梁駿吾

梁駿吾(4張)

1933年9月18日，梁駿吾出生於湖北省武漢市。

1951年—1955年，就讀於武漢大學物理專業，畢業並獲得學士學位 ^[14]  。

1956年—1960年，就讀於前蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所，畢業並獲得副博士學位。

1960年—1969年，擔任中國科學院半導體研究所副室主任、助理研究員。

1970年—1978年，擔任湖北宜昌半導體廠助理研究員。

1978年，晉升為中國科學院半導體研究所研究員 ^[2]  。

1997年，當選為中國工程院院士 ^[1]  。

2014年10月，梁駿吾與宜昌南玻硅材料有限公司簽約，並在宜昌南玻會議室舉行院士專家工作站授牌簽約儀式 ^[15]  。

2022年6月23日，半導體材料專家、中國工程院院士、中國科學院半導體所研究員梁駿吾因病醫治無效在北京逝世，享年89歲。 ^[18] 

梁駿吾負責國家十二年科技規劃中的高純硅研製，得到電阻率為15×104ohm-cm的硅單晶，是當時國際上最好結果之一，獲1964年國家科委頒發的國家科技成果二等獎。研製的硅無坩堝區熔提純設備獲1964年國家科委全國新產品二等獎。1964—1965年負責組建GaAs液相外延研究。1965年首次研製成功中國國內第一隻室温脈衝相干激光器用的砷化鎵外延材料。1966—1969年負責156工程中集成電路用硅外延材料任務。解決了連續生長硅高摻雜外延層、SiO2介質層、多晶硅層的工藝技術。為中國第一代介質隔離集成電路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研製中，成功製備大規模集成電路用無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質量直拉硅單晶。該兩項研究分別獲中科院1979年及1980年重大成果一等獎。20世紀80年代首創了摻氮中子嬗變區熔硅單晶，獲1988年中科院科技進步一等獎。完成了硅中雜質以及外延中氣體動力學與熱力學耦合計算及微機控制光加熱外延爐。完成了MOCVD生長 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任務，突破了中國多年來未能生長低閾值的量子阱激光器材料的局面。他還從事光伏電池材料和器件工作 ^[1]  。

截至2014年10月，梁駿吾先後獲得國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次 ^[15]  。

梁駿吾希望年輕的科研工作者一定要腳踏實地，從基礎工作做起，不要受社會環境影響，要堅持自己的方向，埋頭苦幹，成果就會逐步顯現 ^[4]  。

2008年5月10日，在中國科學院研究生院建校30週年慶祝大會上，梁駿吾被授予“中國科學院研究生院傑出貢獻教師”稱號 ^[6]  。

梁駿吾與夫人聞瑞梅都是武漢人，大學同窗相識相戀，上學時兩家僅一條馬路之隔，一起上學，一起回家。大學快畢業時，兩人才正式確立戀愛關係。此後，兩人又成為中國科學院半導體所的同事，合作發表過一些學術論文 ^[3]  。

梁駿吾作為從事硅材料研究的元老級專家，被認為是中國半導體材料領域內一位“真正的大俠”，其威望自然舉足輕重 ^[3]  。（《中國科學報》評）

梁駿吾在科研工作中碩果累累，在半導體材料研究領域具有重要影響力 ^[4]  。（哈爾濱工業大學評）