懸浮區熔法

懸浮區熔法制備的單晶硅氧含量和雜質含量很低，經過多次區熔提煉，可得到低氧高阻的單晶硅。如果把這種單晶硅放入核反應堆，由中子嬗變摻雜法對這種單晶硅進行摻雜，那麼雜質將分佈得非常均勻。這種方法制備的單晶硅的電阻率非常高，特別適合製作電力電子器件。懸浮區熔法制備的單晶硅僅佔有很小市場份額。

懸浮帶熔法是在充滿氬氣的密封反應室中進行的，首先將一根長度大約為50到100釐米的多晶態硅棒垂直的放置在高温反應室裏，加熱線圈把硅棒的末端融化，然後把籽晶晶體熔入已經熔化的區域，熔體將會藉着熔融硅的表面張力而懸浮在籽晶與多晶棒之間，然後加熱線圈緩慢向上升高而把熔融硅上方部分的多晶硅棒熔化。此時靠近籽晶的一端熔融硅開始凝固，形成與籽晶晶體相同的晶向。當加熱線圈掃過整個硅棒後，便能使其轉變成單晶硅的晶棒。

懸浮區熔法有兩個主要的缺點，其一是熔體與晶體的界面複雜，所以很難得到無層錯的晶體，其二是它的成本很高，因為它需要高純度的多晶硅棒當做原始材料。