拉晶

單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨温度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。

單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用於製作半導體元件。

在直拉法生長硅單晶的過程中,硅單晶生長的成功與否以及質量的高低是由熱場的温度分佈決定的。温度分佈合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質較高；如果熱場的温度分佈不是很合理,生長硅單晶的過程中容易產生各種缺陷，影響質量，情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此，對單晶爐熱場進行系統的分析，有助於優化晶體生長的工藝流程，提高晶體的成品質量。 ^[1]