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王穎

（哈爾濱工程大學教授）

鎖定
王穎，男，1977年11月生，教授，博士生導師。哈爾濱工程大學信息與通信工程學院電子技術系主任，微電子科學與工程專業負責人。2005年西安交通大學畢業後參加工作，分別於2006年、2009年晉升為副教授和教授。長期致力於功率半導體器件設計及製造技術、半導體器件輻射效應與加固技術的研究工作。以第一作者/通訊作者在國際期刊發表SCI收錄論文52篇（其中JCR一區27篇、二區18篇），獲發明專利授權14項。獲黑龍江省科學技術（自然類）二等獎2項、第十屆黑龍江省青年科技獎；入選2010年度教育部“新世紀優秀人才支持計劃”。
中文名
王穎
出生日期
1977年11月
職    業
教師
性    別
男

目錄

  1. 1 主要研究方向
  2. 2 主要承擔項目
  3. 3 獲獎情況
  4. 4 代表性論文

王穎主要研究方向

1、功率半導體器件及其可靠性
2、微納電子器件輻射效應與加固技術
3、微傳感器及接口電路

王穎主要承擔項目

1、國家自然基金面上項目 [1] 
2、教育部科學技術研究重大項目 [1] 
3、教育部“新世紀優秀人才支持計劃”項目 [1] 
4、黑龍江省自然科學基金重點項目 [1] 
5、哈爾濱市科技局科技創新專項基金（傑出青年） [1] 
6、中央高校基本科研業務費（創新團隊） [1] 

王穎獲獎情況

黑龍江省科學技術獎二等獎（自然類，排名第一），2012年 [1] 
黑龍江省科學技術獎二等獎（自然類，排名第五），2014年 [1] 
黑龍江省青年科技獎, 2011年 [1] 
黑龍江省高校科學技術獎一等獎（排名第一）, 2011年 [1] 

王穎代表性論文

1.Ying Wang*, Yue Zhang, Fei Cao, Ming guang Shan. Single-event Burnout Hardened Structure of Power UMOSFETs with Schottky Source. IEEE Transactions on Power Electronics, 2014, 29(7): 3733-3737.
2.Ying Wang*, Cheng-hao Yu, Zheng Dou, Wei Xue.Single-Event Burnout Hardening of Power UMOSFETs With Integrated Schottky Diode. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(5): 1464-1469.
3.Ying Wang*, Xiao-wen He, Chan Shan. A Simulation Study of SoI-Like Bulk Silicon MOSFET With Improved Performance. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(9): 3339 - 3344.
4.Ying Wang*, Wen-li Jiao, Hai-Fan Hu, Yun-tao Liu, Jing Gao. Split Gate Enhanced Power UMOSFET with Soft Reverse Recovery. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(6): 2084-2089.
5.Ying Wang*, Hai-fan Hu, Cheng-hao Yu, Hao Lan. High Performance Split GateEnhanced UMOSFET with p-pillar Structure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(7): 2302-2307.
6.Ying Wang*, Yue Zhang, Li-guo Wang, Chenghao Yu. Single-event Burnout Hardening of Power UMOSFETs with Optimized Structure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(6): 2001-2007.
7.Ying Wang*, Yue Zhang, Cheng-hao Yu. Research of Single-event Burnout in Power UMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(2): 161-166.
8.Ying Wang*, Ting Li,Yu-xian Chen, Fei Cao. High-Performance Junction Barrier Schottky Rectifier With Optimized Structure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(1): 114-120.
9.Ying Wang*, Hai-fan Hu, Wen-li Jiao, Yun-tao Liu, Lei Shao. Split Gate Enhanced UMOSFET with Optimized Layout of Trench Surrounding Mesa. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(11): 3037-3041.
10.Ying Wang*, Li-kun Xu, Zhi-kun Miao. A Superjunction Schottky Barrier Diode with Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(12):1744-1746.
11.Ying Wang*, Hai-fan Hu, Wen-Li Jiao and Chao Cheng. Gate Enhanced Power UMOSFET with Ultra-Low On-Resistance, IEEE Electron Device Letters. 2010, 31(4):338-340.
12.Ying Wang*, Hai-fan Hu and Wen-Li Jiao. High-Performance Gate-Enhanced Power UMOSFET With Optimized Structure, IEEE Electron Device Letters. 2010, 31(11):1281-1283.
參考資料