複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

中國科學院半導體研究所

鎖定
中國科學院半導體研究所於1960年成立,是中國國務院直屬事業單位,是集半導體物理、材料、器件及其應用於一體的半導體科學技術的綜合性研究機構。 [1] 
研究所主要的研究方向和領域有半導體物理、材料、器件、工藝、電路及其集成應用研究等。 [2] 
據2016年9月研究所官網顯示,研究所擁有14個科研機構,與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發(轉移)中心、9個聯合實驗室;擁有3個博士後流動站,3個一級學科博士培養點,包括5個二級學科博士培養點;擁有5個二級學科碩士培養點,3個專業學位碩士培養點;共有職工690餘名,在學研究生近600名。 [2]  2019年,中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊創新設計金屬光柵側向耦合分佈反饋(LC-DFB)結構,成功實現了2μm波段高性能單模激光器,綜合性能達到國際一流水平並突破國外高端激光器進口限制性能的規定條款。 [3] 
中文名
中國科學院半導體研究所
外文名
Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences
成立時間
1960年
機構地址
北京市海淀區清華東路甲35號
主管部門
中國科學院
簡    稱
中科院半導體所
博士後流動站
3個
博士點
3個一級學科5個二級學科
碩士點
5個二級學科3個專業碩士
專職院士數
中國科學院7人 中國工程院2人
現任所長
李樹深

中國科學院半導體研究所發展歷史

1956年,在中國十二年科學技術發展遠景規劃中,半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一,成立中國科學院物理研究所半導體研究室。 [1]  [4] 
1957年秋天,半導體研究室拉制成功了中國第一根鍺單晶。
1958年初秋,在林蘭英帶領下,中國的第一根硅單晶誕生。 [5] 
北大門 北大門
1960年9月6日,在中國科學院物理研究所半導體研究室基礎上成立中國科學院半導體研究所,隸屬於中國科學院。 [1] 
1975年,恢復中國科學院半導體研究所名稱,隸屬於中國科學院。 [4] 
2006-2009年,連續四次獲得“中央國家機關文明單位”榮譽稱號。 [6] 
2009年起,半導體所新增材料工程、電子與通信工程、集成電路工程3個專業學位碩士研究生(工程碩士)培養點。 [2] 
2012年3月,半導體所申報的物理學、材料科學與工程、電子科學與技術三個一級學科博士培養點獲得中國科學院通過。 [7] 
2015年12月,英國《自然》出版集團以增刊方式發佈了《2015中國自然指數》(NatureIndex2015China),半導體所位列第40名。 [8] 
2016年3月5日,“半導體科技發展”技術科學論壇在中國科學院半導體研究所學術會議會議中心召開。 [9] 
2016年5月,獲“2015年度中國科學院決算編制工作先進單位”稱號。 [10] 

中國科學院半導體研究所科研條件

中國科學院半導體研究所設備設施

  • 科研設備
截至2012年3月,中心具有各類環境模擬試驗設備30餘台(套),有Royce650 鍵合拉力與芯片剪切力測試儀、SM-105-MP AVEX 機械衝擊台、TIRA 電磁變頻振動台、WEB9051離心機、UL1000氦質譜檢漏儀、EDA407內部水汽檢測儀、TE-05-70-WH高低温(濕熱)快速温度變化試驗箱、內引線拉力、芯片剪切應力測試儀、PIND4511L顆粒碰撞噪聲檢測儀、充氮充氦氟油加壓檢漏裝置、離心機、電動振動試驗系統、衝擊台、鹽霧腐蝕試驗箱、高温試驗箱、高低温試驗箱、高低温交變濕熱試驗箱、氦質譜檢漏儀等設備,可依據GJB548B、GJB128A、GJB360A、GB/T2423等試驗方法標準的要求開展相關試驗,試驗項目包括機械衝擊、振動、恆定加速度、耐濕、鹽霧、芯片剪切、鍵合拉力、粒子碰撞噪聲(PIND)、粗細檢漏以及高低温循環、貯存、老練、壽命、熱衝擊等,並可提供相應的試驗報告及數據。 [11-12] 
  • 館藏資源
據2016年9月研究所官網顯示,研究所圖書信息中心擁有科學出版社“科學文科”電子圖書42000種、超星“讀秀”中文電子書約400萬種、方正中文電子書約200萬種、半導體所電子書約4000種(英文700餘種,中文3000餘種),擁有IOPP英國物理學會電子書、SPIE國際光學工程學會電子書、Springer出版公司電子書、Wiley出版公司電子書、RSC英國皇家化學會電子書、Semiconductors and Semimetals(Elsevier系列叢書)、Progress in Optics(Elsevier系列叢書)、Solid State Physics(Elsevier系列叢書)等; [13]  擁有566種電子期刊。 [14] 

