張韻

曾就職於美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。

2012年初回國工作，就職於中國科學院半導體研究所。中國科學院半導體研究所所長助理，“十二五”科技部“第三代半導體材料”總體專家組成員。科研重點是AlGaN/GaN基大功率高頻/電力電子器件、AlGaN基深紫外波段光電子材料與器件等 ^[1]  。

現任中國科學院半導體研究所研究院副所長、紀委副書記。 ^[2] 

（1）半導體紫外光源領域：高Al組分AlGaN半導體材料MOCVD生長研究；UVB波段（280-320nm）AlGaN基紫外激光二極管器件製備研究；UVC波段（200-280nm）AlGaN基高效紫外發光二極管器件製備及在污染物分解、殺菌消毒等領域的應用研究等。

（2）微電子器件領域：AlGaN/GaN基射頻/微波高電子遷移率場效應管（HEMT）材料生長及器件製備研究；AlGaN/GaN基增強型（E-mode）HEMT材料生長及器件製備研究；InGaN/GaN基射頻異質結雙極晶體管（HBT）材料生長及器件製備研究；AlN基體聲波濾波器製備研究等。

（3）第三代半導體單晶材料領域：高純半絕緣SiC單晶材料製備研究；AlN單晶材料製備研究等 ^[1]  。

在III族氮化物（GaN基材料）等第三代半導體材料及器件物理領域開展了多年研究，獲得了首個GaN基射頻異質結雙極晶體管（HBT）、高靈敏度深紫外雪崩光電二極管（APD）、高亮度深紫外發光二極管（LED）、電注入藍綠光半導體激光器（LD）、光泵浦深紫外半導體激光器等世界先進的研究成果，已在國際學術期刊發表論文30餘篇。

（1）提出紫外光加強濕法刻蝕方法以及雙枱面耗盡層設計，降低GaN基紫外雪崩光電二極管的表面漏電流，在GaN體襯底上達到雪崩光電增益超過104並實現具備單光子探測能力的蓋革模式工作。

（2）在GaN體襯底上實現了420nm藍紫光和460nm藍光InGaN基半導體激光器的室温連續激射，證實漸變AlGaN電子阻擋層能夠大幅度提升InGaN基激光器的性能。

（3）在藍寶石襯底上實現了最高響應頻率大於5.3GHz的GaN基射頻異質結雙極晶體管。並在GaN體襯底上達到了141KA/cm2的電流密度以及3.05MW/cm2的功率密度。

（4）在我國首次實現AlGaN基激光器短於280納米深紫外UV-C波段光泵譜激射，並在280納米波段深紫外LED中實現100mA大電流注入下光功率輸出超過10mW，壽命（L80）超過3000小時 ^[1]  。