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温差電現象

鎖定
温差電現象(thermoelectric phenomena)是由温差而引起電動勢以及由電流而引起吸熱放熱的現象。又稱熱電現象。它包括塞貝克、珀耳帖及湯姆孫等三個效應
中文名
温差電現象
外文名
thermoelectric phenomena
別    名
熱電現象
特    徵
由電流而引起吸熱和放熱的現象

温差電現象温差電效應

温差電效應研究是一門古老而又年輕的學科,它很好的將温度差異和電壓的產生兩者聯繫起來,被廣泛應用於高温測量、温差發電等領域。構成温差電技術的基礎有三個基本效應:塞貝克效應、珀爾帖效應和湯姆遜效應。早在1821年,德國科學家塞貝克就發現了温差電的第一個效應,所以,人們稱之為塞貝克效應——將兩種不同的金屬連接,構成一個閉合迴路,如果兩個接頭處存在温差,迴路中便產生電流。該效應便成了温差發電的技術基礎。1834年法國科學家珀爾帖發現電致冷所依賴的珀爾帖效應,它是塞貝克效應的逆效應——將兩種不同的金屬連接,構成一個閉合迴路,如果迴路中存在直流電流,兩個接頭之間便會產生温差。而第三個效應——湯姆遜效應,是湯姆遜在1856年發現的 [1] 

温差電現象塞貝克效應

將兩個不同導體(或半導體)兩端相連,組成一回路,當兩個接頭處在不同温度時,在迴路中有電動勢產生的現象。1821年由德國物理學家T.塞貝克發現。這電動勢稱為温差電動勢。單位温度差所產生的電動勢稱為温差電動勢率:
α12=εT
式中ε為温差電動勢,ΔT為兩個接頭的温度差。温差電動勢率的數值決定於兩種連接材料的性質,它可表示成:
α12=α1α2
式中α1α2為只與材料有關的參量,稱為材料1和材料2的絕對温差電動勢率。半導體的絕對温差電動勢率約比金屬的大1,000倍。温差電動勢率也與温度有關,隨着温度的上升稍有下降。金屬的塞貝克效應常被應用於測量温度,而半導體的塞貝克效應常可被用來將熱能直接轉化成電能,即製成半導體温差發電器 [2] 

温差電現象珀耳帖效應

當有電流通過由兩種不同材料組成的迴路時,在兩種材料的接頭處會發生吸熱或放熱的現象。1834年由法國物理學家J.珀耳帖發現。若由導體1到導體2流過接頭的電流為I,接頭處單位時間內吸收或放出熱量為Q,則有:
Q=Π12I
式中Π12稱為珀耳帖係數,正時表示吸熱,負時表示放熱。珀耳帖效應是可逆現象,當電流反向時,原來在接頭處吸熱的變為放熱,原來放熱的變為吸熱,即:
Π12=-Π21
珀耳帖係數與兩種連接材料的性質及接頭處的温度有關,亦可表示成:
Π12=Π1Π2
這裏Π1Π2只與材料的性質有關,它們與材料1及材料2的絕對温差電動勢率α1α2成正比:
Π1=α1T
Π2=α2T
式中T為接頭處的絕對温度。由此可見,半導體的珀耳帖係數也比金屬大得多。利用半導體的珀耳帖效應可製造致冷機。在製作温差發電機及致冷機時,為了提高效率必須選擇絕對温差電動勢率高,而熱導率電阻率低的材料,常採用一綜合參量——優值Z來衡量材料的優劣:
Z=α2/μρ
式中μρ分別表示熱導率及電阻率。半導體Bi2Te3被認為是一種重要的温差電材料,它的絕對温差電動勢率α約為2×10伏/開,μ=1.5瓦/(米·開),ρ=10-5歐·米,可得Z≈2.7×10-3/開。

温差電現象湯姆孫效應

當有電流流過存在温度梯度的導體(或半導體)時,除焦耳熱外,還會產生附加的吸熱或放熱的現象。1856年由英國物理學家W.湯姆孫發現,稱為湯姆孫效應。單位時間單位體積所吸收或放出的熱量可表示為:
Q=σjΔTx
式中j為流過導體的電流密度,ΔT為導體兩端的温度差,Δx為導體的長度σ稱為湯姆孫係數。湯姆孫效應是可逆的熱效應,當電流反向時吸熱的變成放熱。σ的大小及符號決定於材料的性質與温度,它與材料的絕對温差電動率有下面的關係:
α=0TσdT/T
上式提供了一種測量絕對温差電動勢率的方法 [3] 
參考資料
  • 1.    戴巖偉, 戴曉明. 温差電效應及其應用[J]. 現代物理知識, 2008(1):20-21.
  • 2.    陳廷傑. 温差電現象及其應用[J]. 物理, 1965(9):11-20+22.
  • 3.    文華, 姚元鵬, 劉昌, et al. 基於温差電效應回收發動機廢氣餘熱的研究[J]. 南昌大學學報(工科版), 2011, 33(1):45-48.