中國科學院半導體研究所人員編制

新科研樓 新科研樓
據2016年9月研究所官網顯示,研究所共有職工690餘名,其中科技人員480餘名,正副研究員及高級工程技術人員209名。中國科學院院士7名、中國工程院院士2名、瑞典皇家科學院外籍院士1名、第三世界科學院院士1名、發展中國家科學院院士1名。 [1] 
中國科學院院士黃昆(已故)、王守武(已故)、林蘭英(已故)、王守覺(已故)、王啓明鄭厚植王佔國王圩、李樹深、夏建白 [15] 
中國工程院院士梁駿吾陳良惠 [15] 
第三世界科學院院士、瑞典皇家科學院外籍院士:黃昆(已故) [15] 
發展中國家科學院院士:李樹深 [15] 

中國科學院半導體研究所科研部門

三號淨化樓 三號淨化樓
據2016年9月研究所官網顯示,研究所擁有2個國家級研究中心、3個國家重點實驗室、2個院級實驗室(中心);設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、元器件檢測中心和半導體能源研究發展中心;科學技術部和國家外國專家局批准成立“國家級國際聯合研究中心”。 [1] 
國家級研究中心:國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心 [1] 
國家重點實驗室:半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區) [1] 
院級實驗室(中心):半導體材料科學重點實驗室、中國科學院半導體照明研發中心 [1] 

中國科學院半導體研究所合作交流

據2016年9月研究所官網顯示,研究所與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發(轉移)中心、9個聯合實驗室,融合社會資本建立了10餘家高技術企業。 [1] 
二號科研樓 二號科研樓
院士工作站:河南省光電子技術院士工作站 [16] 
研發(轉移)中心:蘇州中科半導體集成技術研發中心、揚州中科半導體照明研發中心 [17] 
聯合實驗室:中國科學院半導體所-納川電子集成技術聯合實驗室 [18]  、西安交通大學—中國科學院半導體研究所信息功能材料與器件聯合實驗室 [19]  、中國科學院半導體所—四川九洲光電科技有限公司共建聯合實驗室 [20]  、中國科學院半導體研究所—迅捷光電聯合實驗室 [21]  、中國科學院半導體研究所—天津信息傳感與智能控制產學研聯合實驗室 [22]  、揚州中科半導體照明有限公司—中國科學院半導體所聯合實驗室 [23]  、中國科學院半導體研究所—北京航星網訊技術股份有限公司聯合實驗室 [24]  、中國科學院半導體研究所—江蘇領世激光科技有限公司聯合實驗室 [25]  、深圳市威富安防有限公司-中國科學院半導體研究所認知計算技術聯合實驗室 [26] 

