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本徵擴散係數
鎖定
本徵擴散係數(Intrinsic diffusion coefficient)也稱偏(分)擴散係數,包括自擴散和濃度梯度引起的擴散,需要條件是在有濃度梯度的合金中產生。
- 中文名
- 本徵擴散係數
- 外文名
- Intrinsic diffusion coefficient
- 別 名
- 偏(分)擴散係數
- 包 括
- 自擴散和濃度梯度引起的擴散
- 條 件
- 在有濃度梯度的合金中
本徵擴散係數簡介
本徵擴散係數本徵擴散
主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時,如果雜質原子的濃度小於熱擴散温度下半導體中的本徵載流子濃度,則雜質原子的擴散係數為常數,這種擴散就稱為本徵擴散。只有在摻雜濃度較低、或者擴散温度較高時才可能是本徵擴散。
滿足本徵擴散條件的區域即稱為本徵擴散區。在本徵擴散區內,如果擴散有兩種雜質,則總的擴散雜質分佈將是二者分別擴散所得結果的疊加(即兩種雜質的擴散可以分別獨立地處理)。其主要分為位錯擴散、空位擴散和間隙擴散。
本徵擴散係數相關研究
擴展電阻分析用以測量較低濃度砷的剖面的有效性,進而研究了較低濃度砷在硅中的擴散問題。由於通過快速熱退火對樣品進行預處理,排除了輻照損傷對擴散係數測定的影響,從而測得砷在硅中本來意義下,即替位擴散意義下的本徵擴散係數
[1]
。
結果表明:SUPREM III所採用的模型在較高濃度區擴散係數隨濃度遞增速率較小,Hu理論仍然和實驗較符合。
而影響顯微組織結構演變模擬可靠性的重要決定因素之一便是擴散。因此,多元鋁合金體系的擴散動力學數據庫的建立對鋁合金工業的發展至關重要
[2]
。