, 2019, 第 9 作者
- Annealing behavior study on floating gate errors induced byγfollowed by heavy ion irradiation, 核技術, 2019, 第 6 作者
- Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 5 作者
- Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices, 原子核物理評論, 2019, 第 5 作者
- Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 6 作者
- Investigation of flux dependent sensitivity on single event effect in memory devices, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 10 作者
- Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM Under Different Measurement Conditions, IEEE TNS, 2018, 第 6 作者
- Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation, NIMB, 2018, 第 6 作者
- Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells, 中國物理B：英文版, 2018, 第 6 作者
- Radiation-Induced "Fake MBU" by Heavy Ion in 65 nm SRAM with ECC, 原子核物理評論, 2018, 第 5 作者
- Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25 MeV/u 86Kr ion microbeam at HIRFL, NIMB, 2017, 第11作者
- A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM, NIMB, 2017, 第 8 作者
- Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices, NIMB, 2017, 第 8 作者
- Prediction of proton-induced SEE error rates for the VATA160 ASIC, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2017, 第 9 作者
- Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data, CHINESE PHYSICS C, 2016, 第 9 作者
- Impact of Heavy-ion Nuclear Reactions on Single Event Upset, Nuclear Physics Review, 2015, 第 7 作者
- 參考資料
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- 1. 葉兵科研在線主頁 ．科研在線[引用日期2017-09-18]
- 2. 葉兵-中國科學院大學-UCAS ．中國科學院大學[引用日期2022-08-11]
