晶體生長數值模擬

大尺寸晶體生長的製備，特別適用於高科技應用，如DRAMs、集成電路的半導體，單晶或多晶晶元的太陽能電池，LED照明的寶石基底等等。一般來説，Cz法（Czochralski法）生產用於IC和太陽能電池的單晶硅；懸浮區熔法（Fz法：Floating Zone）生產高純度的單晶硅；定向凝固法（DS法、VB法等）多用於生產用於太陽能電池上的多晶硅。以上幾種工藝通過建立數值模型，利用有效的仿真工具來完成拉晶過程中對單晶爐、晶體的熱場、力學性能、幾何結構的預測，最終實現對生成晶體質量的評估。 ^[1] 

晶體生長領域學者比利時魯汶大學的Prof. Dupret François，90年代於《J. of Heat and Mass Transfer》上發表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces，詳細闡述瞭如何建立一個晶體生長爐中全局的熱傳控制模型，並驗證了這一全局模型的準確性。

1、直拉法（提拉法，Cz法） ^[2] 

2、坩堝下降法

3、區熔法（懸浮區熔法） ^[3] 

4、焰熔法