中國科學院半導體研究所科研成就

中國科學院半導體研究所科研成果

一號科研樓 一號科研樓
2008-2013年,共申請專利千餘項,授權677項,每年SCI論文300篇以上。2006-2009年,研究所分別以技術入股、專利許可、技術授權等方式轉讓專利和專有技術58項,技術開發合同123項,技術開發合同及轉讓收入2.62億元。截至2013年,研究所半導體材料製備與器件研製領域共獲得127項專利,全固態激光器系統領域共獲得13項專利,半導體光收發器件、光電子集成及光電傳感器件、無源器件研製領域共獲得306項專利,智能計算系統與模式識別領域共獲得14項專利,半導體加工與測試工藝領域共獲得28項專利,激光成像系統領域共獲得12項專利,高亮度發光二極管(LED)工藝與設備領域共獲得26項專利,集成電路設計與測試領域共獲得36項專利,太陽能電池技術領域共獲得25項專利。 [27] 
1985-2015年,研究所獲北京市科技進步獎1項、北京市科學技術獎6項、北京市科學技術進步獎1項、北京市星火科技獎1項、高等學校科學研究優秀成果獎(科學技術)科技進步獎1項、國家技術發明獎3項、國家科技進步獎2項、國家科學技術進步獎19項、國家自然科學獎4項、河北省技術發明獎1項、化學工業部科技進步獎1項、機電部科技進步獎2項、省部技術發明獎1項、省部科學技術進步獎1項、省部自然科學獎1項、天津市科技合作獎1項、天津市科技進步獎2項、鐵道部科技進步獎2項、中國電子學會科學技術獎2項、中華農業科技獎1項、中國科學院科技進步獎75項、中國科學院自然科學獎23個。 [28] 
2010-2015年,以技術入股、專利許可、技術授權等方式轉讓專利和專有技術44項,技術合同253項,橫向收入4.8億元。 [29] 
2019年,在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下,中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。在此基礎上,研究團隊創新設計金屬光柵側向耦合分佈反饋(LC-DFB)結構,成功實現了2μm波段高性能單模激光器,邊模抑制比達到53dB,是同類器件的最高值;而且輸出功率達到40mW,是同類器件的3倍以上。在銻化物量子阱大功率激光器方面, FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現1.62瓦和16瓦的室温連續輸出功率,綜合性能達到國際一流水平並突破國外高端激光器進口限制性能的規定條款。
該成果引起國際學術界和產業界廣泛關注,《化合物半導體》雜誌評價“該單模激光器開創性提升邊模抑制比,為天基衞星載LIDAR系統和氣體檢測系統提供了有競爭力的光源器件”。該研究成果攻克了短波紅外激光器領域關鍵技術,在危險氣體檢測、環境監測、醫療與激光加工等諸多高新技術產業具有非常廣闊的應用價值。 [3] 

中國科學院半導體研究所學術刊物

《半導體學報》 《半導體學報》
《半導體學報》(Journal of Semiconductors)
半導體學報》(Journal of Semiconductors)是月刊,由中國電子學會主辦,中國科學院半導體研究所承辦的學術刊物,報道半導體物理學和半導體科學技術領域內最新的科研成果和技術進展,被EI、CA、SA等收錄,在中國科學院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評比中多次獲獎。主要欄目有:研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展等。 [30] 

中國科學院半導體研究所人才培養

中國科學院半導體研究所學科建設

據2016年9月學校官網顯示,學校擁有3個博士後流動站,3個一級學科博士培養點,5個二級學科博士培養點,5個二級學科碩士培養點,3個專業學位碩士培養點。 [1] 
博士後流動站物理學、材料科學與工程、電子科學與技術 [2] 
一級學科博士培養點物理學、材料科學與工程、電子科學與技術 [2] 
二級學科博士培養點凝聚態物理材料物理與化學(半導體材料)、物理電子學電路與系統微電子學與固體電子學 [2] 
專業學位碩士培養點:材料工程、電子與通信工程集成電路工程 [31] 

中國科學院半導體研究所教學建設

2015屆畢業生中博士畢業86人,碩士畢業45人。 [32] 
2015年12月,在首屆國科杯“我要創業”大賽中,研究所創業團隊參賽的“級聯高新光電”項目獲二等獎。 [33] 
研究所設立了所長獎學金。 [34] 

中國科學院半導體研究所文化傳統

中國科學院半導體研究所形象標識

所徽 所徽
研究所所徽是漢字“半導”組合行程的圖案,紅色的1960是研究所創建年份。所徽的外環上方是研究所英文名稱,下方中文名稱。
所徽整體以寓意嚴謹、科學的藍色為主色調。

中國科學院半導體研究所文化活動

據2016年9月研究所官網顯示,研究所先後組織師生開展羽毛球、排球、籃球友誼聯賽、“我愛記歌詞”大賽、“拒絕煙草·健康生活”簽名活動、迎新年聯誼會、趣味運動會、攝影大賽、徵文比賽、愛國主義系列主題教育等活動。 [35] 

中國科學院半導體研究所機構領導

中國科學院半導體研究所現任領導

職務
姓名
所長
黨委書記、副所長
馮仁國 [37]  [39] 
副所長
薛春來 [37] 
副所長、紀委副書記
張韻 [37] 
紀委書記
翟金良 [37-38] 

中國科學院半導體研究所歷任領導

任期
所長
黨委書記
1962—1977年
劉再生
劉再生、陳致中、宋 、政、劉大明
1977—1983年
黃昆
張方海、馮文耀
1983—1985年
王守覺
李維學
1985—1994年
王啓明
李維學
1994—1999年
鄭厚植
李維學
1999—2002年
鄭厚植
賈航
2002—2011年
李晉閩
陳樹堂
2012—2014年6月
李樹深
李樹深
2014年7月—
李樹深
張春先 [36] 
參考資料
展開全部 收起